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[发明专利]一种雪崩光电探测器的制备方法-CN202111159341.X有效
发明人：杨志茂;王斌 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器的制备方法，在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAsyP1‑y带宽渐变层、n型InP电荷控制层、本征InP倍增层和p型InP盖层；然后腐蚀盖层和部分倍增层，腐蚀后剩余的盖层区域形成中央集电区和环绕中央集电区的电场保护环，然后在被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层；然后淀积SiO2层，并刻蚀掉部分区域的SiO2使得在InP隔离层之上形成一圈环形的SiO2隔离层；之后淀积光学减反膜并在中央集电区上方的光学减反膜上开出一个金属接触窗口；然后构建上电极，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触；最后在InP衬底背面制备背电极。
一种雪崩光电探测器制备方法

[实用新型]一种单载流子探测器结构-CN202222306560.2有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;唐金泽 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单载流子探测器结构，本实用新型采用半绝缘的InP衬底，且p型扩散区域在台阶区域内，既可以实现电学绝缘，又可以最大限度的减小探测器的电容，从而提高探测器的开关速度和带宽；台阶区域的直径大于p型扩散区域的直径，因此，台阶区域的侧面设置是半绝缘的高阻材料(BCB或PBO材料)，可以进一步降低暗电流。
一种载流子探测器结构

[发明专利]一种单载流子输运的平衡探测器及其制备方法-CN202211219209.8有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;李秉坤 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单载流子输运的平衡探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，本发明的探测器的吸收层最终为P型In0.53Ga0.47As吸收层，空穴在光吸收层中为多数载流子，光生空穴的产生速度为其介质弛豫速度，在飞秒量级，可以忽略。光生电子在P型In0.53Ga0.47As吸收层中通过扩散和漂移运动至n型InP漂移层。在本发明的探测器中，只有电子一种载流子控制实际的输运速度。相比于传统的PIN型平衡探测器，本发明的平衡探测器不受制于速度较慢的空穴，因此，其响应速度大幅度提高。
一种载流子输运平衡探测器及其制备方法

[发明专利]一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法-CN202211022239.X在审
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;陈新荣 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs焦平面红外探测器的制备方法，其光吸收层为In0.53Ga0.47As吸收层，空穴在光吸收层中为多数载流子，光生空穴的产生速度为其介质弛豫速度，在飞秒量级，可以忽略。光生电子在In0.53Ga0.47As吸收层中通过扩散和漂移运动至N型InP漂移层；同时在本发明的探测器，只有电子一种载流子控制实际的输运速度，相比于传统的PIN型InP焦平面探测器，本发明的探测器不受制于速度较慢的空穴，因此，其响应速度大幅度提高。在In0.53Ga0.47As吸收层的Zn扩散掺杂浓度从上往下逐步降低，因此其能带从上往下逐步降低，这将辅助电子的扩散，提高扩散速度。
一种 ingaas 平面红外探测器制备方法

[发明专利]一种雪崩光电探测器的制备方法-CN202211146889.5有效
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;陈新荣 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器的制备方法，本发明的探测器的本征型In0.53Ga0.47As吸收层在Zn扩散后转化为P型，通过优化掺杂浓度，吸收区在工作电压下未耗尽。因此，空间电荷区只在吸收层/电场控制层的界面很窄的区域，而传统的雪崩光电二极管的整个吸收层在工作电压下全部耗尽，其空间电荷区占据了整个吸收层。因此，本发明的雪崩光电探测器的空间电荷区远远小于传统的APD（雪崩光电二极管）的空间电荷区，从而其产生‑复合电流大大降低，探测器的整体暗电流得到了很大的减小。
一种雪崩光电探测器制备方法

[发明专利]一种单载流子探测器的制备方法-CN202211049762.1在审
发明人：弭伟;杨志茂;王斌;唐金泽 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单载流子探测器的制备方法，本发明通过优化Zn扩散的时间和浓度，使单载流子探测器有源区域的扩散深度覆盖整个本征型In0.53Ga0.47As吸收层，可以保证本征型In0.53Ga0.47As吸收层在该探测器的中心区域有合适的p‑型掺杂，本征型In0.53Ga0.47As吸收层自上而下Zn掺杂的浓度逐渐降低，该掺杂梯度将在本征型In0.53Ga0.47As吸收层中形成弱电场，这将有助于电子在本征型In0.53Ga0.47As吸收层中的输运，提高探测器的速度。
一种载流子探测器制备方法

[实用新型]一种雪崩光电探测器-CN202122405062.9有效
发明人：杨志茂;王斌 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种雪崩光电探测器，其包括自下而上依次设置的背电极、n型InP衬底、n型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAsyP1‑y带宽渐变层、n型InP电荷控制层和本征InP倍增层，在本征InP倍增层之上设置有p型InP中央集电区、p型InP电场保护环以及InP隔离层，电场保护环环绕在中央集电区外围，InP隔离层填充在电场保护环和中央集电区之间的间隔区域以及电场保护环外围的区域；在中央集电区、电场保护环以及InP隔离层之上设置有带金属接触窗口的光学减反膜，在光学减反膜之上设置有带光学入射窗口的上电极，上电极透过光学减反膜上的金属接触窗口与中央集电区接触。本实用新型可以提高了探测器的响应速度、降低探测器边缘被击穿的概率、减小边缘的隧穿暗电流。
一种雪崩光电探测器

[实用新型]一种InAlAs雪崩光电探测器结构-CN202122496454.0有效
发明人：杨志茂;王斌 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种InAlAs雪崩光电探测器结构，其包括自下而上依次设置的背电极、p型InP衬底、p型InP缓冲层、吸收层、带宽渐变层、p型电荷控制层、倍增层和腐蚀截止层；腐蚀截止层的上层设置有n型InP中央集电区、n型InP电场保护环、以及InP阻隔层，在n型InP中央集电区、n型InP电场保护环以及InP阻隔层上表面镀有带金属接触窗口的光学减反膜，所述金属接触窗口为环形，位于n型InP中央集电区的上表面；在光学减反膜之上设置有带光学入射窗口的上电极，上电极透过光学减反膜上的金属接触窗口与所述n型InP中央集电区接触；上电极上的光学入射窗口位于n型InP中央集电区上表面的光学减反膜的上方。
一种 inalas 雪崩光电探测器结构

[发明专利]一种雪崩光电探测器的制备方法-CN202111207165.2在审
发明人：杨志茂;王斌 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器的制备方法，首先在p型InP衬底上依次生长p型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、In1‑x‑yAlxGayAs带宽渐变层、p型In0.52Al0.48As电荷控制层、In0.52Al0.48As倍增层、InxGa1‑xAsyP1‑y腐蚀截止层和p型InP盖层；之后腐蚀p型InP盖层，被腐蚀的区域包括一中央区域和环绕该中央区域的一个或多个环形区域；之后在被腐蚀区域二次外延n型InP，形成n型InP中央集电区以及n型InP电场保护环；然后淀积SiO2层，并刻蚀掉部分区域的SiO2形成一圈环形的SiO2隔离层；之后淀积光学减反膜并在中央集电区上方的光学减反膜上开出一个金属接触窗口；然后构建上电极，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触；最后在InP衬底背面制备背电极。
一种雪崩光电探测器制备方法

[发明专利]一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法-CN202111203804.8在审
发明人：杨志茂;王斌 -专利权人： 北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，在衬底上依次生长缓冲层、吸收层、带宽渐变层、电荷控制层、倍增层、腐蚀截止层和盖层；然后腐蚀盖层，形成中央集电区和环绕中央集电区的电场保护环，腐蚀停止在腐蚀截止层的上表面；然后在被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层，然后在电场保护环外围的InP阻隔层之上形成一圈环形的SiO2隔离层，之后积光学减反膜，并在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出金属接触窗口；之后利用光刻胶形成上电极和金属打线板，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触，上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在中央集电区的上方。
一种基于二次外延 inalas 雪崩光电探测器制备方法

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