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[发明专利]适用于多种高速接口标准的接收电路-CN202310576664.1在审
发明人：陈明辉;季晓燕;韩正祥 -专利权人： 北京均微电子科技有限责任公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种适用于多种高速接口标准的接收电路；应用于电子电路设计技术领域。所述方法包括通过调制电阻电路将输入信号转换为共模电压，在共模电压检测电路中将所述共模电压与参考电压进行比较，若共模电压小于参考电压，则输入信号经过折叠放大器和第一共源放大器后输出，若共模电压大于参考电压，则输入信号经过第二共源放大器后输出。这样共模电压从0伏变到电源电压，该接收电路仍能正常工作，且跨导恒定、能够识别较小的摆幅、噪声小、误码率低。
适用于多种高速接口标准接收电路

[发明专利]正交信号产生电路及其工作方法-CN202310423424.8在审
发明人：陈明辉;季晓燕;韩正祥 -专利权人： 北京均微电子科技有限责任公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种正交信号产生电路及其工作方法；应用于电子电路设计技术领域。所述电路包括依次排列的预放大电路、二倍频电路、二分频电路、驱动电路、校准电路；所述工作方法包括输入信号经过所述预放大电路进行放大，放大后的信号再经过所述二倍频电路将频率升高为原来的2倍，再通过二分频电路产生IQ正交信号，之后送入驱动电路，最后通过校准电路将正交误差自校准后的IQ正交信号送入收发机。以此方式，可以产生正交误差极小的IQ信号，输入输出同频降低了对片外信号频率的要求，进而提高了带宽，减小了成本；此外，输入信号既可以单端连接也可以差分连接，更有利于用户应用。
正交信号产生电路及其工作方法

[发明专利]可单端也可差分应用的衰减器-CN202310423608.4在审
发明人：陈明辉;季晓燕;韩正祥 -专利权人： 北京均微电子科技有限责任公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H03K5/02 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种可单端也可差分应用的衰减器；应用于电子电路设计技术领域。所述衰减器包括第一对地电阻阵列模块、第二对地电阻阵列模块、第三对地电阻阵列模块、第四对地电阻阵列模块、第一开关电阻阵列模块、第二开关电阻阵列模块、第一电容C1、第二电容C2、正输入节点VINP、负输入节点VINN、正输出节点VOUTP、负输出节点VOUTN。所述衰减器既能单端工作也能差分工作，同时还扩宽了工作频带、增大了衰减动态，此外，所述衰减器的插入损耗较小，而且后级可直接接放大器或混频器，不需要再增加隔直电容，更有利于应用。
可单端也可差分应用衰减器

[发明专利]射频接收系统和输出三阶交调点OIP3校准方法-CN202210665363.1在审
发明人：季晓燕 -专利权人： 北京均微电子科技有限责任公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种射频接收系统和输出三阶交调点OIP3校准方法，涉及信号处理领域。该系统包括射频接收端、低噪声放大器LNA、混频器Mixer、本机振荡器LO、数模转换器ADC、运算放大器OPA、反馈电路以及负阻电路，其中，运算放大器OPA的构成电路包括跨阻放大器TIA、低通滤波器LPF、可变增益放大器PGA，负阻电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、可变P管电流源以及可变N管电流源；跨阻放大器TIA的同相输入端与反相输入端之间连接负阻电路，可变增益放大器PGA的输出端通过反馈电路连接到负阻电路。以此方式，可以解决射频接收机中线性度不够的问题，实现射频接收机中OIP3的自动校准，提高射频接收机本身的线性度。
射频接收系统输出三阶交调点 oip3 校准方法

[发明专利]一种大衰减量CMOS衰减单元电路-CN202210255911.3在审
发明人：季晓燕 -专利权人： 北京均微电子科技有限责任公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种大衰减量CMOS衰减单元电路，包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第三衰减电阻R3、第一端口P1、第二端口P2；其中，第一晶体管M1的漏极与第三晶体管M3的漏极以及第一端口P1相连，第二晶体管M2的漏极和第四晶体管M4的漏极以及第二端口P2相连接，第一晶体管M1和第二晶体管M2的栅极分别连接第一控制电压VC‑，所述第三晶体管M3和第四晶体管M4的栅极分别连接第二控制电压VC+，第三晶体管M3的源极和第四晶体管M4的源极连接，第三衰减电阻R3的两端分别与第一晶体管M1的源极和第二晶体管M2的源极相连接。该电路可以解决传统结构的大衰减量数控衰减单元电路工作频率范围窄，衰减附加相移大的问题。
一种衰减 cmos 单元电路

[实用新型]一种高速大动态范围功率检测电路-CN202120988548.7有效
发明人：季晓燕 -专利权人： 北京均微电子科技有限责任公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H04B17/318 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高速大动态范围功率检测电路，涉及集成电路领域。其包括信号衰减电路，电压功率转电流模块，运算放大电路和电流偏置模块；信号衰减电路产生等比例缩小信号；电压功率转电流模块将信号电压功率转换为相应电流值；运算放大器电路通过比较与输入信号相关的电流和与参考电压相关的电流值产生表示信号功率强度的输出信号。本方案通过输入衰减电路降低大功率输入信号对后续电路中有源器件工作状态的影响，提高整个功率检测电路的信号检测动态范围，并且运放比较的是经过滤波后的低频电流，对运放带宽要求不高，从而可以检测高速大动态范围的信号，具有较高的实际应用价值。
一种高速动态范围功率检测电路