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[发明专利]一种中空Znx-CN202110612545.8有效
发明人：潘军;鲁利利;刘洪沁;谭鹏飞;翟欢欢 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C01G11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的制备方法及其应用，其制备过程为，以二氧化硅纳米球作为模板，加入的Zn、Cd离子与氨水发生络合并在弱碱性条件下水解生成羟基络合物，其与硫脲反应，通过连续反应刻蚀首先形成ZnxCd1‑xS壳层生长于二氧化硅球的表面，随即加入强碱除去二氧化硅模板，获得中空ZnxCd1‑xS纳米球。本方法通过连续反应刻蚀法实现中空ZnxCd1‑xS固溶体纳米球的一步合成，避免在多步碱性刻蚀条件下Zn元素的损失。该方法制备的ZnxCd1‑xS具高光解水产氢活性，其在可见光照下最高实现2.52mmolg‑1h‑1产氢效率。此外，该制备工艺具合成简单、反应条件温和、原料丰富且低廉等优势。
一种中空 zn base sub

[发明专利]一种氮空位与羟基协同修饰石墨相氮化碳光催化剂及其制备和在光催化产氢中的应用-CN202011500100.2有效
发明人：潘军;翟欢欢;谭鹏飞;鲁利利;刘洪沁;刘勇 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮空位与羟基协同修饰石墨相氮化碳光催化剂及其制备和在光催化产氢中的应用。将三聚氰胺与草酰二肼混合后，进行煅烧，得到氮空位修饰g‑C3N4；将氮空位修饰g‑C3N4与氨水超声混合后，进行水热反应，即得氮空位与羟基协同修饰g‑C3N4光催化剂。该催化剂利用氮空位和羟基对光生电子‑空穴的协同作用提升g‑C3N4光催化剂的产氢速率，H2产率最高可达107.4μmol g‑1h‑1，且该催化剂的制备方法简单，成本低，有利于大规模生产。
一种空位羟基协同修饰石墨氮化光催化剂及其制备光催化中的应用