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[实用新型]一种提高多晶封装LED光源取光效率的装置-CN201220180215.2有效
发明人： 千学著;田仿民;洪建芳;高旋;刘友辉;李涛 -专利权人：陕西光电科技有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高多晶封装LED光源取光效率的装置，包括多晶LED光源散热基板，所述多晶LED光源散热基板上设置有LED管芯，所述LED管芯通过固晶材料连接在多晶LED光源散热基板上，在LED管芯表面涂覆有荧光粉层和硅胶层；所述LED管芯通过正负电极金属键合线分别与正、负电极相连。在LED管芯芯片上有两层或多层折射率由高到低渐变硅胶层，其中可以任何一层都混荧光粉或者任何一层都不混荧光粉。不仅使得温度对荧光粉的影响减弱，而且减少了芯片对散射回的黄光的吸收，提高了封装器件的取光效率，芯片产生热量小。从而提高了在相同工作电流下器件的光通量和发光效率，使得器件的光衰减小，延长了器件的工作寿命。
一种提高多晶封装 led 光源效率装置

[实用新型]一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板-CN201220180054.7有效
发明人：高旋;千学著;田仿民;洪建芳;刘友辉;李涛 -专利权人：陕西光电科技有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有热辐射散热薄膜的三氧化二铝陶瓷基板，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的一侧表面为凹凸成型的结构，在该凹凸成型的陶瓷基板上附着有一层奈米散热薄膜；奈米散热薄膜是由包括氮化硼、硅、锗、硼和硒半导体材料一种或者多种按比例调配构成的成膜物质。本实用新型的陶瓷散热基板结构可将发热源所传导的热辐射散热到外部，其结构设计合理，制造容易，导热性能好，可大幅提高整体散热效率。
一种具有热辐射散热薄膜氧化陶瓷

[实用新型]一种能够阻湿的梯度式内凹槽的LED陶瓷支架-CN201220180115.X有效
发明人：高璇;千学著;田仿民;洪建芳;刘友辉;李涛 -专利权人：陕西光电科技有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够阻湿的梯度式内凹槽的LED陶瓷支架，包括LED支架碗杯，所述LED支架碗杯为梯度式碗杯，所述梯度式碗杯为沿LED支架碗杯的碗壁两侧向碗杯内延伸的呈梯度结构的内凹槽。较现有的用于LED灯珠中的支架为侧立式碗杯发光角度受限，且在使用过程中容易受到外界水汽的侵蚀，大大影响了LED灯珠的发光效率和成品良品率，本实用新型能够阻湿的梯度式LED用支架不仅增加了LED的发光面积，而且能够阻挡空气中水气对作业区的侵蚀，从而提高了LED的发光效率和成品良品率，增加了LED灯珠的寿命和稳定性。其结构设计合理，制造容易，能够满足现有大功率LED的需求。
一种能够梯度凹槽 led 陶瓷支架

[发明专利]钛酸铋纳－钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法-CN200510041601.8无效
发明人： 千学著;樊慧庆;刘来君;葛伟;柯善明;张耿 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷，含有三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡，化学计量比为(1－x)[(Na_0.5Bi_0.5)TiO₃]－xBaTiO₃－ywt％SnO₂，其中：0＜x＜0.1，0＜y＜10。本发明还公开了上述钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷的制备方法，经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂，在轧膜机上反复轧制，最终成型为方片，再将方片放入烘箱中烘干成素片，经过排胶、烧结、烧银，在放入硅油中极化，最终形成钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷。由于采用了不同掺杂元素以及不同的元素配比，有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率，使极化工艺简单易行。本发明方法可制备不同压电、介电性能的无铅压电陶瓷，可满足不同领域需求；本发明采用工业化轧膜成型，方法简单，成本低，适合批量生产。
钛酸铋纳钛酸钡压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法-CN200510041602.2无效
发明人：樊慧庆;千学著;刘来君;葛伟;柯善明;张耿 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷，含有三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、氧化铈，化学计量比为(1－x)[(Na_0.5Bi_0.5)TiO₃]－xBaTiO₃－ywt％SnO₂－zwt％CeO其中：0＜x＜0.1，0≤y＜10，0＜z＜10。本发明还公开了上述钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷的制备方法，经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂，在轧膜机上反复轧制，成型方片，再将方片放入烘箱中烘干成素片，经过排胶、烧结、烧银，再放入硅油中极化，最终形成钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷。由于采用锡、铈离子对Bi_1/2Na_1/2TiO₃－BaTiO₃进行单独和复合掺杂，有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率，提高了压电陶瓷的电学性能；本发明的电学参数为，压电常数d₃₃为80～125pC/N，平面耦合机电系数kp为0.16～0.24，品质因数Qm为47～200，厚度耦合机电系数kt为0.33～0.52，比现有技术提高很多。
钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法