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- [发明专利]一种半导体芯片高温测试箱-CN202310833877.8有效
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齐旺军;张永成;马骏;徐金宝;杨俊杰
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华羿微电子股份有限公司
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2023-07-10
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2023-09-29
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G01R31/28
- 本发明公开一种半导体芯片高温测试箱，包括高温测试箱，以及设置在高温测试箱内的升温保温组件、芯片夹持装置以及温度调控组件；升温保温组件包括第一加热轨道、第二加热轨道、导向杆以及手柄；第一加热轨道设置在高温测试箱的底板上，导向杆为多个，且竖向设置在第一加热轨道远离底板的一侧；第二加热轨道滑动套设在导向杆上，且与第一加热轨道对称设置；手柄设置在第二加热轨道远离第一加热轨道的一侧；第一加热轨道靠近第二加热轨道的一侧设置有用于放置待检测芯片的限位槽；第一加热轨道侧壁和第二加热轨道侧壁均包裹有保温层；待检测芯片的管脚漏出在升温保温组件外部。本发明的半导体芯片高温测试箱结构简单、体积较小且升温速度快。
- 一种半导体芯片高温测试
- [发明专利]一种线性功率MOSFET器件及制备方法-CN202310876681.7在审
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袁力鹏;苏毅;常虹;范玮;段双亮
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华羿微电子股份有限公司
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2023-07-18
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2023-08-29
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H01L29/06
- 本发明公开了一种线性功率MOSFET器件及制备方法，该线性功率MOSFET器件包括衬底、外延层、沟槽、栅极多晶硅层、P‑体区、P‑阱、N+源极imp1、N+源极imp2、隔离层、接触孔、接触孔金属层、正面源极金属层以及背面漏极金属层，P‑体区与沟槽平行设置且彼此隔离，P‑阱与沟槽平行或垂直设置，在有源区注入N型的N+源极imp1作为器件的源极电阻，通过N+源极imp2形成器件的源极注入，间隔性的形成掺杂不同浓度P型体区布局，实现了功率器件的Vgs和Id电流温度关系的重建，从而增强器件正向偏置安全工作区,改进了功率器件的源极结构，从而使器件更适合于在线性模式下使用，也使得器件抗冲击力足够强壮。同时，发明提供的制备方法工艺简单，能够与传统功率器件制造工艺兼容。
- 一种线性功率mosfet器件制备方法
- [发明专利]功率器件封装结构及封装方法-CN202310813704.X在审
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张涛;张毛;万强强;翁艳薇
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华羿微电子股份有限公司
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2023-07-05
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2023-08-04
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H01L23/31
- 本发明公开了一种功率器件封装结构及封装方法，该封装结构包括塑封体，塑封体中封装有至少一个芯片以及金属载体，芯片的D极与金属载体正面连接，芯片以及金属载体均被封装在塑封体内部，金属载体背面裸露在塑封体背面；芯片的S极与G极分别设置有S极导电柱与G极导电柱，S极导电柱顶面与G极导电柱顶面从塑封体正面裸露出来。该封装结构通过导体直接引出芯片G极、D极和S极，省略电极管脚、缩短芯片与外界互联距离，且电极裸露在产品外表面，有利于实现产品小型化，提高产品的散热能力和可靠性。该封装方法相比于传统封装结构的方法省去传统压焊工艺，避免由于压焊工艺引起的产品失效问题，节约成本，极大的提高生产力。
- 功率器件封装结构方法
- [发明专利]一种深阱型SiC Mosfet器件及制备方法-CN202310813702.0在审
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袁力鹏;范玮;完颜文娟
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华羿微电子股份有限公司
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2023-07-05
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2023-08-01
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H01L29/78
- 本发明公开了一种深阱型SiC Mosfet器件及制备方法，该器件包括：SiC衬底、SiC外延层、SiC外延层上设置的P+深阱、沟槽、P‑体区、N+源极、隔离钝化层，正面源极金属层、背面漏极金属层以及正面栅极金属层，N+源极与P+深阱平行设置且彼此隔离，沟槽与所述P+深阱正交设置。该深阱型SiC Mosfet器件采用沟槽和深能离子注入P+的正交方式来降低功率SiC MOSFET的导通电阻和器件耐压以及器件栅极可靠性。该制备方法采用沟槽型Mosfet结构通过在沟槽侧壁形成沟道，采用沟槽和深能离子注入P+的正交方式在器件源区部分沟槽底部形成P+深阱，通过深注入P+区域更好的保护沟槽底部的栅极氧化层，使其不受高电场的影响，进一步降低器件导通电阻同时提高器件耐压和器件栅极的可靠性。
- 一种深阱型sicmosfet器件制备方法
- [发明专利]超结MOS器件及其制造方法-CN201710826804.0有效
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袁力鹏;徐吉程;宁波
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华羿微电子股份有限公司
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2017-09-14
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2023-06-02
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H01L29/06
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种超结MOS器件及其制造方法。本发明将栅极多晶区与P‑型区进行垂直排布，当漏极加反偏电压时，P‑型区与N‑型区形成的PN结就会反偏，电荷相互补偿，形成耗尽层，只要P‑型区与N‑型区的掺杂浓度和尺寸选择合理，就可以达到使两者完全耗尽，场强被分布到整个耗尽层区域，形成均匀分布的电场，因此大大提高器件的耐压能力，由于此时漂移区掺杂浓度不受击穿电压的限制，这就可以极大的降低器件的导通电阻，而N型外延层的引入能够有效改善超结MOSFET的抗干扰能力；本发明制造工艺方法能够完全与现有超结MOSFET工艺兼容，成本低，结构新颖，具有良好的电特性、抗干扰能力和可靠性。
- mos器件及其制造方法
- [发明专利]一种用于软焊料滴锡器的送线装置-CN202310286817.9在审
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赵阳;刘旭昌;陈宏明;张金涛;黄宝军
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华羿微电子股份有限公司
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2023-03-23
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2023-04-28
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B23K3/06
- 本发明实施例提供的一种用于软焊料滴锡器的送线装置，包括第一轴，第一轴的第一端固定于滴锡器上料固定架的轴承上，第一轴的第二端用销钉连接有第二轴；销钉的销钉孔位于第一轴中，且第二轴可绕第一轴在0至90度旋转；从上料固定架至第二端的方向上，第一轴上依次套接有阻尼调节器、固定夹、第一弹簧、第一挡片、焊线轴和第二挡片，第一挡片和固定夹分别固定在第一弹簧的两端；固定夹与阻尼调节器之间存在间隙；在第一弹簧处于自然状态的情况下，第二挡片与第二端的距离小于销钉孔与第二端的距离；该送线装置在送线过程中，两边的挡片和固定夹夹紧焊线轴，使焊线不会脱出缠绕，提高了画锡质量，从而提高芯片的使用寿命。
- 一种用于焊料锡器线装
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