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[发明专利]电荷泵电路及存储器-CN202111119003.3在审
发明人：刘亚平;邓龙利;刘铭 -专利权人：合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵电路，包括：电荷泵核心模块，包括N级电荷泵；以及电压控制模块，电性连接至所述电荷泵核心模块并用于控制所述电荷泵核心模块输出高压或低压；其中当所述电压控制模块控制所述电荷泵核心模块输出所述高压时，所述电压控制模块导通所述电荷泵核心模块中的每一所述N级电荷泵，以使所述N级电荷泵为串联，当所述电压控制模块控制所述电荷泵核心模块输出所述低压时，所述电压控制模块导通所述N级电荷泵中的部分级电荷泵，以使所述部分级电荷泵为串联，并使所述N级电荷泵中的其他级电荷泵不导通。还提供一种存储器。
电荷电路存储器

[发明专利]一种存储器及其控制方法和装置-CN201811531345.4有效
发明人：刘凯 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储器及其控制方法和装置，存储器包括存储装置，存储装置包括至少一个第一数据块和多个第二数据块，该控制方法包括：在接收到写命令时，将写命令的数据以单层存储方式写入第一数据块；将至少一个第一数据块的数据中逻辑地址超出预留逻辑地址区间的数据以多层存储方式搬移至第二数据块，预留逻辑地址区间为增强型数据对应的逻辑地址区间。本发明实施例中，第一数据块的稳定性优于第二数据块，将增强型数据即逻辑地址位于预留逻辑地址区间的数据留存在第一数据块中，可以使增强型数据更加稳定可靠；将非增强型数据即逻辑地址超出预留逻辑地址区间的数据搬移至第二数据块中，可以尽可能扩展存储器的容量，实现了增强功能。
一种存储器及其控制方法装置

[发明专利]用于部分页编程的位扫描方法，部分页编程方法及非易失性存储器-CN201811644301.2有效
发明人：陈敏怡 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-12-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于部分页编程的位扫描方法，一种部分页编程方法和非易失性存储器。所述非易失性存储器包括：存储单元页，第一缓冲器，第二缓冲器，感测电路，和控制器。所述存储单元页包括n位的数据区域和纠错码区域。所述控制器设置为：将m位目标数据存储到第二缓冲器，在数据区域中选择m个存储单元作为选择区域，以及根据目标数据在选择区域进行部分页编程。所述感测电路设置为执行编程验证将验证结果存储到所述第一缓冲器。所述控制器还设置为判断选择区域中编程失败的存储单元的数量是否超过标准值。相比于现有技术，本发明只对进行了部分页编程操作的存储单元进行位扫描，减少了位扫描花费的时间，提高了部分页编程的效率。
用于部分编程扫描方法非易失性存储器

[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法和装置-CN201910357583.6有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器的编程方法和装置，非易失性存储器的编程方法包括：接收编程指令，根据编程指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一编程电压档位；验证需要编程的存储单元是否达到编程需求；如果验证未通过，则根据第一编程电压档位产生第一编程电压，对存储单元进行编程操作，并将验证次数加1，得到新的验证次数；若新的验证次数达到第一验证次数，则根据第一验证次数得到第二编程电压档位，第二编程电压档位是存储单元下次编程时使用的编程电压档位。通过验证次数调整编程电压，可以使存储单元的阈值电压提高到编程验证电压之上，缩短存储单元的编程时间，提高非易失性存储器的编程效率。
一种非易失性存储器编程方法装置

[发明专利]一种NOR flash存储器读数据的方法和装置-CN201910356966.1有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR flash存储器读数据的方法和装置。所述方法包括：接收暂停编程指令，暂时停止编程操作，根据接收的擦除操作指令执行擦除操作，接收暂停擦除指令，暂时停止擦除操作，在编程操作和擦除操作同时暂时停止期间，接收到读操作指令，若所需执行读操作的存储单元的地址未处于编程操作对应的存储单元的地址范围加擦除操作对应的存储单元的地址范围内，对所需执行读操作的存储单元执行读操作。本发明实现了NOR flash存储器支持在编程操作的过程中暂时停止编程操作去进行擦除操作，并在擦除操作过程中暂时停止擦除操作去进行读操作，丰富了NOR flash存储器的功能，提高了NOR flash存储器使用的灵活性，有利于NOR flash存储器的技术发展和推广，提升了用户使用感。
一种 nor flash 存储器读数方法装置

[发明专利]一种控制擦除性能的方法和装置-CN201910356969.5有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制擦除性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：擦除验证开关、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述方法包括：所述擦除操作状态机接收擦除操作指令，根据擦除操作指令执行擦除验证和擦除加压操作，再根据擦除循环次数和擦除验证开关的情况，连续执行擦除加压操作预设次数，之后再执行擦除验证操作。本发明在执行擦除加压操作时，擦除操作状态机连续执行擦除加压操作预设次数，跳过对应的擦除验证操作，控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的擦除性能。
一种控制擦除性能方法装置

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356983.5有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：编程验证开关、编程操作状态机以及编程存储单元，所述方法包括：所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，再根据编程循环次数和编程验证开关的情况，连续执行编程加压操作预设次数，之后再执行编程验证操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机连续执行编程加压操作预设次数，跳过对应的编程验证操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法-CN201811595638.9有效
发明人：邓龙利;刘铭 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法，漏电检测电路包括：第一电流镜单元、第二电流镜单元、参考电流产生单元、第三电流镜单元和比较单元；第一电流镜单元的输入端作为漏电检测电路的输入端，第一电流镜单元的输出端与第二电流镜单元的输入端电连接；第二电流镜单元的输出端与第三电流镜单元的输入端电连接；参考电流产生单元的输入端与第一电源电连接，参考电流产生单元的输出端与第三电流镜单元的输入端电连接；第三电流镜单元的输出端与比较单元的第一输入端电连接；比较单元的第二输入端用于输入参考信号，比较单元的输出端作为所述漏电检测电路的输出端。方便高效的实现了对待检测电路的漏电检测。
漏电检测电路闪存存储器装置方法

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356984.X有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，编程加压操作包括：接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]一种非易失性存储器的擦除方法和装置-CN201910357582.1有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器的擦除方法和装置，包括：接收擦除指令，根据擦除指令中的地址信息获取存储区域内存储的存储单元的第一擦除验证电压档位；使用与第一擦除验证电压档位对应的第一擦除验证电压对存储单元进行擦除验证；如果验证未通过，则对存储单元进行擦除操作，并将验证次数加1，得到新的验证次数；根据新的验证次数确定第二擦除验证电压档位，第二擦除验证电压档位是存储单元下次擦除操作时使用的擦除验证电压档位。通过根据验证次数调整擦除验证电压，可以使存储单元的阈值电压在擦除过程中轻易的达到擦除验证电压之下，缩短存储单元的擦除时间，提高非易失性存储器的擦除效率。
一种非易失性存储器擦除方法装置

[发明专利]一种低压差线性稳压电路-CN201811604147.6有效
发明人：邸士伟;邓龙利 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压差线性稳压电路。包括输出电压单元、放大单元、补偿单元和反馈单元，还包括预充电单元和放电单元。预充电单元的第一端与低压差线性稳压电路的第一电源输入端电连接，预充电单元的第二端与补偿单元电连接，放电单元的第一端与补偿单元电连接，放电单元的第二端接地。预充电单元用于在低压差线性稳压电路工作前对补偿单元预充电，放电单元在低压差线性稳压电路工作时对补偿单元放电至第一电位。从而可以实现低压差线性稳压电路的输出电压的快速建立。而且，通过设置预充电单元和放电单元，可以避免在调节过程中输出电压单元的控制端的电压过低，输出电压单元的导通程度过大造成的低压差线性稳压电路的输出电压过冲现象。
一种低压线性稳压电路

[发明专利]一种NOR flash存储器擦除的方法和装置-CN201910357593.X有效
发明人：张赛;付永庆;刘言言 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR flash存储器擦除的方法和装置。所述方法包括：接收暂停编程指令，根据暂停编程指令，暂时停止编程操作的进程，通过控制单元记录编程操作对应的存储单元的地址，接收擦除操作指令，判断所需执行擦除操作的存储单元的地址是否包含编程操作对应的存储单元的地址，若所需执行擦除操作的存储单元的地址不包含编程操作对应的存储单元的地址，对所需执行擦除操作的存储单元执行擦除操作。本发明实现了NOR flash存储器支持在编程操作的过程中暂时停止编程操作，去进行擦除操作，丰富了NOR flash存储器的功能，提高了NOR flash存储器使用的灵活性，有利于NOR flash存储器的技术发展和推广，提升了用户使用感。
一种 nor flash 存储器擦除方法装置

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356967.6有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证操作，验证不通过则根据循环次数，调整时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，NOR flash存储器根据循环次数，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]电荷泵电路、非易失性存储器-CN202110031981.6在审
发明人：张现聚;刘铭;邓龙利 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本申请公开了一种电荷泵电路和非易失性存储器。电荷泵电路包括串联的多个升压级电荷泵单元，升压级电荷泵单元包括：输入端；输出端；第一电容；第二电容，其第一端连接输出端；第三电容；第一开关管，其控制端连接第一电容的第一端，其第一通路端连接输入端，其第二通路端连接输出端；第一单向导通元件；第三开关管，其控制端连接输入端，其第一通路端连接第一电容的第一端，其第二通路端连接第三电容的第一端；在电荷存储阶段，第一开关管导通，第二电容被充电；在电荷释放阶段，第二电容向下一级电荷泵提供电荷，第一开关管控制端的电荷经由第三开关管向第三电容转移。上述电荷泵单元中的第一开关管可以更充分地导通，提升了电荷泵电路的电流传输能力。
电荷电路非易失性存储器

[发明专利]一种控制擦除性能的方法和装置-CN201910356982.0有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人： 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：擦除循环次数检测单元、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元，所述擦除操作状态机包括：计数器，所述方法包括：所述擦除操作状态机接收擦除操作指令，根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作，擦除加压操作包括：接收擦除循环次数检测单元发送的循环次数，根据循环次数调整单次擦除加压操作的时间，根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时，擦除操作状态机根据循环次数，调整单次擦除加压操作的时间，完成擦除加压操作，控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的擦除性能。
一种控制擦除性能方法装置

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