专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果14个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种实现量子操作的装置及量子计算装置-CN202310847711.1有效
  • 蔡明磊;连文倩 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-10-27 - G06N10/40
  • 本文公开一种实现量子操作的装置及量子计算装置,包括:第一支路、第二支路和操作单元;其中,第一支路设置为:将入射的第一激光进行第一频率调整,获得包含第一预设数量个频率成分的第三激光;第二支路设置为:将入射的第二激光进行第二频率调整,并输出第二预设数量束寻址激光;操作单元设置为:向第一支路和第二支路输出控制信号,以操作第三激光和寻址激光照射第二预设数量个目标离子比特;其中,第三激光为全局激光,第二预设数量束寻址激光中的两束以上频率不同。本发明实施例实现了可扩展且易于实现的量子比特寻址操作。
  • 一种实现量子操作装置计算
  • [发明专利]一种实现伊辛模型的方法及装置-CN202310578744.0有效
  • 杨蒿翔;连文倩;赵文定 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-05-22 - 2023-10-13 - G06N10/20
  • 本文公开一种实现伊辛模型的方法及装置,包括:在离子阱系统中,将N组寻址的电磁场分别照射N个离子量子比特中的每一个离子量子比特,以利用每组电磁场形成的N个拍频成分非共振地耦合集体振动模式;调节每个离子量子比特上N个拍频成分的强度,以进行耦合系数的调整;其中,N个拍频成分中的至少两个拍频成分的拍频频率位于集体振动模式频谱范围之外;拍频频率位于集体振动模式频谱范围之外包括:拍频频率本身位于集体振动模式频谱范围之外;或,拍频频率扣除量子比特频率之后的部分的频率位于集体振动模式频谱范围之外。本发明实施例通过离子阱系统实现了具备可扩展性的、耦合系数任意可调的伊辛模型。
  • 一种实现模型方法装置
  • [发明专利]一种离子阱及量子计算装置-CN202310693048.4有效
  • 赵文定;毛志超 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-09-05 - H01J49/42
  • 本文公开一种离子阱及量子计算装置,包括:粒子源、离子囚禁装置和一个以上挡板;其中,粒子源朝离子囚禁装置的离子囚禁区域喷射粒子束;挡板设置于粒子源和离子囚禁装置之间,包含一个以上限流孔,限流孔位于粒子源喷射粒子束的喷射路径上,用于通过预设发散角内的粒子束,以实现对喷射至离子囚禁区域的粒子束发散角和速度分布的筛选。本发明实施例在离子阱中设置挡板,通过挡板中的限流孔通过预设发散角内的粒子束,避免了离子装载过程中的电极污染。
  • 一种离子量子计算装置
  • [实用新型]一种调整架-CN202320307717.5有效
  • 赵文定;姚麟;梅全鑫;蔡明磊 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-08-15 - G02B7/00
  • 本文公开了一种调整架,调整架包括第一调整装置,所述第一调整装置包括第一安装座、第一位移调节杆和第一位移调节座;所述第一位移调节座可移动地安装于所述第一安装座;所述第一位移调节杆可转动地安装于所述第一安装座,并与所述第一位移调节座相连,所述第一位移调节杆设置为驱动所述第一位移调节座沿第一方向相对所述第一安装座移动;所述第一位移调节座用作安装构件或连接构件;所述第一位移调节座设有容纳槽。本文公开的调整架结构简单、使用灵活便捷、能实现精准调节及对光学元件的固定。
  • 一种调整
  • [发明专利]一种芯片离子阱及量子计算装置-CN202310430242.3在审
  • 赵文定;袁新星;蔡明磊 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-08-08 - H01J49/42
  • 本文公开一种芯片离子阱及量子计算装置,包括:射频(RF)电极、直流(DC)电极和孔槽;其中,一个以上RF电极的一条以上边,在距离孔槽预设距离的范围内包含一个以上内凹形状;其中,内凹形状包括:位于内凹形状两端的第一线段与和第一线段相邻的第二线段的夹角小于180度,第二线段为第一线段所在射频电极中除去内凹形状部分、与第一线段连接的线段;内凹形状两端的第二线段连接形成第三线段,内凹形状中的点均位于第三线段靠近RF电极中心的一侧。本发明实施例通过RF电极包含的内凹形状,抑制了芯片离子阱中发生电场的畸变,提升了离子阱的轴向一致性,为提高量子计算相关操作的保真度和量子计算机整体性能提供支持。
  • 一种芯片离子量子计算装置
  • [发明专利]一种芯片离子阱-CN202310692256.2在审
  • 赵文定;姚麟;杨蒿翔;连文倩 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-07-14 - G21K1/08
  • 本文公开一种芯片离子阱,包括:两个以上光子离子信息交换区和光信道;其中,光子离子信息交换区设置为:建立光子和处于光子离子信息交换区的离子纠缠态,并释放该光子;光信道连接光子离子信息交换区,收集并传输释放的光子,并对释放的光子进行联合测量,以建立处于不同光子离子信息交换区的离子的纠缠态。本发明实施例基于光子离子信息交换区和光信道,实现了可拓展的大规模通用离子量子计算机系统。
  • 一种芯片离子
  • [发明专利]一种离子阱及量子计算装置-CN202310504025.4在审
  • 毛志超;姚麟;连文倩 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-07-14 - G21K1/00
  • 本文公开一种离子阱及量子计算装置,包括:真空腔体、离子囚禁装置和粒子束发生装置;其中,粒子束发生装置设置于预设法兰接口位置,用于:沿非光学法兰接口方向喷射粒子束;其中,粒子束包括:原子束或离子束;非光学法兰接口方向包括离子阱真空腔体上预设法兰接口的法线方向;预设法兰接口包括:真空法兰接口和电学法兰接口。本发明实施例通过在预设法兰接口位置设置粒子束发生装置,使粒子束沿非光学法兰接口方向喷射,使电离激光得以垂直于粒子束入射,实现了对多普勒频移与多普勒展宽的抑制。
  • 一种离子量子计算装置
  • [实用新型]一种双通过式声光调制光路-CN202222957695.5有效
  • 赵文定;姚麟;蔡明磊;梅全鑫 - 华翊博奥(北京)量子科技有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-01-24 - G02F1/01
  • 本文公开一种双通过式声光调制光路,包括壳体、一体化底座和设置在一体化底座上以形成光路的光学元件,壳体具有容纳所有光学元件的空间,每一个光学元件分别通过相应的夹具固定在一体化底座上;形成光路的光学元件包括:光输入模块、半波片、偏振分束器、声光调制器、第一四分之一波片、透镜、反射镜和光输出模块;一个以上夹具具有限位孔,通过限位孔及安装连接件,固定在一体化底座上。一方面,本实用新型实施例通过壳体减小了外部环境对光路的扰动,提升了光路的稳定性;另一方面,通过一体化底座和夹具构建双通过式声光调制光路,进一步提升光路稳定性的同时,提高了光路集成度。
  • 一种通过声光调制

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top