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[发明专利]一种硅外延设备加热系统运行状态监测装置及监测方法-CN202010362091.9有效
发明人：肖健;袁夫通;宋占洋;冯永平;徐卫东 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了硅外延设备加热系统运行状态监测装置及监测方法，该监测装置包含：外延设备机台、电流互感器、电流信号采集器、控制信号采集器、PLC装置、运算显示装置和报警指示装置。外延机台加热灯管由可控硅驱动，电流信号采集装置采集灯管两端电流信号传送到PLC内，与控制信号采集装置采集的信号进行运算比对，若超过控制阈值则进行报警提示，实现对加热灯管的完好情况的在线监测，发现问题及时报警，提高外延设备的效率。
一种外延设备加热系统运行状态监测装置方法

[实用新型]一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘-CN202222382600.1有效
发明人：王鹏程;何文俊;冯永平;曹奇 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型专利提供了一种改善硅片厚度均匀性的单片石墨盘，该单片石墨盘的圆形凹陷区域设置具有坡度的斜面，所述斜面表面加工若干条状凹槽，所述凹槽用于硅片装载过程中石墨盘与硅片下表面空间内的气体流动，且不影响硅片外延后的背面质量。故本设计方案可将硅片与石墨盘的接触方式由面接触改为线接触，有效地避免硅片装载时因石墨盘与硅片之间的气体流动导致的硅片相对石墨盘出现轻微滑动的现象，进而达到提升硅片厚度均匀性的目的。
一种改善硅片厚度均匀单片石墨

[实用新型]外延平台托盘旋转轴工位校准组件-CN202222399978.2有效
发明人：曹奇 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： B23P19/10 文献下载
摘要：本实用新型专利提供了一种外延平台托盘旋转轴工位校准组件，包括壳体、位于壳体内的托盘旋转轴、校准工具；校准工具覆盖于壳体上表面，基本定位块的内表面抵靠于壳体的外表面，主定位块位于旋转轴上方，且主定位块的侧面作为任意两个承载臂上的定位孔之间连线的定位参考面，主定位块一个侧面自上向下的投影与任意两个承载臂上的定位孔之间连线重合作为托盘旋转轴的校准标准。该校准组件能够提升旋转轴安装精度，减少旋转轴安装时间，提高工作效率。
外延平台托盘旋转轴校准组件

[实用新型]一种应用于高压FRD硅外延的基座-CN202222240542.9有效
发明人：韩旭;杨帆;王银海;尤晓杰;肖健 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型专利提供了一种应用于高压FRD硅外延的基座。该基座上装配上、下挡件。上、下挡件悬挂于外延片坑的左右两侧，通过改变片坑左、右侧的气流分布，有效降低外延片内最高点厚度，从而提升外延厚度参数一致性，能够将片内的厚度均匀性提升1.5％、片间厚度均匀性提升2％左右。
一种应用于高压 frd 外延基座

[发明专利]一种外延设备石英反应腔透光度检测方法-CN202211108176.X在审
发明人：宋占洋;肖健;徐卫东;袁夫通 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延设备石英反应腔透光度检测方法，包括但不仅限于esther200C、esther200L、LPE 3061S和LPE2061S外延设备，运用外置彩色相机配合PLC工控机设备拍摄钟罩观察窗及测温窗区域的图像，选取该透光区域进行分析，将有效透光区域划分为若干个微圆，通过计算各微元区域中观察孔的RGB值以及蓝色分量和绿色分量平均值比。通过对比区域内的RGB值与标准值之间的差值以及B/G的比值与所设标准值进行比对，识别钟罩透光度的状态。
一种外延设备石英反应透光检测方法

[发明专利]一种改善超重掺B硅外延片翘曲度的外延方法-CN202210936963.7在审
发明人：谢进;王银海;魏建宇;郭佳龙 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善超重掺B硅外延片翘曲度的外延方法，以掺少量Ge(含量为5％‑20％)、衬底电阻率为0.0011Ω.cm‑0.0021Ω.cm的超重掺B衬底为原材料，先在减压外延的工艺条件下生长一层缓冲层，再在此基础上再以常压外延工艺生长一层所需外延层，此方法得到的超重掺B衬底硅外延片翘曲度可以改善约40％‑60％。
一种改善超重外延曲度方法

[发明专利]一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法-CN202210231487.9在审
发明人：谢进;邓雪华;王银海;郭佳龙 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：(1)准备温度控片；(2)反应腔升温并进行HCL清洁；(3)冷却至室温，装入温度控片；(4)以恒定的升温速率升温至1150‑1200℃进行烘烤；(5)取出温度控片进行化学处理；(6)对温度控片进行电阻率测试，获得温度控片各区域温度并进行温度补偿；(7)清洗待外延的硅片并重复步(2)的操作后，将待外延的硅片放入反应腔；以步骤(4)中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤(6)中的温度补偿，进行烘烤；调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl3、H2并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率。本发明能够有效控制外延过程中硅片表面的温度分布，更好控制滑移线的产生。
一种 bcd 工艺超高温条件下滑移外延控制方法

[发明专利]一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法-CN202110883669.X有效
发明人：魏建宇;邓雪华;王银海;杨帆 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用重掺As衬底片，电阻率为0.002~0.004Ω•cm，外延生长：源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源。掺杂源通入量分两段：第一段采用变掺杂的模式，起始掺杂流量设定值为0.1Ω·cm≤对应电阻率≤0.5Ω·cm的重掺杂质量，终点掺杂流量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量，掺杂量变化速率恒定，变化区间可选择为总厚度的15%~30%；第二段掺杂通入量恒定，掺杂量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量。采用本发明提供的工艺方法，片内中心、边缘的偏差明显缩小。
一种提高外延过渡一致性工艺方法

[实用新型]一种硅片自动清洗机的机械手提篮防撞控制装置-CN202121433469.6有效
发明人：于成山;甘勇;周彬;何晶 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片自动清洗机的机械手提篮防撞控制装置，用于使用提篮方式的硅片自动清洗机的机械手在没有正确卸载提篮时可以被检测到报警并触发机械手暂停的检测控制装置，实现清洗机利用控制系统自动检测机械手提篮是否正确卸载，避免机械手的提篮没有正常卸载时继续自动运行。
一种硅片自动清洗机械手提篮控制装置

[发明专利]一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片-CN202110883682.5在审
发明人：马梦杰;王银海;邓雪华;杨帆 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长薄层高阻硅外延片的方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用掺As衬底；设置反应腔体压强10~50Torr，衬底表面用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅(DCS)作为硅源生长第一外延层；设置反应腔体压强10~80Torr，在第一外延层上用生长温度为1050~1100℃，采用二氯二氢硅(DCS)作为硅源生长第二外延层。该方法能够抑制重掺As衬底杂质扩散和蒸发，降低固态扩散和气相自掺杂，在外延厚度薄的情况下获得窄过度区宽度、高外延电阻率及均一外延电阻率分布，既保证器件的击穿电压，又兼顾器件的导通电阻。
一种生长薄层高阻硅外延方法

[实用新型]一种桶式外延炉基座旋转同心度监控装置-CN202021552729.7有效
发明人：肖健;任凯;肖战武;黄健 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桶式外延炉基座旋转同心度监控装置，包括：桶式基座，用于装载硅片；同心度监控装置，用于实时监控桶式基座旋转同心度是否为允许范围，如旋转同心度偏差超出了允许范围即报警。本实用新型可解决桶式基座旋转同心度的量化监控和及时控制，防范了因基座旋转同心度变化导致硅片厚度均匀性异常报废。
一种外延基座旋转同心监控装置

[发明专利]一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法-CN201810245132.9有效
发明人：尤晓杰;邓雪华;刘勇;潘文宾 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种200mm肖特基管用掺磷硅外延片的制备方法，包括如下步骤：预备掺磷硅衬底片：选用掺磷硅衬底片，电阻率0.0012～0.0015Ωcm，衬底片的局部平整度≤0.8μm，背封层为二氧化硅+多晶硅，二氧化硅和多晶硅的厚度均为第一层包封层：在衬底表面和边缘生长一层厚度为0.5～0.8μm的包封层，同时通入小流量HCl，HCl流量为0.5～1.5L/min；第二层外延层：不通入HCl，通入掺杂，生长一层厚度和电阻率符合200mm肖特基管要求的外延层。本发明外延工艺的有效组合，即保证了扩展电阻的匹配，又保证了外延片的生产效率。
一种 200 mm 肖特基管用掺磷硅外延制备方法

[发明专利]一种半导体处理装置、处理方法及应用-CN202010877684.9在审
发明人：温子瑛;金龙;杨帆;王银海;潘文宾;黄宇程;孙富成 -专利权人： 南京国盛电子有限公司;无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理装置，包括本体，在所述本体的上端面形成凹进部，所述凹进部的底壁上具有至少一个位置，在底壁的每个所述位置处开设的与所述凹进部连通的第一通道；在所述凹进部底壁的边缘处的所述本体上开设的与所述凹进部连通的第二通道，所述凹进部底壁边缘处设置有用于液体流动替换的流道。本发明可实现处理液对硅能均一实现氧化，生成均匀致密的氧化层；处理液能够做到有效的流动和替换；处理流程自动化程度高，受外界影响小，步骤简单。
一种半导体处理装置方法应用

[实用新型]一种软性吸盘装置-CN202020062321.5有效
发明人：王伏意;肖健;陈浩;孙铁成 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种软性吸盘装置，包括底板、围绕底板下表面并与贴合的软性密封环，所述软性密封环与底板之间围成一个容腔；底板上具有与容腔连通的抽气孔；吸盘装置与外延片接触后，软性密封环与外延片边缘充分接触，整体上形成密闭空间，通过容腔上的抽气孔抽气，形成负压，实现装取片。软性密封环与外延片边缘接触不会对外延片接触部分造成压痕、压伤的现象，有效提升了外延片良率。同时，采用软性密封环上的燕尾槽与燕尾连接件的连接方式，使软性密封环磨损后可以拆卸替换，而不需要造成整体吸盘装置的报废。
一种软性吸盘装置

[实用新型]一种石英罩小孔盖板组件-CN202020061593.3有效
发明人：陈浩;何文俊;冯永平;孙铁成 -专利权人： 南京国盛电子有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型专利提供了一种新型结构的石英罩小孔盖板组件，包括石英罩及小孔盖板，小孔盖板包括板体，该板体具有两面的光滑表面，其中一个表面突出有两个平行设置的长方体定位块，该两个定位块均位于小孔内，且两个定位孔之间的板体部分作为激光对接部位；激光对接部位的厚度为较薄的板体的厚度，而不像现有技术中是较厚的凸台的厚度，故本技术方案可以有效的避免定位激光因为小盖板结构的不合理引起的光线发散，导致激光定位仪不能收到反馈信号影响基座定位的缺陷。种新型小盖板结构在激光对接部位的厚度更薄，减弱了对硅外延反应时气体的吸力，其表面发生淀积的能力极大地降低。
一种石英小孔盖板组件

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