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- [发明专利]具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法-CN00800714.4无效
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有田浩二;卡罗斯·A·帕兹德阿罗
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赛姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社
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2000-03-21
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2001-07-04
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H01L29/78
- 一种非易失性非破坏性读出的铁电FET存储器(10,40,60,80,100,120,130,160)包括半导体衬底(19)、铁电功能梯度材料(“FGM”)薄膜(26,50,70,90,20,140,170)和栅电极(30)。在一个基本实施例中,铁电FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)包括铁电化合物和介电化合物。介电化合物具有比铁电化合物低的介电常数。在薄膜中铁电化合物有浓度梯度。在第二基本实施例中,FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)是功能梯度铁电体(“FGF”),其中铁电化合物的合成的梯度导致反传统磁滞行为。FGF薄膜的反传统磁滞行为与铁电FET存储器中的扩大的存储窗相关。FGM薄膜(26,50,70,90,20,140,170)优选地使用液体源MOD方法形成,优选是多源CVD方法。
- 具有成分分级材料电场效应晶体管及其制造方法
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