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[发明专利]成像装置-CN202280018599.4在审
发明人：坂本美智子;田中洋志;大谷翔吾;小岛尚;饭岛匡;北村章太 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的成像装置包括：半导体基板，所述半导体基板具有彼此相对的第一面和第二面、多个像素以矩阵状配置在其中并且包括多个光电转换部，对于每个像素所述光电转换部通过光电转换生成与光接收量相对应的电荷；像素间分离部，其设置在彼此相邻的像素之间、将相邻的像素彼此电气和光学分离并且具有第一折射率；和像素内分离部，其设置在每个像素内的彼此相邻的光电转换部之间、将相邻的光电转换部电气分离并且具有第二折射率，第二折射率与所述半导体基板的折射率之差小于第一折射率与所述半导体基板的折射率之差。
成像装置

[发明专利]半导体集成电路装置-CN00104057.X无效
发明人： 北村章太 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2000-03-16 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种具有在除去了槽隔离的部分上形成的布线层的半导体集成电路装置。该装置具有p型硅衬底在该p型硅衬底上形成并在该衬底上划分第1、第2半导体区域的浅槽隔离;在该浅槽隔离上形成的凹部和在该凹部内形成的导电层。然后,用该导电层使在第1器件区域内形成的n型源极/漏区域连接到在第2器件区域内形成的n型源极/漏区域上。
半导体集成电路装置