专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高精度大驱动电流的带隙基准电压源-CN201810978437.0有效
  • 白涛;李秋利;简云飞;张猛娇 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-08-27 - 2023-10-27 - G05F1/575
  • 本发明公开了高精度大驱动电流的带隙基准电压源,包括正温度系数电流产生电路、零温度系数电压缓冲电路和带隙电压基准源输出级;正温度系数电流产生电路产生与绝对温度成正比的电流;零温度系数电压缓冲电路对正温度系数电流产生电路的电流驱动能力进行促进并输出电压;带隙电压基准源输出级检测作为带隙电压基准源输出级的输出电压相对零温度系数电压缓冲电路的输出电压的变化电压差,并把电压差放大,通过被放大的电压差反向抑制带隙电压基准源输出级的输出电压的变化。本发明的带隙基准电压源无需运放来实现高精度的钳位电压,同时能够克服传统电流镜的沟道调制效应;电路结构简单,且具有较大的驱动能力和快速的负载瞬态响应。
  • 一种高精度驱动电流基准电压
  • [发明专利]一种掉电报警电路-CN201811167076.8有效
  • 卢灿;李超;刘艳;赵路旭;仇晨光;周曦 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-10-08 - 2023-08-15 - G01R19/145
  • 本发明公开了一种掉电报警电路,包括由第一继电器和第二继电器控制的第一报警电路和第二报警电路;第一继电器和第二继电器的吸合或断开由结构相同的两路开关电路分别对应控制;开关电路包括两个三极管,其中一个三极管的栅极与控制信号连接,集电极与另一三极管的栅极连接,另一三极管的集电极经该开关电路所控制的继电器与电源连接,两个三极管的发射极接地。本发明在实现掉电报警控制的基础上还实现了报警电路自身存在且可能发生的多种故障的报警。
  • 一种掉电报警电路
  • [发明专利]宽电压开关控制型恒电阻加热控制电路-CN201811167770.X有效
  • 卢灿;高慧;刘艳;傅旭东;周曦 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-10-08 - 2023-08-15 - G05D23/30
  • 本发明涉及一种宽电压开关控制型恒电阻加热控制电路,宽电压开关控制电路的输出电压输入到惠斯通电桥电路中;同时,由取样电阻对宽电压开关控制电路的输出电压取样得到取样电压;惠斯通电桥电路中包括由加热器电阻在内的四个电阻形成四个桥臂的电桥;电桥输出加热器电压和定值电压;定值电压、加热器电压输入至积分放大器电路运算放大;取样电压、基准源电路输出电压、积分放大器电路的输出信号经加减法电路运算放大后反馈至宽电压开关控制电路中的开关控制器控制端。本专利采用宽电压开关式电路,MOS管工作在开关状态,降低损耗,应用脉宽调制驱动信号的占空比来调节输出电压相对稳定,保障电压宽范围输入。
  • 电压开关控制电阻加热控制电路
  • [发明专利]一种基于UVM的数字引信定时电路验证平台-CN201811228196.4有效
  • 卓越;汪健;王镇;张磊 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-10-22 - 2023-06-27 - G06F30/33
  • 本发明公开了一种基于UVM的数字引信定时电路验证平台,用于对待测模块DUT即数字引信定时电路进行验证,包括串行输入模块com_agent_i、开始模块start_agent、输入输出模块IOT_agent、串行输出模块com_agent_o、对比模型模块DUT_mdl、比较模块DUT_scb、时序模块DUT_vsqr。本发明提出UVM通用验证方法学针对数字引线电路验证平台的定制化验证整体架构和定制化的验证模块设计,结合UVM通用验证方法学中功能模块化的优点,此验证平台可以通过对部分模块的简单修改重复用于不同的数字引信定时电路验证平台设计,解决了传统数字引线定时电路验证平台中模块化的难题。
  • 一种基于uvm数字引信定时电路验证平台
  • [发明专利]一种显示互连线寄生电阻的方法-CN201810894410.3有效
  • 吕江萍;陈远金;汪健;刘彬 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-08-08 - 2023-03-14 - G06F30/34
  • 本发明公开了一种显示互连线寄生电阻的方法,在版图中选择一个与电路线网节点相互映射的金属层次连线节点,虚线高亮显示该节点的所有连线,根据连线类型对所有连线进行分类,根据不同的连线类型提取形成线网的连线属性参数,根据连线属性参数计算寄生电阻阻值并显示。本发明的方法,通过在芯片版图选择一个金属层次的连线,对应到相应的电路线网节点,点亮该节点的所有连线,并显示所有连线的属性,包括层次、线的长度、线的宽度、线的方块电阻值,按连线类型分成单段连线和多段连线,分别计算电阻,并在版图上显示电阻值,可快速对一些输入输出的数据总线端口或多通道的端口连线寄生情况的一致性进行检查,具有可视化检查,方便编辑操作。
  • 一种显示互连寄生电阻方法
  • [发明专利]一种变阻尼MEMS陀螺敏感结构测试装置-CN201810940691.1有效
  • 郑宇;方岚;何凯旋;李苏苏 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-08-17 - 2022-09-13 - G01C25/00
  • 本发明公开一种变阻尼MEMS陀螺敏感结构测试装置,包括真空腔体,真空腔体内设有MCU模块、信号源、信号采集卡、探针台与探针卡;探针台用于承载待测试的MEMS陀螺敏感结构;探针台底部设有加热冷却台;真空腔体外设有显微镜、探针台控制器、上位机、抽真空机、制冷机与加热冷却控制器;上位机控制抽真空机对真空腔体抽真空,改变真空腔体的真空度;上位机通过加热冷却控制器控制加热冷却台,对探针台加热或冷却;使待测试的MEMS陀螺敏感结构同时处于变阻尼与变温的环境下,对MEMS陀螺敏感结构进行驱动频率、敏感频率、谐振频率、Q值等参数的测试,根据测试结果研究空气阻尼和热应力两个方面对MEMS陀螺敏感结构的影响。
  • 一种阻尼mems陀螺敏感结构测试装置
  • [发明专利]PMOS管驱动电路-CN201810919143.0有效
  • 李有池;姜峰;杨宝平;侯育增;朱凤仁 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-08-13 - 2022-07-05 - H03K17/687
  • 本发明公开了一种PMOS管驱动电路,包括三极管开关、第一控制电路、第二控制电路和PMOS管;所述三极管开关的输入端接收控制信号,输出端与所述第一控制电路和所述第二控制电路的一个输入端连接;所述第一控制电路和所述第二控制电路的输出端与所述PMOS管的输入端连接,另一个输入端与电源电压连接;所述第一控制电路构成为在所述电源电压为低电压的情况下,使施加在所述PMOS管上的电压基本等于所述电源电压;所述第二控制电路构成为在所述电源电压为高电压的情况下,使施加在所述PMOS管上的电压保持稳定值。本发明的PMOS管驱动电路能够适应电源电压高、低的大范围变化,具有超宽的电源电压范围。
  • pmos驱动电路
  • [发明专利]基于SOI的双电极微柱形谐振陀螺仪的制备方法-CN201811118338.1有效
  • 王新龙;喻磊;庄须叶;郭立建;张胜兵;宋东方 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-09-20 - 2022-02-01 - G01C19/56
  • 本发明公开基于SOI的双电极微柱形谐振陀螺仪的制备方法,包括以下步骤:取第一SOI硅片,采用深槽刻蚀工艺在第一SOI硅片刻蚀形成圆柱腔;在圆柱腔底部刻蚀锚点;采用LPCVD工艺在氧化硅层表面制备多晶硅层;保留在圆柱腔内的氧化硅层与多晶硅层分别形成牺牲层与谐振子;采用光刻与深槽刻蚀工艺在第一SOI硅片上制备外电极;谐振子结构释放,释放后的谐振子通过锚点连接在衬底上;取第二SOI硅片,制备内电极、引线与PAD,使第二SOI硅片构成盖帽;将盖帽通过玻璃浆料与第一SOI硅片键合封装,得到双电极微柱形谐振陀螺仪;本发明相对于传统机械加工方法,实现柱形陀螺的微型化,整个结构用两层SOI硅片实现气密性封装,利用SOI埋氧层绝缘,简化内外双电极制作工艺。
  • 基于soi极微谐振陀螺仪制备方法
  • [发明专利]一种硅片腐蚀装置-CN201811167918.X有效
  • 庄须叶 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-10-08 - 2021-02-19 - G01N17/00
  • 本发明提供一种硅片腐蚀装置,其特征在于:它包括水浴箱(1),在水浴箱(1)内设有一对壁板(5),在一对壁板(5)之间跨接有腐蚀槽(2),在腐蚀槽(2)内设有腐蚀液(3),设置硅片腐蚀架(4),硅片腐蚀架包括浸入腐蚀液(3)的下板(4a)和跨设在腐蚀槽(2)上方的上板(4b),在上、下板之间设有一组拉杆(4c),在下板(4a)上设有一组硅片支撑座(4d),在上板(4b)上均布有一组升降装置(4e)。本发明结构简单、使用方便、能确保硅片在腐蚀液中始终保持水平状态。
  • 一种硅片腐蚀装置
  • [发明专利]一种雪崩二极管高频调谐装置-CN201811167923.0有效
  • 方岚;徐春叶;郑宇;李苏苏;张静 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-10-08 - 2021-01-05 - G01R31/26
  • 本发明设计一种雪崩二极管高频调谐装置,其特征在于:荡模块(2)中位于短路活塞组件(16)的有一侧设有连接座(17),连接座(17)端部螺纹连接一个旋钮19;短路活塞组件中的条形杆(A2)及柱形杆(A3)上套接有阻滞弹簧(18),使条形杆(A2)及柱形杆(A3)可以在连接座(17)中的腔体中滑动配合,柱形杆(A3)端部与旋钮(19)端部接触配合。由于本发明中的短路活塞采用了螺纹旋进的传动模式,通过等距精密螺纹设计使得活塞位置调节具有连贯性与稳定性,进而保证雪崩二极管高频性能测试过程中电抗匹配的可靠性,最终得到准确的测试结果。
  • 一种雪崩二极管高频调谐装置
  • [发明专利]一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法-CN201811099655.3有效
  • 张海峰;陈计学;高博;朱小燕 - 北方电子研究院安徽有限公司
  • 2018-09-20 - 2021-01-05 - H01L31/18
  • 本发明一种EMCCD器件多层多晶硅栅结构制作方法,它包括设置基板(1),在基板(1)上生成二氧化硅膜层(2),在二氧化硅膜层(2)上生成氮化硅膜层(3),在氮化硅膜层(3)上生成有第一多晶硅栅(4)、第二多晶硅栅(6)、第三多晶硅栅(8)、第四多晶硅栅(10),且在第一多晶硅栅(4)、第二多晶硅栅(6)、第三多晶硅栅(8)、第四多晶硅栅(10)上均设有氧化介质层。本发明提高了多晶硅对氮化硅的选择比,且在刻蚀的过程中,减少了氮化硅膜层的损失,最大程度保证了不同多晶硅下方氮化硅层厚度的一致性,改善了EMCCD器件的电学参数,减少了多晶硅栅的线条损失,制作出结构完整的多层多晶硅栅结构。
  • 一种emccd器件多层多晶结构制作方法

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