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[发明专利]一种超结MOSFET及其制作方法-CN202210386541.7在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法，该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面，且第二导电类型柱中设有至少一层包括第二导电类型掺杂层及位于第二导电类型掺杂层中的第一导电类型掺杂区的调控层；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；栅极结构位于第一导电类型柱的上表面；源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过于第二导电类型柱中设置至少一层调控层，提高了器件的反向恢复软度因子，缓解了器件输出电容的突变。
一种 mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法-CN202210386520.5在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法，该沟槽栅超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、沟槽栅结构、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；沟槽栅结构贯穿体区及体接触区并延伸至第二导电类型柱中；栅极结构位于第一导电类型柱的上表面；源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过于超结MOSFET的体接触区中设置沟槽栅结构，使器件的击穿点位于沟槽栅结构下方，抑制寄生三极管的开启，增加器件的雪崩耐量。
一种沟槽栅超结 mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种超结MOSFET及其制作方法-CN202210356421.2在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法，该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型并列邻接于缓冲区的上表面；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；栅极结构包括栅介质层、第一栅极及位于第一栅极两侧的第二栅极，源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过对栅极结构的设计，第一导电类型的第一栅极及至少包括第二导电类型掺杂区的第二栅极代替栅极，降低了漏源电压较低时的米勒电容，不改变漏源电压较高时的米勒电容，且器件的导通电阻不变。
一种 mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种具有P型埋层的双沟道增强型GaN HEMT器件-CN202311063697.2在审
发明人：罗小蓉;骆成涛;杨铖;魏雨夕;赵智家;薛刚;邱金朋;沈竞宇;魏杰 -专利权人：电子科技大学;华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有P型埋层的双沟道增强型GaN HEMT器件。该结构具有两层沟道2DEG，因而可显著降低器件的导通电阻，提高器件的饱和输出电流。其特征是：与源极电位短接的p‑GaN埋层对下层沟道中的2DEG有辅助耗尽作用，结合MIS栅或p‑GaN栅对栅极下方2DEG有耗尽作用，二者共同实现器件增强型；器件正向阻断时，p‑GaN埋层有利于扩展耗尽区宽度，降低了栅极边缘的电场峰值，同时p‑GaN埋层作为阻挡层减小了源、漏电极间通过缓冲层的泄漏电流，二者共同提高器件的击穿电压。
一种具有型埋层沟道增强 gan hemt 器件

[发明专利]多脉冲测试电路及多脉冲测试方法-CN202210303177.3在审
发明人：丁继;唐开锋;马荣耀;徐丹丹 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明提供一种多脉冲测试电路及多脉冲测试方法，包括：开关模块，包括串联在供电端和接地端之间的待测器件及电感；充能模块，为测试提供电能；换流模块，包括第一开关，连接于所述充能模块与所述开关模块之间，通过第一开关的通断调整电流流向；所述第一开关与所述待测器件的开关信号相互隔离且同步；当所述待测器件和所述第一开关导通时，从所述充能模块获取能量为所述电感提供能量，当所述待测器件和所述第一开关关断时，将所述电感的能量回收至所述充能模块。本发明的多脉冲测试电路及多脉冲测试方法可以实现对电力电子开关器件的多脉冲测试，测试电路结构简单、成本低廉、节能环保。
脉冲测试电路方法

[发明专利]缺陷扫描结果处理方法、装置、系统和存储介质-CN201910769377.6有效
发明人：丁涌芥;杜丽;黄盛境 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06F16/583 文献下载
摘要：本申请提供了一种缺陷扫描结果处理方法、装置、系统和存储介质，通过获取包含一或多片晶圆的缺陷信息的扫描结果文件；将所述扫描结果文件转换为文本文件，并修正所述文本文件中的所述缺陷信息。本申请能够自动实时处理，解决人工出错率问题和纸本记录的时效性及保存限制问题，同时解决纸本记录查询速度慢，过程繁琐问题，另外，能够完整记录及还原晶圆缺陷分布及缺陷大小，帮助分析特定分布或方向性缺陷问题。
缺陷扫描结果处理方法装置系统存储介质

[发明专利]一种过渡区结构-CN201710258517.4有效
发明人：马荣耀;刘春华 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种过渡区结构，适用于具有超结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，外延层设置在衬底的上方；多个第一立柱与多个第二立柱形成超结结构；复合结构包括元胞区、终端区及位于元胞区和终端区之间的过渡区；过渡区具有一第二导电类型的第一掺杂区域；元胞区设置有MOS管器件结构，MOS管器件结构设置有具有第二导电类型的第二掺杂区域，用以形成MOS管器件结构的源区或者漏区；临近过渡区的第二掺杂区域通过一设置于外延层内的电阻结构连接第一掺杂区域。本发明的有益效果：在雪崩击穿发生后，由于电阻结构的存在，来自过渡区和终端区的雪崩电流可以更快的扩散到元胞区，从而增大器件抗冲击电流的能力，增大其耐用度。
一种过渡结构

[发明专利]半导体加工设备以及FAB各区的排货方法及系统-CN201711065396.8有效
发明人：杨勇;朱进义;谭莉;舒彦森 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体加工设备及FAB各区的排货方法及系统，排货包括：获取半导体加工设备的所有可跑货物；基于第一排序规则，将可跑货物排序并选取最优级可跑货物，得到第一可跑货物，记录第一可跑货物的制程；于剩余可跑货物中选取与第一可跑货物具有相同制程的货物，得到第二可跑货物；基于第二排序规则将第二可跑货物排序并选取，第一可跑货物及选出的第二可跑货物生成第一加工批次。通过上述方案，本发明的排货方法及系统是分散式的，相对于集中式的，可以减轻系统负担；不需要额外再买大型机器来架设派工服务器，节约成本；FAB各区域派工规则可以单独进行灵活设定，便于维护修改；排货与备货系统结合，提高生产效率，改善生产周期。
半导体加工设备以及 fab 各区方法系统

[实用新型]一种光伏旁路二极管框架结构-CN202320712578.4有效
发明人：冯斌;粟笛;陈雨;李秋梅 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光伏旁路二极管框架结构，包括负极框架、正极框架和连接带，其中，负极框架上焊接有芯片；正极框架与负极框架间隔预设距离；连接带位于负极框架与正极框架之间，连接带包括相连接的第一连接部和第二连接部，第一连接部与芯片连接，第二连接部与正极框架连接，第二连接部的宽度大于芯片的宽度。本实用新型的光伏旁路二极管框架结构中，连接带包括相连接的第一连接部和第二连接部，第二连接部与正极框架连接且第二连接部的宽度大于芯片的宽度，扩大了连接带与正极框架的接触面积，利于芯片的热量通过连接带热传导至正极框架，提升器件散热能力，使芯片正负极温度接近，保证器件性能。
一种旁路二极管框架结构

[发明专利]抽样缺陷检测方法、装置、设备和系统-CN201910585181.1有效
发明人：侯杰元;杨林;黄盛境 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种抽样缺陷检测方法、装置、设备和系统，通过获取一时间段内工艺站点内多个机台所处理的晶圆组的跑货信息、及所述工艺站点的抽样缺陷检测规则；依据所述跑货信息与所述抽样缺陷检测规则，判断各所述机台所处理的所述晶圆组中未被抽样进行缺陷检测的间隔数量是否超过预设间隔值；若是，则升级被抽样进行缺陷检测的所述晶圆组的等级以优先进行缺陷检测；若否，则按正常工艺流程进行。本申请能够平衡工艺站点内各机台所跑过晶圆组被抽检的间隔时间，提高风险的及时控制。
抽样缺陷检测方法装置设备系统

[发明专利]抽样缺陷检测方法、及其设备和系统-CN201910585645.9有效
发明人：侯杰元;杨林;黄盛境 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种抽样缺陷检测方法、及其设备和系统，通过获取一时间段内一工艺站点所处理的晶圆片的跑货信息、及所述工艺站点的抽样缺陷检测规则；所述工艺站点具有一个或多个机台，各所述机台具有一个或多个腔体；依据所述跑货信息与所述抽样缺陷检测规则，判断是否存在所述机台和/或所述腔体所处理的所有所述晶圆片未被抽样到进行缺陷检测；若不存在，则按正常工艺流程进行；若存在，则将未被抽样到进行缺陷检测的所述机台和/或所述腔体所处理的所述晶圆片选择加入检测站点对应的检测队列以进行缺陷检测。本申请能够实现机台或腔体的定时抽样缺陷检测，解决某些机台或腔体长时间无晶圆片被抽检的问题，使得缺陷检测机制更加合理。
抽样缺陷检测方法及其设备系统

[发明专利]GaN基HEMT器件的制备方法-CN202111641430.8在审
发明人：向师乐 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，通过在去除图形化光阻层时，在辅制程及主制程中采用大气体流量的H2O，以实现过量的水蒸气对光阻进行软化，从而使光阻去除后剩余的聚合物、光阻残留物降低，达到减少Cl‑的效果，同时Cl‑溶于水的量也增加，还可进一步减少来自晶圆表面的Cl‑的影响；另外，在形成源、漏极金属层时，在图形化光阻层去除后再追加一次不通H2O的去除图形化光阻层中的主制程，可去除源极金属层及漏极金属层表面部分很薄的厚度，由于金属刻蚀引入了浓度较大的Cl‑，以此可有效去除金属层表面的Cl‑，再采用ACT溶剂对整个结构进行清洗，以去除剩余的光阻残留物，从而进一步降低整个结构中引入的Cl‑。
gan hemt 器件制备方法

[发明专利]背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法-CN202111591604.4在审
发明人：王黎明 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种背面漏极引出的HEMT器件及其制备方法，该器件包括：由下向上依次层叠的漏极电极、衬底、沟道层及势垒层；位于元胞区的源极、栅极及漏极；位于源极及栅极上方的源极电极及栅极电极；漏极互连金属柱，贯穿元胞区外的终端隔离区，一端与漏极电连接，另一端与漏极电极接触连接。通过漏极互连金属柱将漏极电极引到器件背面，形成源极电极及栅极电极形成在器件正面，漏极电极形成在器件背面的结构，该结构可形成芯片正反两面的散热通道，大大提高电极利用率；同时背面漏极电极的实现可以兼容已有的封装方式，更有利于HEMT器件的封装设计；再者，将漏极互连金属柱设置于元胞区外的终端隔离区不会在工艺过程中对元胞区产生损伤。
背面引出 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]GaN基器件欧姆接触的制备方法-CN202111627763.5在审
发明人：何元浩 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基器件欧姆接触的制备方法，包括：提于衬底上形成GaN基外延结构；于GaN基外延结构上形成绝缘层，并进行图形化；于绝缘层上沉积金属层；于金属层上形成光阻层，并进行图形化；采用干法刻蚀工艺去除未被光阻层遮挡的金属层，剩余金属层形成为欧姆接触金属；去除光阻层；采用低功率干法刻蚀处理金属表面，去除欧姆接触金属预设厚度，其中，采用的参数为：采用含氯气体；偏压功率介于0W～25W之间，不包括0W；源功率介于400W～750W之间；对欧姆接触金属进行退火工艺，形成欧姆接触。通过在干法刻蚀形成欧姆接触金属后对该欧姆接触金属采用低功率干法刻蚀处理金属表面，有效提高欧姆接触金属的纯度，进而在退火后提高形成的欧姆接触的电性能。
gan 器件欧姆接触制备方法

[发明专利]HEMT器件及其制备方法-CN202111681182.X在审
发明人：何雍春 -专利权人： 华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该方法包括：于HEMT器件薄膜结构表面形成与栅介质层的湿法腐蚀选择比大于10的牺牲层；在形成栅极凹槽时，先采用干法刻蚀去除第一隔离层，再采用湿法腐蚀去除牺牲层。通过在异质结材料上形成一层牺牲层，该牺牲层既能作为刻蚀源极金属及漏极金属时的牺牲层，还是防止源极金属及漏极金属退火扩散的介质层；然后，在制备栅极凹槽时，先干法刻蚀保护欧姆接触金属的第一隔离层，然后再湿法腐蚀该牺牲层，由于牺牲层与栅介质层的湿法腐蚀选择比很大，所以湿法腐蚀基本不会刻蚀栅介质层，可以很好的保护栅介质层不被刻蚀，因而在此过程中工艺窗口可以比较大，能应对一些常规变量，有利于产线上批量生产管控。
hemt 器件及其制备方法

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