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- [发明专利]硫磺菌浅层发酵方法-CN200310105279.1无效
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卜宗式;李洋;白景弘
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李洋
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2003-12-04
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2004-11-17
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C12N1/14
- 本发明公开了硫磺菌菌丝体浅层发酵方法。其特征在于将液体菌种接入固体发酵培养基,置于浅盘内静止发酵。将硫磺菌斜面菌种接入马铃薯综合培养基,在18-28℃下摇瓶培养4-7天,选无霉变无杂质谷粒,煮熟,捞出后加石膏粉1-2%拌匀,灭菌,接种量为5-20%,在浅盘内铺料厚度为10-20公分,在18-28℃、相对湿度50-70%的无菌环境中通风暗培养20-40天。本发明与深层发酵方法相比,此法所需设备简单,较易操作,原料价格低廉,特别适于中小企业生产。
- 硫磺菌浅层发酵方法
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