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[发明专利]高效合成高质量碳化硅的装置及方法-CN202310666666.X在审
发明人：余雅俊;陈素春;林骞;占俊杰;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效合成高质量碳化硅的装置及方法，该高效合成高质量碳化硅的装置包括装置本体和石墨盖板，所述装置本体具有顶端敞口的容纳腔，所述容纳腔内沿其高度方向由底部到顶端依次设有第一过滤板和第二过滤板，并通过所述第一过滤板和所述第二过滤板分隔为原料区、过滤区和反应区；所述石墨盖板盖设在所述装置本体的顶端敞口处，用于收集合成的碳化硅晶体。采用该高效合成高质量碳化硅的装置能够合成高质量纯度的碳化硅晶体，同时能够提高合成效率，降低生产成本。
高效合成质量碳化硅装置方法

[发明专利]一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法-CN202111482401.1有效
发明人：陈素春;徐良;余雅俊;占俊杰;孟秀清;阳明益 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。
一种 sic 衬底形成 inn 薄膜方法

[发明专利]一种电子凭证生成方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210313653.X在审
发明人： 占俊杰;郭懿心;韦德志;郑伟涛 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本申请涉及计算机技术领域，尤其涉及一种电子凭证生成方法、装置、电子设备及存储介质，接收发送端发送的电子凭证生成请求，其中，所述电子凭证生成请求至少包括：目标业务的原始业务数据，以及与所述目标业务关联的至少一个凭证因子对应的位置指示信息；基于获得的至少一个位置指示信息，分别从所述原始业务数据中读取相应位置的目标业务数据，并将读取的目标业务数据作为相应的凭证因子对应的因子值；基于确定出的至少一个因子值，生成所述目标业务的电子凭证，这样，能够提高线上业务的安全性。
一种电子凭证生成方法装置电子设备存储介质

[发明专利]应用于籽晶粘结的热压装置以及籽晶粘接方法-CN202310506982.0在审
发明人：余雅俊;占俊杰;林骞;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种应用于籽晶粘结的热压装置以及籽晶粘接方法，热压装置包括：底座，所述底座的其中一侧形成有第一环槽，所述底座位于所述第一环槽围设的区域内形成籽晶的承载面；定位环，所述定位环的其中一端形成连接端，所述连接端与所述第一环槽适配；压块，所述压块与所述定位环的内圈相适配，所述压块的其中一侧形成籽晶的接触面。本申请的热压装置可以将籽晶粘结胶水中的气泡由中心向四周逐渐排出，并使籽晶平衡受压，得到籽晶相对底座以及籽晶自身均达到高平整度的粘接结果，使籽晶能够以更平整的方式进行后一步的长晶。
应用于籽晶粘结热压装置以及方法

[发明专利]一种基于氮化镓材料的二次外延生长方法-CN202310105363.0在审
发明人：徐良;刘建哲;李昌勋;占俊杰;夏建白 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮化镓材料的二次外延生长方法，包括在衬底材料上依次生成缓冲层、第一外延层和氮化硅保护层；将二次外延区域的保护层或保护层及第一外延层刻蚀去除，使该区域的第一外延层或缓冲层显露，得到第一器件；将第一器件置于液氮中低温处理后恢复至室温；在第一器件表面生成第二外延层；将二次外延区域外的第二外延层及保护层刻蚀去除，得到第二器件；在第二外延层上生成栅电极。本发明采用液氮取代高温退火，不仅可固化外延结构，提高二次外延的结构质量，还避免高温破坏结构，并可通过保护层精准识别湮灭区；另外，可减少氮化硅表面生成的二次外延材料，且令其表面的二次外延材料易去除，提高产品形成效率，保证二次外延结构质量。
一种基于氮化材料二次外延生长方法

[发明专利]一种减少图形化衬底灰阶的方法-CN202310310369.1在审
发明人：余雅俊;占俊杰;林骞;徐良;刘建哲;李京波 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种减少图形化衬底灰阶的方法，包括：使用预热后的碱液腐蚀所述图形化衬底；将腐蚀后的图形化衬底进行退火处理。该方法通过碱液腐蚀与抽真空退火处理协同配合作用，使得图形化衬底灰阶缺陷的减少取得显著效果。
一种减少图形衬底方法

[发明专利]增强型多沟道GaN功率器件及制作方法-CN202310274844.4在审
发明人：徐良;刘建哲;夏建白;占俊杰;南琦 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型多沟道GaN功率器件及制作方法，该功率器件包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、第一沟道层以及至少一组第二沟道层，第一沟道层包括从下至上依次设置的第一GaN层、第一AlGaN层和第一C单晶薄膜层，每组第二沟道层均包括从下至上依次设置的第二GaN层、第二AlGaN层及第二C单晶薄膜层，第一C单晶薄膜层和第二C单晶薄膜层的厚度均小于等于2nm，第二GaN层的厚度为2~10nm。本发明通过C单晶薄膜层形成电子介电层和电场缓冲层，不仅增强二维电子气沟道，提高器件的工作电压和电流，还降低器件加工难度；并且，C单晶薄膜层可以缓解器件结构中的应力，使器件结构可以设计的更加复杂和多样化。
增强沟道 gan 功率器件制作方法

[发明专利]贴蜡晶片、贴蜡方法及其在改良衬底边缘色差中的应用-CN202310100926.7在审
发明人：余雅俊;占俊杰;林骞;徐良;刘建哲;夏建白 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种贴蜡晶片、贴蜡方法及其在改良衬底边缘色差中的应用，该贴蜡方法通过在晶片上先形成薄胶层实现贴蜡表面的平整，之后对薄胶层以及蜡层进行抽真空操作的同时加压处理，从而将薄胶层以及蜡层中的气泡抽出，保证表面平整，边缘无塌边现象，边缘色差得以改善，大大提升了贴蜡晶片的质量，同时还提高了工作效率以及还降低了企业成本。
晶片方法及其改良衬底边缘色差中的应用

[发明专利]一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机-CN202310027334.7在审
发明人：余雅俊;陈素春;徐良;刘建哲;占俊杰;林骞;夏建白;李京波 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶片加工技术领域的一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机，蓝宝石衬底表面加工方法包括：用切割线将晶棒切割分成晶圆；对所述晶圆进行双面研磨处理；对所述晶圆进行双面抛光处理，并在抛光时对抛光液PH值、抛头压力和抛光作业温度进行实时监测和调控。本申请在抛光工艺中精确控制抛光过程中的PH值等工艺数据，提高在该过程中的物理化学反应，在整个去划痕抛光工艺中各方面数据保持动态平衡，增强了对蓝宝石衬底表面划痕和坑洞等缺陷的处理，大大提升了蓝宝石衬底的品质。
一种蓝宝石衬底表面加工方法抛光机

[发明专利]数据访问控制方法及装置、设备、存储介质、程序产品-CN202111184260.5在审
发明人： 占俊杰;郭懿心;韦德志;郑伟涛 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本申请的实施例揭示了一种数据访问控制方法及装置、设备、存储介质、程序产品。该方法包括：根据数据访问方发起的身份认证请求，对数据访问方进行身份认证；在对数据访问方进行身份认证通过后，根据预设私钥以及身份认证请求中携带的多因子信息生成验证票据，将验证票据发送至数据访问方，多因子信息用于表征数据访问方所对应数据访问目标的唯一性；当接收到数据请求方发送的数据访问请求时，根据与预设私钥相对应的公钥以及数据访问请求中携带的多因子信息，对数据访问请求中携带的验证票据进行校验；在数据访问请求中携带的验证票据通过校验后，进行数据访问请求的响应处理。本申请实施例的技术方案能够提升数据访问的安全性。
数据访问控制方法装置设备存储介质程序产品

[发明专利]一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片-CN202211066901.1在审
发明人：林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅二段退火工艺及碳化硅片。退火工艺包括以下步骤：S1：将洗净烘干的碳化硅片放置在平铺于退火炉腔室内部的石墨纸上；S2：对退火炉腔室进行抽真空处理直至达到预设压力值；S3：开启退火炉的升温模式并同时向其腔室内通入氮气，温度达到1550‑1600℃时停止通入氮气而开始向其腔室内通入氢气，继续升温直至温度达到2000℃时停止加热并控温保持一段时间，以对碳化硅片进行退火处理；S4：退火完成后，打开经降温通气处理的退火炉的炉门并取出碳化硅片。通过上述工序，不仅可以实现碳化硅片的退火，还可以有效抑制碳化硅片表面发生的碳化反应，确保退火出来之后的片子仍具有很好的质量。
一种碳化硅二段退火工艺碳化硅片

[发明专利]一种晶棒切割系统-CN202211348299.0在审
发明人：余雅俊;林骞;占俊杰;徐良;刘建哲 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料加工领域的一种晶棒切割系统，包括：切削液池；支撑架，所述支撑架安设于所述切削液池上方以用于对晶棒进行固定；驱动轴，所述驱动轴架设于所述切削液池内，所述驱动轴的轴线与所述晶棒的轴线平行；切割线，所述切割线为环形结构并设置有多条，多条所述切割线环绕在所述驱动轴和所述晶棒上并沿驱动轴的长度方向间隔布置；第一距离调节装置，所述第一距离调节装置随晶棒切割深度增加对晶棒与驱动轴之间的间距进行实时调节。本申请提高了晶棒的切割效率，能够得到高质量平面的碳化硅衬底片。
一种切割系统

[发明专利]晶片研磨装置-CN202211234362.8在审
发明人：陈素春;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：金华博蓝特新材料有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请涉及蓝宝石新材料技术领域的一种晶片研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面垂直，所述第一轴靠近承载平面边缘处；研磨砂轮，所述研磨砂轮连接于所述第一轴上，所述研磨砂轮包括研磨面，所述研磨面外圈延伸至所述承载平面中心点；固定组件，设于所述基座上，用于将所述晶片固定在所述承载平面上。本申请的晶片研磨装置在保证晶片减薄效率的同时，减少了工艺步骤，降低了崩边碎片发生的可能性，并能满足面型曲圆化晶片的加工。
晶片研磨装置

[发明专利]一种籽晶粘结装置及籽晶粘结方法-CN202211043161.X在审
发明人： 占俊杰;余雅俊;徐良;刘建哲;林骞 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种籽晶粘结装置及籽晶粘结方法，籽晶粘结装置包括：底座，所述底座其中一侧形成籽晶的承载面；压板，所述压板其中一侧形成籽晶的施压面；连接件，所述连接件设于压板上靠近底座的一侧，所述连接件使所述施压面与所述承载面保持设定的间距，将所述压板与所述底座连接。本申请的籽晶粘结装置及籽晶粘结方法提升了籽晶的粘结效果，以利于籽晶上结晶生长晶体。
一种籽晶粘结装置方法

[发明专利]提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机-CN202111058165.0有效
发明人：徐良;余雅俊;占俊杰;陈素春 -专利权人：浙江富芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升晶片研磨后平整度的方法及研磨机，该提升晶片研磨后平整度的方法包括以下步骤：(1)对晶片表面损伤进行加深处理，形成损伤层；(2)对损伤加深处理后的所述晶片进行退火处理；(3)对退火处理后的所述晶片进行双面研磨，以去除所述损伤层；(4)对双面研磨后的所述晶片进行减薄处理。本发明中的方法能够提升晶片平整度，改善因切割能力不足导致的晶片不平整，同时提升抛光后晶片面型的一致性。
提升晶片研磨平整方法研磨机

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