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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN202211005772.5在审
发明人：田岛光;北村政幸;尾本诚一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将由钼(Mo)形成的多个导电层相互分开积层于第1方向；柱状构造，包含在所述积层体内在所述第1方向延伸的半导体层；分隔构造，在所述积层体内在所述第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸，将所述积层体在与所述第1及第2方向交叉的第3方向分断；及多个中间层，分别包含设置于所述柱状构造与对应的所述导电层之间的部分，由钼(Mo)及硼(B)的化合物形成。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置、及半导体装置的制造方法-CN202111458618.9在审
发明人：有贺智崇;北村政幸;丰田启 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置、及半导体装置的制造方法。半导体装置具备积层体及形成在积层体的存储器孔内的存储器柱。存储器柱具有依次积层着半导体部(61b)、隧道绝缘膜(62a)、及电荷储存层(62b)的构造。在电荷储存层(62b)与导电体层(52)之间设置有阻挡绝缘膜(53)。导电体层(52)包含钼。阻挡绝缘膜(53)具有氧化硅膜(53a)及氧化铝膜(53b)。在从导电体层(52)到氧化铝膜(53b)为止的区域，包含抑制OH扩散的氯。相比于导电体层(52)中的第1部分的杂质的浓度，导电体层中比第1部分更接近氧化铝膜(53b)的第2部分的氯的浓度更高。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202110836682.X在审
发明人： 北村政幸;广桥拓也;木下繁;丰田启 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备层叠体，所述层叠体包括：交替地层叠的绝缘层和包含钼的导电层；氧化铝层，其设置在所述绝缘层与所述导电层之间；以及保护层，其与所述氧化铝层相接，包含与所述氧化铝层中的铝进行了结合的碳、氮和硫中的任一种，与所述导电层相接。所述层叠体具有设置在所述绝缘层和所述导电层内的绝缘体，所述绝缘体与所述绝缘层的一部分、所述氧化铝层的一部分、所述保护层的一部分以及所述导电层的一部分相接。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202011478647.7在审
发明人： 北村政幸;加藤敦史;松田浩亮 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备配线，所述配线包含第1层和设置在所述第1层上且含有铜的第2层。所述装置还具备插塞，所述插塞设置在所述配线上，且包含含有钛及氮的第3层和设置在所述第3层上且含有钨的第4层。进而，所述第3层内的氯浓度为5.0×1021atoms/cm3以下，所述第3层与所述第4层的界面的氧浓度为5.0×1021atoms/cm3以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置、其制造方法及半导体存储装置-CN202010116085.5在审
发明人： 北村政幸 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能提高氧化膜与导电膜的密接性且降低导电膜的电阻的半导体装置、其制造方法及半导体存储装置。实施方式的半导体装置的制造方法是在半导体基板上形成含有第1元素的氧化膜，并使用含有金属元素的材料气体、还原所述金属元素的还原气体及将所述材料气体导至所述基板的载气在所述氧化膜上形成导电膜；该半导体装置的制造方法中，所述材料气体、所述还原气体及所述载气中的至少一种气体包含氧元素，且形成所述导电膜时的所述基板的温度高于所述金属元素的氧化物的升华温度。
半导体装置制造方法存储

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010757358.4在审
发明人：饭岛纯;田上政由;北村政幸;若月启 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制布线与插塞的反应的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第一基板；以及设于所述第一基板上的逻辑电路。所述装置还具备：多条布线，设于所述逻辑电路的上方，沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的第二方向上相互隔开间隔而设置，并含有铜；以及第一绝缘膜，设于所述逻辑电路的上方且所述多条布线下。所述装置还具备：插塞，设于所述第一绝缘膜内，沿与所述第一及第二方向交叉的第三方向延伸，含有钨，并与作为所述多条布线中的一条布线的第一布线电连接；以及第二绝缘膜，设于所述第一绝缘膜与所述插塞之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010768213.4在审
发明人：别府贵幸;北村政幸;丰田启;名取克晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备相互邻接的多个绝缘膜。导电膜设置在多个绝缘膜之间。导电膜使用钼构成，该钼具有与该导电膜的上表面到下表面的距离大致相同大小的粒径。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN201910665554.6在审
发明人：名取克晃;丰田启;北村政幸;別府贵幸 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而，所述方法包括：将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而，所述方法包括：在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后，将含有氯的第2气体供给到所述收容部内，而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。
半导体制造装置方法

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