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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063749.X有效
发明人： 加藤英生;久府真一;大久保正道 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚8的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。
制造单晶硅方法

[发明专利]制造单晶硅的方法-CN201280063685.3在审
发明人： 加藤英生;久府真一 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚(8)中的原料熔体(7)提拉多根单晶硅(1)的多重提拉法制造单晶硅(1)的方法，该方法包括省略掉单晶硅(1)的尾部的形成的至少一部分并由所述原料熔体分离出单晶硅的步骤，其中将在坩埚(8)的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。
制造单晶硅方法

[发明专利]硅单晶锭的制造方法-CN201110461265.8无效
发明人： 加藤英生;村上英明 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供能够大幅抑制及基本上避免形成小孔的制造锭的方法。在CZ法的装填多晶硅的步骤中，不将小尺寸的多晶硅块S1用作装入的多晶硅块S。仅使用中等尺寸的多晶硅块S2和大尺寸的多晶硅块S3。此外，在装填多晶硅的步骤中，将多晶硅块S随机地装入坩埚中。
硅单晶锭制造方法

[发明专利]再装填原料多晶硅的方法-CN201110455221.4有效
发明人： 加藤英生;吉村聡子;二宮武士 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：为了提供再装填原料多晶硅的方法，所述方法能够再装填大块多晶硅，同时防止坩埚被损坏、破裂以及限制所生长的锭的无位错率和质量的下降。当再装填多晶硅块时，首先引入缓冲层形成多晶硅块Sb，其为小尺寸多晶硅块S1或中尺寸多晶硅块S2。所述缓冲层形成多晶硅块Sb沉积在坩埚20中的硅熔体40的表面41上，并且形成缓冲层50。由于接下来将大尺寸多晶硅块S3引入到所述缓冲层50上，所述缓冲层50缓冲由于大尺寸多晶硅块S3落下而引起的冲击。
装填原料多晶方法

[发明专利]光盘记录再生装置及其驱动方法-CN200580028310.3无效
发明人： 加藤英生 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G11B7/085 文献下载
摘要：提供一种光盘记录再生装置及其驱动方法，在充分发挥光盘的高速存取性能的同时，可以避免记录动作中的步进电机的动作声音混入到麦克中。本发明的光盘记录再生装置(摄像机)的光学检测器的步进移动速度具有：再生模式用的第1步进移动速度设定值、记录模式用的第2步进移动速度设定值、和传送模式用的第3步进移动速度设定值，与动作模式对应地选择步进移动速度设定值。这里，记录模式用的第2步进移动速度设定值设定得比再生模式用的第1步进移动速度设定值低，传送模式用的第3步进移动速度设定值设定得比再生模式用的第1步进移动速度设定值高。
光盘记录再生装置及其驱动方法

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