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[发明专利]一种基于STA与SPICE模型仿真筛选瓶颈单元的方法-CN202011474137.2有效
发明人：江荣贵;董森华;郭超;陈彬;都长鑫 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：一种基于STA与SPICE模型仿真筛选瓶颈单元的方法，包括以下步骤：设置经验参数，筛选时序违例的时序路径；分别统计时序违例和非违例的时序路径包含的单元并进行关联；制定瓶颈单元的筛选策略，筛选瓶颈特征单元运算得到瓶颈单元数据集并区分主次；根据时序路径与单元的关联关系检查时序违例的时序路径是否完全覆盖，将未覆盖到的时序违例时序路径构建新的数据集来执行迭代；通过迭代得到最终瓶颈单元数据集进行时序修复。本发明的基于STA与SPICE模型仿真筛选瓶颈单元的方法，能够综合考虑Path与Cell的逻辑结构与物理特性，快速筛选出瓶颈Cell加快时序违例Path的时序修复工作以及整个IC设计的时序验收工程。
一种基于 sta spice 模型仿真筛选瓶颈单元方法

[发明专利]一种筛选带老化效应关键时序路径集的方法-CN202210601606.5在审
发明人：江荣贵;陈彬;郭超;雍晓;余涵 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F30/3315 文献下载
摘要：本发明提供一种筛选带老化效应关键时序路径集的方法，包括：利用STA和SPICE单元时序特征库查找表，获取带老化效应的时序特征数据；利用计分排序机制对所述带老化效应的时序特征数据排序，得到带老化效应的时序特征数据的计分排序顺位；基于所述带老化效应的时序特征数据的计分排序顺位，兼顾时序路径的时序松弛量和时序退化量进行关键路径筛选，获取关键时序路径集合。本发明的筛选带老化效应关键时序路径集的方法，在数据筛选过程中无需复杂计算，可快速收敛得到可靠唯一的关键时序路径集合。
一种筛选老化效应关键时序路径方法

[发明专利]一种OLED模型参数提取的方法-CN201911290633.X有效
发明人：张万鑫;杨思琪;李翡;刘伟平 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：一种OLED模型参数提取方法，包括以下步骤：1）建立参数提取模型；2）确认参数类型和初始值；3）建立反映测量值和仿真值差值的误差函数；4）采用L‑M法和单纯形法进行优化求解。本发明的OLED模型参数提取方法，能够减轻人工调参的工作量和时间，提高了效率。
一种 oled 模型参数提取方法

[发明专利]一种自动画环的方法-CN201911212005.X有效
发明人：高冕风;束涛;牛欢欢;朱能勇;郭春晖 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06T11/20 文献下载
摘要：一种自动画环的方法，包括以下步骤：1）获取环的中心位置、中心位置到环四方向内径的距离；2）获取环的四个方向的初始长度、初始宽度、补充长度和补充宽度；3）根据环的方向的不同组合，设置各方向环的长度和宽度；4）根据设置的参数画环。本发明自动画环的方法，能够自动的构画出相应的环，以实现快速有效的构画MOS和DNW类器件版图，缩短项目周期，加快项目进度，从而可以提高工作效率。
一种动画方法

[发明专利]图形筛选方法及装置、服务器和存储介质-CN202011502781.6有效
发明人：李翡;高云锋 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本公开涉及微电子器件建模领域，提供了一种用于器件建模工具的图形筛选方法及装置、服务器和存储介质，首先获取包括有数条预先配置的图形筛选规则的图形筛选规则集合；其次根据前述的图形筛选规则集合中的一条图形筛选规则，从原始图形集合中筛选出目标图形集合；最后根据预先配置的图形排序规则将前述目标图形集合进行分组排序。由此可通过不同的筛选语句遍历原始图形集合的树形结构节点，进行包含有原始图形存储名称的关键词查询，快速准确地选取所要调用的目标图形集合，并根据预设有目标图形参数阈值的判断语句和排序语句对目标图形集合进行分组排序，以此有效提高器件建模中图形数据分析的效率和准确性。
图形筛选方法装置服务器存储介质

[发明专利]一种OLED的Verilog-A仿真模型的实现方法-CN201911263604.4有效
发明人：宫雷雨;张万鑫;李翡;刘伟平 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种OLED的Verilog‑A仿真模型的实现方法，包括以下步骤：1）获取器件的电流‑电压和电容‑电压数据；2）根据所述数据建立曲线拟合多项式；3）建立Verilog‑A表达式，得到仿真OLED模型；4）分别进行电流‑电压和电容‑电压的曲线拟合；5）进行模型验证。本发明的OLED的Verilog‑A仿真模型的实现方法，能够有效地提高OLED的仿真精度和仿真效率。
一种 oled verilog 仿真模型实现方法

[发明专利]一种MOSFET BISM4模型参数提取方法-CN201911317725.2有效
发明人：傅飞;刘伟平 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种MOSFET BISM4模型参数提取方法，包括以下步骤：1）设计测试单元结构和去嵌结构；2）测量所述测试单元结构和所述去嵌结构的电容‑电压特性曲线；3）将测量数据导入参数提取工具，提取沟道宽度方向电容补偿系数。本发明的MOSFET BISM4模型参数提取方法，能够精确提取沟道宽度方向电容补偿系数，提高电路电容‑电压仿真准确性。
一种 mosfet bism4 模型参数提取方法

[发明专利]加速提取电阻的方法、电子设备及计算机可读存储介质-CN202011474273.1有效
发明人：莫文韬;谢林君;李相启;陆涛涛;刘伟平 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种加速提取电阻的方法，包括以下步骤：将版图图形转化为图像矩阵；对图像矩阵进行计算，分割出阵列区域图形；对图像矩阵进行识别，对分割后的版图图形进行分组；计算每一组电阻，获得版图图形的电阻。本发明的加速提取电阻的方法，可以自动的对图形进行分割，将大量的阵列图形的电阻计算简化为几组图形的电阻计算，从而大大缩减电阻提取的时间。同时因为阵列图形的相似性，也可以保证电阻提取的精度不受太大影响，确保电阻提取的正确性。
加速提取电阻方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种电阻模型建模方法-CN202010979935.4有效
发明人：傅飞 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种电阻模型建模方法，包括以下步骤：1）根据图形设计规则，设计矩阵式电阻测试件，相邻四个电阻尺寸形成电阻箱模型；2）测量所述矩阵式电阻测试件的电流电压特性曲线；3）根据测量结果，提取每个尺寸电阻的模型参数；4）根据所述电阻模型参数计算每个电阻箱模型的模型参数；5）对所述电阻箱模型的模型参数进行合成；6）基于高低温数据，提取温度系数。本发明的电阻模型建模方法，能够提高模型精度，同时节省建模时间。
一种电阻模型建模方法

[发明专利]一种三维NAND存储器单元的建模方法及装置-CN201911211728.8有效
发明人：袁明红 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种三维NAND存储器单元的建模方法，包括以下步骤：遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。本发明提供的一种三维NAND存储器单元的建模方法，得到实际存储器单元器件特性精确的仿真出存储器单元的器件特性，并建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系。
一种三维 nand 存储器单元建模方法装置

[发明专利]一种MOM电容值的实现方法-CN201911290653.7有效
发明人：牛欢欢;朱能勇;束涛;李萍;郭春晖;刘伟平 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：一种MOM电容值的实现方法，包括以下步骤：1）定义语法格式转换函数；2）获取Spice Model中的定义信息；3）定义电容值相关参数为所述转换函数接口；4）根据所述转换函数接口生成所述电容值的计算函数。本发明的一种MOM电容值的实现方法，能够满足前端模拟设计工程师在选择MOM PCell参数后，PCell显示的电容值参数更接近实际仿真的电容值参数。
一种 mom 电容实现方法

[发明专利]一种OLED子电路模型-CN201911290839.2有效
发明人：杨思琪;宫雷雨;李翡;刘伟平 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种OLED子电路模型，包括：表征电流‑电压特性的电流‑电压模块和表征电容‑电压特性的电容‑电压模块；所述电流‑电压模块，包括，第一二极管、第一电流电阻、第二电流电阻、第一电压源；所述电容‑电压模块，包括，第二二极管、电容电阻、第二电压源、电容。本发明的OLED子电路模型，能够提供仿真精度高，兼顾静态及动态电学性能的模型。
一种 oled 电路模型

[发明专利]一种TFT模型参数的提取方法-CN201811600148.3有效
发明人：林世佳;樊晓斌;朱能勇;黄琬琰;朱艳 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：一种TFT模型参数的提取方法，包括：接收并处理测量数据，生成提取电路；选择TFT模型种类，将输入的电流数据划分为多个电流区域，并得到各电流区域的电流区域模型方程；预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案；基于所述电流区域模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值；进行模型的参数优化，计算误差数据和所述模型结果之间的关系；进行错误检查。本发明的TFT模型参数的提取方法，可以准确有效地对平板设计进行电路仿真，并验证其设计。
一种 tft 模型参数提取方法

[发明专利]一种大规模复杂版图电阻提取加速方法-CN202011447712.X有效
发明人：童振霄;刘伟平;李相启;陆涛涛 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种大规模复杂版图电阻提取加速方法，包括以下步骤：将复杂图形切分为多个简单子图形；将所述简单子图形数据存入快速图形查询数据结构；匹配所有所述简单子图形关联的复杂图形与对应端口图形；计算所有端口到端口的寄生电阻。本发明的大规模复杂版图电阻提取加速方法，可以将一个复杂图形切分为多个简单子图形，每个端口图形（或阻挡图形）可以快速查询到有连接关系的子图形，与简单子图形做图形几何运算效率很高，可以快速找到端口图形与电阻图形的匹配关系，大大缩短了电阻提取时间，提高了效率，也保证了端口与电阻图形的匹配正确性，确保了端口到端口寄生电阻提取准确性。
一种大规模复杂版图电阻提取加速方法

[发明专利]场效应晶体管的仿真模型的建立系统及其建立方法-CN202110429245.6有效
发明人：傅飞;朱能勇 -专利权人： 南京华大九天科技有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：公开了一种场效应晶体管的仿真模型的建立系统及其建立方法，该场效应晶体管的仿真模型包括：场效应晶体管模型，包括场效应晶体管的栅极、源极、漏极和体电极四个连接端；第一二极管模型，包括第一二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和漏极之间；第二二极管模型，包括第二二极管，连接在场效应晶体管模型的体电极和源极之间，第一二极管模型和第二二极管模型通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性。该场效应晶体管的仿真模型通过击穿电压参数和温度参数来表征场效应晶体管的漏电特性和电容电压特性，使得模型能更好地反映器件特性，解决收敛性问题并保证仿真准确性。
场效应晶体管仿真模型建立系统及其方法

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