专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]用于碳化硅晶体硅面的定向装置-CN202320992606.2有效
  • 李远田;包伟刚 - 江苏集芯先进材料有限公司
  • 2023-04-27 - 2023-10-24 - G01N23/207
  • 本实用新型公开了一种用于碳化硅晶体硅面的定向装置,包括支撑架、炉体、坩埚、施压组件、调角组件和加热组件;炉体安装在支撑架上,炉体限定出顶部、底部均敞开的安装腔;坩埚设于安装腔内,坩埚限定出顶部敞开的第一容纳腔,第一容纳腔的底部装有支撑板;施压组件能够上下移动地设于第一容纳腔内;调角组件设于安装腔内坩埚的下方,调角组件的顶端贯穿坩埚的底壁伸至第一容纳腔;加热组件设于炉体的侧壁内,且正对第一容纳腔的下部布置。本实用新型能够用于碳化硅晶体硅面的精确定向,定位准确性高;定位过程中无需采用夹具或机械固定,对晶体损伤较小,降低了晶体在后续滚磨、开主定位边时出现应力、开裂等情况的风险。
  • 用于碳化硅晶体定向装置
  • [实用新型]用于保持生长初期籽晶洁净度的坩埚装置-CN202320507266.X有效
  • 李远田;包伟刚;刘留 - 江苏集芯先进材料有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-10-24 - C30B29/36
  • 本实用新型公开了一种用于保持生长初期籽晶洁净度的坩埚装置,包括外坩埚、内坩埚和阻隔单元,所述外坩埚包括外坩埚本体和外坩埚盖,所述外坩埚本体限定出顶部、底部均敞开的第一容纳腔;所述外坩埚盖安装在所述外坩埚本体的顶部,所述外坩埚盖的底部装有籽晶;所述内坩埚设于所述第一容纳腔内;所述内坩埚限定出顶部敞开的第二容纳腔,所述第二容纳腔内装有碳化硅粉体;所述阻隔单元设于所述第一容纳腔内位于所述内坩埚的顶部;所述阻隔单元用于所述第二容纳腔和所述第一容纳腔的连通或隔断。本实用新型能够阻隔初始粉升华气体流动到籽晶处,以抑制其过早生长,保持籽晶的清洁度,提高生长晶体的质量。
  • 用于保持生长初期籽晶洁净坩埚装置
  • [实用新型]生产高质量碳化硅晶体的装置-CN202320965732.9有效
  • 李远田;包伟刚 - 江苏集芯先进材料有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-10-24 - C30B29/36
  • 本实用新型公开了一种生产高质量碳化硅晶体的装置,包括:石墨发热体,石墨发热体设置于保温毡内,石墨发热体限定形成反应腔;外坩埚,外坩埚设置于容纳腔的下部;石墨载台,石墨载台包括连接筒和载板,连接筒的中部水平固定载板,石墨载台的下端与外坩埚密封连接,其上端与石墨罩密封连接,石墨载台在载板的下方水平可拆卸连接籽晶;石墨罩,石墨罩的下部限定形成凹槽,凹槽与载板共同限定形成容纳腔,容纳腔内平铺有修补物颗粒;承载坩埚,在反应前,承载坩埚内铺满碳化硅粉,承载坩埚的上方水平盖设多孔石墨板,承载坩埚可升降设置于外坩埚内,以使多孔石墨板与晶体生长面之间的距离L为定值。
  • 生产质量碳化硅晶体装置
  • [发明专利]制备平衡化学计量比的碳化钽粉的装置及方法-CN202310244066.4在审
  • 李远田;包伟刚;许成凯 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-08-08 - F27B14/06
  • 本发明公开了一种制备平衡化学计量比的碳化钽粉的装置,包括:加热器,加热器沿周向设置于反应腔内的保温墙的内侧;反应坩埚,反应坩埚设置于反应腔底部中心处,反应坩埚的上端敞口设置,反应坩埚内填充有钽粉以及位于钽粉内的碳源,钽粉受压完成后,碳源位于钽粉的中心处,且碳源相对于钽粉过量;保温层,反应坩埚外侧壁与加热器之间、反应坩埚底壁与底部的保温墙之间填充有保温层;施压件,用于按压钽粉并在高温合成时给与钽粉特定压力,施压件包括按压轴和按压板,按压轴的底部固定连接按压板,按压轴的上端贯穿并伸出炉盖。本发明还公开了制备碳化钽粉的工艺,通过高温下以碳源的原位自扩散,制备的碳化钽粉纯度更高,不存在剩余游离的碳。
  • 制备平衡化学计量碳化装置方法
  • [发明专利]一种新的高可靠性回转支承寿命评估方法-CN201911162644.X有效
  • 王华;包伟刚;乾钦荣 - 南京工业大学;南京工大数控科技有限公司
  • 2019-11-25 - 2023-07-18 - G06F18/10
  • 本发明公布了一种新的高可靠性回转支承寿命评估方法,包括如下步骤:根据降噪后回转支承振动加速度信号提取短时间内正负振动信号的有效平均值来获取时空信息数据,确定回转支承的实际平衡位置信息;根据获得的实际平衡位置的信息,确定正负振动信号的平均值是否存在虚假波动,存在则修复信号数据,后续通过平滑曲线法获得两组时间指标;利用获取的回转支承的高质量时间指标和故障指标,通过基于生成对抗网络下的时间和故障指标混合嵌入式长短时记忆网络建立起所得指标与剩余使用寿命之间的联系。本方法从复杂的工况条件下获得高质量的样本数据,并扩充样本的数量,有效提高了复杂工况条件下寿命预测的可靠性,具有一定应用价值。
  • 一种可靠性回转支承寿命评估方法
  • [发明专利]用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法-CN202310225992.7在审
  • 李远田;包伟刚;刘留 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-23 - C30B23/00
  • 本发明公开了一种用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法,该装置包括生长坩埚、冷却机构和测温组件,生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖,坩埚盖能够上下移动地安装在坩埚本体的顶部,且坩埚盖上下移动过程中时刻与坩埚本体连接;坩埚盖的底部装有籽晶;冷却机构设于坩埚盖的上方,冷却机构具有第一工作状态和第二工作状态,在第一工作状态,冷却机构紧靠坩埚盖,以对坩埚盖进行降温;在第二工作状态,冷却机构远离坩埚盖;测温组件正对生长坩埚设置,用于检测生长坩埚顶部和底部的实时温度。本发明能够抑制籽晶表面石墨化,稳定初始生长条件,消除与严重的微管等缺陷有关的生长中心,提高晶体质量。
  • 用于解决生长初期籽晶装置方法
  • [实用新型]碳化硅长晶热场-CN202223179443.0有效
  • 燕靖;包伟刚 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-05-05 - C30B23/00
  • 本实用新型公开了一种碳化硅长晶热场,包括:坩埚,坩埚呈圆柱状,坩埚包括坩埚本体和坩埚盖,坩埚盖粘贴有籽晶,坩埚本体的底部设有碳化硅粉;顶部石墨毡,顶部石墨毡设于坩埚的顶部,顶部石墨毡的中心轴线与籽晶的中心轴线在同一条直线上,顶部石墨毡包括从下到上依次排布的多个第一环毡,每个第一环毡的外径与坩埚的外径相同,在从下到上的方向上,多个第一环毡的内径逐渐减小。根据本实用新型的碳化硅长晶热场,可以使得碳化硅晶体边缘向晶体中心温度逐渐降低,从而使得晶体中心生长速率大于边缘生长速率,有利于提高碳化硅晶体的品质。
  • 碳化硅长晶热场
  • [实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202223134048.0有效
  • 李远田;许成凯;燕靖;包伟刚;刘留 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-03-28 - C30B29/36
  • 本实用新型公开一种碳化硅晶体生长装置,包括坩埚、加热组件、第一发热件、过滤件、第二发热件和籽晶;加热组件对称安装在坩埚内侧顶壁和底壁,其包括多层与坩埚同轴设置的环形加热件,环形加热件的高度在粉源至籽晶方向上逐渐递减;第一发热件侧壁与最高的环形加热件的侧壁紧密贴合;过滤件顶部与坩埚上部的第一发热件底部相连,底部与坩埚下部的第一发热件顶部相连,过滤件和第一发热件将坩埚分隔为生长空间和原料空间;第二发热件安装在原料空间内;籽晶纵向安装在生长空间内,籽晶的中心与坩埚的中心均在加热组件对称线上。本实用新型能够过滤碳化硅气氛中的杂质,避免碳包裹现象,提高碳化硅晶体的品质。
  • 碳化硅晶体生长装置
  • [实用新型]高纯碳化钽粉的制备装置-CN202223592459.4有效
  • 李远田;许成凯;刘留;包伟刚;燕靖 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-03-28 - C01B32/914
  • 本实用新型公开了一种高纯碳化钽粉的制备装置,该制备装置包括:生长炉,生长炉安装在炉架内;反应坩埚,反应坩埚设置于生长炉的中心处,反应坩埚呈内部在上下方向贯穿的套筒状,反应坩埚的上、下两端分别设有托板,反应坩埚的侧壁沿周向均匀设有多组通孔,每组通孔有两个,每组的两个通孔相对设置;每个通孔的内侧设有用于密封该通孔的石墨纸,每个通孔内活动设有侧托板,反应坩埚内填充有碳粉和钽粉的混合粉,混合粉与上、下两个托板之间也设有石墨纸,施压部件,每个托板和每个侧托板分别连接一个施压部件,施压部件的一端向外伸出生长炉;输气管,输气管的一端伸入至混合粉中,其另一端依次伸出反应坩埚、生长炉和炉架。
  • 高纯碳化制备装置

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