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[发明专利]转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备-CN201310406341.4有效
发明人：张文;刘菲菲 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供的转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备，其包括转盘、原点检测单元和到位检测单元，其中，在转盘上设置有工位，用以承载工件；原点检测单元用于检测转盘的原点位置；到位检测单元包括第一检测模块和第一标识模块，其中，第一标识模块用于标识工位在转盘上的位置；第一检测模块用于通过检测第一标识模块来判断工位是否到达预定位置。本发明提供的转盘定位装置，其可以监测转盘的工位是否到达预定位置，从而可以及时获知转盘的工位出现的位置异常。
转盘定位装置装载传输系统等离子体加工设备

[发明专利]一种反应腔室的清洗方法-CN201610143848.9在审
发明人：李国荣;黄亚辉;张兴 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;北京大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔室的清洗方法，涉及半导体技术领域，能够有效清除反应腔室中的副产物。该反应腔室的清洗方法采用清洗气体在射频电源作用下起辉以实现清除沉积在反应腔室内壁上的副产物，该反应腔室的清洗方法包括对所述反应腔室内壁的不同区域进行清洗的至少两个主清洗步骤。
一种反应清洗方法

[发明专利]磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备-CN201610124589.5在审
发明人：杨玉杰;罗建恒;耿波;张同文 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01J25/50 文献下载
摘要：本发明提供的磁控管及应用该磁控管的磁控溅射设备，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，外磁极和内磁极的形状满足使内磁极的总磁通量与外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。本发明提供的磁控管，其不仅可以提高薄膜厚度的均匀性，而且可以降低靶材溅射电压，从而可以减少器件表面形成的损伤。
磁控管以及应用磁控溅射设备

[发明专利]一种表面波等离子体装置-CN201610121051.9在审
发明人：昌锡江;区琼荣;韦刚;黄亚辉 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种表面波等离子体装置，利用连接腔连接谐振腔和矩形波导，将螺钉探针经由矩形波导和连接腔伸入谐振腔内部，从而将微波能量馈入连接腔和谐振腔，通过在谐振腔的底壁设置多个石英窗口，使得微波在谐振腔内形成的驻波的电场能够通过各石英窗口耦合进入真空腔室，并在真空腔室内激发等离子体；多个石英窗口可以等效为多个等离子体源，相对于现有的单一等离子体源来说，可以使真空腔室内等离子体大面积均匀化，从而满足大尺寸的晶片加工需求。
一种表面波等离子体装置

[发明专利]阻抗匹配方法及阻抗匹配系统-CN201310388807.2有效
发明人：张璐;王东;陈鹏;吕铀;师帅涛 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供阻抗匹配方法及阻抗匹配系统，阻抗匹配方法包括以下步骤步骤S1，采集射频电源的输出信号，并根据输出信号判断射频电源输出的射频功率信号是否存在；步骤S2，对射频电源的输出阻抗和负载阻抗进行匹配；步骤S3，控制电机停止匹配工作且保持在当前匹配位置不变。本发明提供的阻抗匹配方法，其可以提高阻抗匹配的速率，从而可以避免在整个工艺过程中无法实现阻抗匹配。
阻抗匹配方法系统

[发明专利]腔室环境调控方法-CN201410186830.8有效
发明人：陈永远;符雅丽;罗巍 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室环境调控方法，包括以下步骤向反应腔室中通入第一气体，在反应腔室的内壁及反应腔室中的基片台表面生成第一涂层；向反应腔室通入第二气体，在第一涂层的表面生成第二涂层；将晶圆送入反应腔室中，进行等离子体加工；对晶圆进行等离子体加工完毕后，将晶圆移出反应腔室，并通入第一清洗气体，去除等离子体加工过程中吸附在第二涂层的表面的沉积物及第二涂层；通入第二清洗气体，去除第一涂层，使反应腔室恢复初始环境。其通过依次在反应腔室的内壁及基片台表面生成第一涂层和第二涂层，并在晶圆等离子体加工完成之后，依次去除第二涂层和第一涂层，保证了反应腔室环境的一致性，提高了工艺的稳定性。
环境调控方法

[发明专利]晶片盖板和晶片加工设备-CN201310150818.7有效
发明人：陈雪峰 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片盖板和晶片加工设备，涉及半导体制造技术领域，使工艺过程中产生的副产物可以从晶片盖板和晶片之间的空隙通过，从而降低了工艺副产物沉积在晶片上的几率。该所述晶片盖板用于压住晶片，所述晶片盖板上设置有多个工艺孔，所述工艺孔用于露出晶片的工艺部分，所述晶片盖板的每个工艺孔边缘下方设置有多个支撑件，用于使所述晶片盖板与所述晶片之间留有空隙。该晶片加工设备，包括用于放置晶片的托盘和上述的晶片盖板，所述晶片盖板固定在所述托盘上并通过支撑件压住所述晶片。
晶片盖板加工设备

[发明专利]承载装置及等离子体加工设备-CN201310244395.5有效
发明人：侯珏 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供的承载装置及等离子体加工设备，其包括基座和冷却单元，基座用于承载被加工工件；冷却单元用于借助设置在基座的承载面上的冷却层，实现对置于该冷却层的表面上的被加工工件均匀冷却。本发明提供的承载装置，其可以提高导热效率，从而可以有效地使被加工工件始终保持在较低的温度，而且，由于该冷却层在基座的承载面上的分布方式可以自由设置，因而可以实现对被加工工件的均匀冷却，从而可以使被加工工件的温度均匀，进而可以提高工艺均匀性。
承载装置等离子体加工设备

[发明专利]片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法-CN201310239693.5有效
发明人：郭宁 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供的片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法，其包括进气装置和排气装置，进气装置包括气源、气路、第一通断阀和流量控制单元，其中，气路的进气端与气源连通，气路的出气端与片盒腔室的内部连通；气源用于经由气路向片盒腔室输送不与工件发生反应的气体；第一通断阀用于接通或断开气路；流量控制单元用于调节气路的气体流量。排气装置用于将气体排出片盒腔室。本发明提供的片盒腔室，其不仅可以提高片盒腔室的清洁度，而且还可以减少片盒腔室内完成工艺的工件所释放出的反应气体对其他工件及进气装置和排气装置的腐蚀。
片盒腔室等离子体加工设备方法

[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置-CN201610089138.2在审
发明人：杨玉杰;罗建恒;耿波;张同文 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括分别呈环状曲线的第一磁极和第二磁极，第一磁极和第二磁极极性相反，第一磁极和第二磁极相互嵌套且相互之间形成磁场，第一磁极和第二磁极之间形成的间隔区域的宽度为第一间距，第一间距能使沉积在基片上的膜层厚度均匀性不大于3％。该磁控元件通过使靶材中心区域溅射时入射粒子分布密度的减小程度明显大于靶材边缘区域溅射时入射粒子分布密度的减小程度，从而使靶材中心区域在溅射时的腐蚀速率的减慢程度明显大于靶材边缘区域在溅射时的腐蚀速率的减慢程度，从而使溅射后沉积在基片上的膜层的中心区域的厚度与边缘区域的厚度趋于一致，进而使沉积膜层的厚度均匀性不大于3％。
一种元件磁控溅射装置

[发明专利]一种衬底处理系统-CN201210480416.9有效
发明人：边国栋;丁培军;王厚工;赵梦欣 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种衬底处理系统，包括去气腔、输气单元和气体处理装置，其中去气腔包括承载半导体衬底且位于腔内的支撑件；输气单元包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；气体处理装置包括加热单元，所述气体处理装置与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；气体处理装置对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对所述去气腔内的半导体衬底加热。本发明能够有效改善半导体衬底表面热辐射系数对加热温度的影响，实现不同类型半导体衬底的加热兼容性。
一种衬底处理系统

[发明专利]冷泵以及半导体加工设备-CN201410108669.2有效
发明人：杨玉杰;张军 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： F04B37/08 文献下载
摘要：本发明提供的冷泵以及半导体加工设备，其包括泵体和转接板，该转接板位于反应腔室与泵体之间，且分别与二者固定连接，并且在转接板上设置有通孔，该通孔分别与反应腔室的排气口和泵体的进气口相连通；并且，在转接板内还设置有冷却通道，通过向该冷却通道内通入冷媒介质对转接板进行冷却。本发明提供的冷泵，其可以解决低温、高温工艺以及腔室烘烤的过程中出现的冷板升温问题，从而可以降低冷泵再生的频率，保证冷泵正常工作。
以及半导体加工设备

[发明专利]机械卡盘及等离子体加工设备-CN201410072321.2有效
发明人：侯珏 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供的机械卡盘及等离子体加工设备，其包括基座和固定组件，该固定组件包括由下而上依次叠置的卡环、绝缘环和隔离环，其中，卡环用于在进行工艺时压住置于基座上的被加工工件的边缘区域，以将其固定在基座上；隔离环在卡环上表面上的投影与卡环上表面重合；绝缘环用于使卡环与隔离环电绝缘，并且绝缘环的内周壁与卡环上表面和隔离环下表面的位于该内周壁内侧的部分形成第一凹槽，绝缘环的外周壁与卡环上表面和隔离环下表面的位于该外周壁外侧的部分形成第二凹槽，用以防止等离子体沉积到绝缘环的表面上。本发明提供的机械卡盘，其可以在不提高射频功率的前提下，提高在被加工工件上表面上形成的负偏压，从而可以提高射频效率。
机械卡盘等离子体加工设备

[发明专利]一种工艺气体互锁的控制方法和系统-CN201310279777.1有效
发明人：马平 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G05B19/43 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种工艺气体互锁的控制方法，所述方法，包括以下步骤步骤1，设置独立配置页，并在所述独立配置页中分别针对每两路气体通道设置对应的配置参数；步骤2，遍历所述配置页，针对目标路气体通道的打开操作，查询所述目标路气体通道与其它各路气体通道的配置参数，依据所述目标路气体通道与其它各路气体通道的配置参数判断是否满足预设条件；若是，则执行步骤3；否则，执行步骤4；步骤3，打开所述目标路气体通道；步骤4，生成警报信息。本发明实施例增加了气体通道的配置参数，实现了在线编辑的功能。在线编辑配置参数和在线应用，提高了应用的灵活性，提高了效率，减少了时间的浪费。
一种工艺气体互锁控制方法系统

[发明专利]反应腔和MOCVD设备-CN201310335774.5有效
发明人：涂冶 -专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔，该反应腔包括托盘装置、支撑骨架和传导单元，其中所述托盘装置，包括多个小托盘和沿所述反应腔的高度方向设置的多层大托盘，每层所述大托盘在周向上都设置有多个所述小托盘；所述支撑骨架与所述大托盘同轴设置；所述传导单元设置在所述支撑骨架与所述小托盘之间；当所述支撑骨架或所述托盘装置绕所述反应腔的纵向轴线转动时，利用所述传导单元带动所述小托盘在所述大托盘的径向上环绕所述小托盘自身的轴线按照预定的速度旋转。本发明还提供一种包括所述反应腔的MOCVD设备。所述反应腔结构简单，降低了包括所述反应腔的MOCVD设备的总体成本。
反应 mocvd 设备

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