专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种闪存器件及其形成方法-CN202210140396.4在审
  • 李志国;王军;隋振超;刘玉丽;李越 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2022-02-16 - 2023-08-29 - H10B41/35
  • 本申请提供一种闪存器件及其形成方法,所述闪存器件包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面依次形成有栅氧层、栅极层和硬掩膜层;第一沟槽,贯穿所述硬掩膜层、所述栅极层、所述栅氧层且延伸至所述半导体衬底中,其中,所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处呈圆弧。本申请的技术方案中,在形成第一沟槽时暴露所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处,再使用牺牲层圆化处理所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处以及进一步保护所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处,后续继续沿所述第一沟槽刻蚀时不会损伤所述栅氧层和所述半导体衬底的交界处,可以使半导体衬底和栅氧层的交界处呈圆弧,解决相邻有源区或有源区和控制栅极之间的漏电问题。
  • 一种闪存器件及其形成方法
  • [实用新型]一种高度可调节的儿童用输液架-CN202222169016.8有效
  • 李志伟;叶丹;刘玉丽;汤芸芸;张琳悦 - 重庆第二师范学院
  • 2022-08-15 - 2023-07-14 - A61M5/14
  • 本实用新型涉及输液架技术领域,具体为一种高度可调节的儿童用输液架,包括连接柱和调节装置,所述连接柱的下表面固定连接底座,所述连接柱远离底座的一端外侧固定连接有连接环,所述连接柱的上表面设置有连接块,所述连接块的侧面固定连接有连接杆,所述调节装置设置在连接柱的内壁,所述调节装置包括滑杆和连接槽,所述连接槽开设在连接柱的内壁,所述滑杆与连接槽的内壁滑动连接,所述滑杆远离连接柱的一端与连接块的下表面固定连接。本实用新型,通过设置调节装置,有效地对滑杆进行调节,起到了调节设备的作用,降低了设备在使用时,设备难以进行高度调节的情况,便于不同年龄段的儿童使用,提高设备的兼容性,提高了设备的实用性。
  • 一种高度调节儿童输液
  • [发明专利]一种平面闪存器件的形成方法-CN202111383405.4在审
  • 张思宇;李志国;刘玉丽;郭得亮;隋振超 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-11-22 - 2023-05-23 - H10B41/35
  • 本申请提供一种平面闪存器件的形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域;在所述第一区域和第二区域之间的半导体衬底中形成第一沟槽;在所述第一区域的半导体衬底中形成若干第二沟槽;在所述第一沟槽和所述第二沟槽中以及半导体衬底表面沉积隔离材料,所述隔离材料表面高于所述半导体衬底表面设定高度,所述设定高度为所述平面闪存器件的有效场高度;在所述第一隔离结构表面和所述第二隔离结构表面形成牺牲层;在所述半导体衬底表面形成表面与所述牺牲层共面的介质层;去除所述牺牲层。所述平面闪存器件的有效场高度是通过化学机械研磨工艺形成的,可以提高有效场高度均匀性,改善隔离结构表面形貌。
  • 一种平面闪存器件形成方法
  • [发明专利]基于特征分析和尺度选择的点云去噪方法、装置及存储介质-CN202310112492.2在审
  • 李楠楠;刘玉丽;马哲;李成飞 - 大连海事大学
  • 2023-02-14 - 2023-05-23 - G06T5/00
  • 本发明提供了基于多尺度特征分析和尺度选择的点云去噪方法、装置及存储介质,构建基于多尺度特征分析和尺度选择的点云去噪网络模型;点云去噪网络模型以从原始噪声点云选取的多个不同尺度的局部邻域作为输入;对各个尺度下的点云数据进行局部特征提取和增强,将不同尺度下的特征信息串联起来通过专家机制模块进行权重信息回归,通过得到的权重信息进行最佳逆位移的选取;将训练集输入到构建好的点云去噪网络模型中进行训练,优化去噪网络模型;将测试集输入至训练后生成的去噪网络模型中进行去噪,输出去噪后的点云数据。本发明通过多尺度特征分析和尺度选择的方式,能够更好地保留尖锐细节特征,解决了单一尺度下忽略局部几何特征的局限性。
  • 基于特征分析尺度选择点云去噪方法装置存储介质
  • [发明专利]一种安全座椅-CN202211523588.X在审
  • 叶丹;刘玉琪;刘玉丽;郝扬洋;黄小亚;马海娇;文星力 - 重庆第二师范学院
  • 2022-11-30 - 2023-03-03 - B60N2/26
  • 本发明提供一种安全座椅,包括座位与靠背,靠背设于座位上方的一侧,还包括支撑柱、底座、旋转调节机构、限位机构与两个缓冲保护机构,支撑柱一端可转动的设于座位底部,另一端设于底座上;旋转调节机构包括传动杆,传动杆可转动的插设于座位上,一端设于限位机构内另一端伸出座位;传动杆的外周与支撑柱的外周啮合;限位机构设于底座上,限位机构用于限定传动杆的转动位置;各缓冲保护机构保持预设空间设于靠背相对两侧的侧板上,用于在安全座椅转动过程中对头部进行保护。
  • 一种安全座椅
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111005927.0在审
  • 李琨琨;李志国;刘玉丽;隋振超 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-08-30 - 2023-03-03 - H01L21/764
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成若干相互独立的字线栅,所述字线栅顶面具有缓冲层;形成第一保护层和牺牲层,所述第一保护层位于衬底表面、以及字线栅和缓冲层的侧壁面,所述牺牲层位于字线栅和缓冲层侧壁面的第一保护层上;形成第一介质层;回刻蚀第一介质层,直至暴露出所述缓冲层和牺牲层的顶面;回刻蚀第一介质层后,去除牺牲层和缓冲层,在相邻字线栅之间形成凹槽;在形成所述凹槽之后,刻蚀字线栅侧壁的第一保护层,形成第二保护层;在字线栅和第一介质层表面形成第二介质层,以在相邻字线栅之间形成空气侧墙。所述形成方法能够提高所形成的半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110846173.5在审
  • 张思宇;李越;李志国;刘玉丽;隋振超 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-07-26 - 2023-02-03 - H10B41/00
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有浮置栅极和栅极介质层;控制栅极,位于所述栅极介质层表面;浮置栅极连接结构,位于所述控制栅极两侧,所述浮置栅极连接结构的一部分贯穿所述栅极介质层并延伸到所述浮置栅极中;隔离结构,位于所述控制栅极和所述浮置栅极连接结构之间,用于隔离所述控制栅极和所述浮置栅极连接结构;层间介质层,覆盖所述半导体衬底、所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构和所述隔离结构;第一接触结构、第二接触结构和第三接触结构,贯穿所述层间介质层且分别电连接所述控制栅极、所述浮置栅极连接结构和所述半导体衬底中的有源器件。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [外观设计]水杯(1)-CN202230603008.2有效
  • 刘玉丽 - 永康市优泰贸易有限公司
  • 2022-09-13 - 2023-01-17 - 07-01
  • 1.本外观设计产品的名称:水杯(1)。2.本外观设计产品的用途:用于喝水的器具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图1。5.请求保护的外观设计包含色彩。6.设计1仰视图已在设计1立体图2中显示,省略设计1仰视图;设计2仰视图已在设计2立体图2中显示,省略设计2仰视图;设计3仰视图已在设计3立体图2中显示,省略设计3仰视图。7.指定设计1为基本设计。
  • 水杯
  • [发明专利]一种车用儿童安全椅背组件-CN202211385414.1在审
  • 叶丹;刘玉丽;王波;邓森林;何佳妮 - 重庆第二师范学院
  • 2022-11-07 - 2023-01-10 - B60N2/28
  • 本发明公开了一种车用儿童安全椅背组件,用于安装于座椅主体结构上,包括椅背、头枕、调节组件以及锁定组件;所述椅背与座椅主体结构可拆卸连接,所述调节组件与头枕背离倚靠的一侧固定连接,所述椅背用于倚靠的一侧的上端与调节组件活动连接;所述调节组件能够使头枕和椅背之间发生竖向相对运动,从而调整头枕相对于椅背的高度;所述锁定组件与椅背活动连接,所述锁定组件上具有能够伸出或缩入椅背的限位块,所述限位块能够将头枕进行锁定或解锁;本发明通过多结构的配合设计,使得装置能够方便的对椅背进行高度调节,避免更换整个座椅的方式来满足乘坐儿童的乘坐,降低需要成本较高,且调节组件的结构较为简单,调节过程操作较为方便。
  • 一种儿童安全椅背组件
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110420049.2在审
  • 李琨琨;李志国;刘玉丽;隋振超 - 中芯北方集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-04-19 - 2022-10-21 - H01L27/11517
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在储存单元区与隔离区交界处的字线的侧壁、保护层的顶部,以及隔离区的栅绝缘层的顶部形成第一介质层,第一介质层还填充于隔离区的开口中;形成第一介质层之后,去除储存单元区的第一介质层、以及隔离区中位于栅绝缘层顶部的第一介质层,剩余的第一介质层位于隔离区的开口中;去除储存单元区的第一介质层、以及隔离区中位于栅绝缘层顶部的第一介质层之后,去除保护层;去除保护层后,在基底的顶部形成保形覆盖字线的阻挡层,阻挡层还覆盖隔离区中剩余第一介质层的顶部。降低了位线在后续退火工艺中因应力变化而产生位错的概率,从而提高了半导体的性能。
  • 半导体结构及其形成方法

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