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[发明专利]一种利用刺梨凋落物生产刺梨富硒肥料的方法及装置-CN202210397304.0有效
发明人：赵本良;刘怡良;林庆祺;倪卓彪;章家恩;雷红涛;仇荣亮 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C05F17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用刺梨凋落物生产刺梨富硒肥的方法及装置，所述方法为将刺梨枯枝落叶和新鲜鸡粪进行好氧堆肥发酵，得到的堆肥发酵的渗滤液与硒盐混合得硒源，再在一定温度下向物料中供氧、供硒进行富硒堆肥发酵，再将富硒堆肥与提取剂混合，通气，提取上清液，离心，过滤，调节pH，即得促进刺梨富硒的堆肥提取液；所述堆肥提取液可以实现对刺梨植株的全过程生长调控，有效促进刺梨的硒元素累积。所述堆肥装置包括堆肥仓、自动供硒机构、自动供气机构、自动保温机构和湿度监测机构，使得堆肥过程简便，自动化，操作方便，无需复杂的程序，适用于刺梨凋落物富硒肥的生产。
一种利用刺梨凋落生产肥料方法装置

[发明专利]一种多天线设备之间物理层安全通信方法-CN202110512016.0有效
发明人： 刘怡良;苏洲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多天线设备之间物理层安全通信方法，保密设备发射机根据第一信道状态信息生成预编码向量，并根据预编码向量生成人工噪声信号；保密设备接收机根据第一信道状态信息计算得到保密信号检测向量，并根据保密信号检测向量对保密信号进行检测，以及对蜂窝用户信号进行消除；基站接收机根据第二信道状态信息计算得到蜂窝用户信号检测矩阵，并根据蜂窝用户信号检测矩阵对蜂窝用户信号进行检测，以及对保密信号和人工噪声信号进行消除。本发明在发射天线数目等于接收天线数目，即没有零空间的情况下注入人工噪声干扰窃听者，提高保密传输速率，同时不会对保密设备接收机产生影响。
一种天线设备之间物理层安全通信方法

[实用新型]一种生产富硒堆肥的装置-CN202220885768.1有效
发明人：赵本良;刘怡良;陈蕙洁;林庆祺;倪卓彪;章家恩;仇荣亮 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C05F17/964 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生产富硒堆肥的装置，包括堆肥仓，向堆肥仓中内堆肥物料提供硒元素的自动供硒机构，对堆肥仓内物料进行供气的自动供气机构，对堆肥仓内物料进行保温的自动保温机构及设置在堆肥仓内，对堆肥物仓内物料进行湿度监测的湿度监测机构。所述堆肥仓用作凋落物堆肥发酵的场所，自动供硒机构用于向堆肥仓内的堆肥机构物料提供硒源，同时配合自动供气机构，自动保温机构及湿度监测机构控制堆肥物料的反应条件，进行好氧堆肥发酵，从而得到富硒堆肥。本装置具有自动控温，控氧等功能，堆肥过程简便，自动化，原料来源广泛，成本低，操作方便，无需复杂的程序，可用于刺梨的富硒肥料以及促进各种作物富硒的有机肥料生产。
一种生产堆肥装置

[发明专利]软件无线电MISO系统的人工噪声实现方法-CN201911032014.0有效
发明人：孟维晓;闫富朝;王斌;李志强;刘怡良;韩帅 -专利权人：哈尔滨工业大学;中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H04K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于软件无线电的人工噪声辅助的MISO系统的验证平台实现方法。发射端对保密数据进行卷积编码，并经过QPSK调制和STBC空时编码，然后利用合法接收端信道估计反馈回来的信道信息找到发射端与合法接收端之间的零空间，并基于零空间内产生的人工噪声，最后将人工噪声和STBC空时编码后的保密数据一起发射出去，合法接收端和非法窃听端相应地进行空时解码，解调和卷积解码。本发明的人工噪声技术人为的增大了合法接收者和非法窃听者之间的噪声水平差距，提高了系统的安全通信速率，从而保证了通信的保密性；验证人工噪声方案以及功率分配方案等的有效性。
软件无线电 miso 系统人工噪声实现方法

[发明专利]一种V2V通信中基于资源分配的物理层安全方法及系统-CN201910185395.X有效
发明人：陈晓华;罗雪文;刘怡良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H04W4/46 文献下载
摘要：一种V2V通信中基于资源分配的物理层安全方法及系统，能够提高系统保密性能，属于无线通信技术领域。本发明包括：S1、当窃听者窃听蜂窝网络内全部车辆用户设备VUE的保密信息，以使所有车辆用户设备VUE的和保密容量最大为目的，对车辆用户设备VUE和蜂窝用户设备CUE分配复用的子载波，VUE和CUE具有相同的优先级；当窃听者只窃听蜂窝网络内部分VUE的保密信息，以使被窃听VUE的保密容量与未被窃听的VUE的信道容量之和最大为目的，对VUE和CUE分配复用子载波，VUE和CUE具有相同的优先级；S2、根据S1的子载波分配结果，求解复用相应子载波的VUE和CUE的传输功率。
一种 v2v 通信基于资源分配物理层安全方法系统

[发明专利]一种具有全双工基站蜂窝网络的D2D隐蔽通信系统及其通信方法-CN201910130494.8有效
发明人：王良民;蒋玉娥;陈晓华;陈向益;刘怡良;邬海琴;赵蕙 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H04W4/70 文献下载
摘要：本发明公开一种具有全双工基站蜂窝网络的D2D隐蔽通信系统及其通信方法，步骤为：建立具有全双工基站FD‑BS的D2D隐蔽通信模型、计算隐蔽性和吞吐量；D2D隐蔽通信模型利用全双工基站FD‑BS的空闲天线发送时变的人工噪声，在窃听者Willie的接收端引入不确定因子，实现D2D隐蔽通信；隐蔽性计算中，考虑D2D通信链路发送者DT和全双工基站FD‑BS对窃听者Willie的检测阈值具有不确定性，同时考虑窃听者Willie对相关通信链路的信道参数具有不确定性，采用平均最小错误检测概率来衡量隐蔽性；吞吐量计算中，以满足隐蔽性需求的前提下，D2D通信链路可实现的最大平均通信速率来衡量隐蔽吞吐量，在全双工基站FD‑BS的辅助下吞吐量得到有效提高。
一种具有双工基站蜂窝网络 d2d 隐蔽通信系统及其方法

[发明专利]层间膜的制造方法-CN201810840343.7有效
发明人： 刘怡良;于明非;林旭;陈建勋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间膜的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有半导体器件的图形结构的半导体衬底；步骤二、形成层间膜；步骤三、采用化学机械研磨工艺对的层间膜进行第一次平坦化，化学机械研磨工艺会使层间膜表面产生的刮伤；步骤四、形成第二介质层，层间膜的刮伤向上转移到第二介质层的表面且转移后的刮伤深度位于图形结构的表面上方；步骤五、采用刻蚀工艺去除第二介质层实现第二次平坦化并将刮伤消除。本发明能消除化学机械研磨工艺在层间膜表面形成的刮伤，并防止在刮伤中产生金属残留。
层间膜制造方法

[发明专利]浅沟槽绝缘结构的制造方法-CN201810207637.6有效
发明人：李昱廷;刘怡良;龚昌鸿 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟槽绝缘结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在一半导体衬底上形成硬质掩模层并形成浅沟槽；步骤二、在浅沟槽的底部表面和侧面以及浅沟槽外的硬质掩模层表面形成第一绝缘层；步骤三、形成第二绝缘层将浅沟槽完全填充并延伸到浅沟槽外；步骤四、以硬质掩模层为停止层对第二绝缘层和第一绝缘层进行化学机械研磨并形成由填充于浅沟槽中的第一绝缘层和所述第二绝缘层叠加而成的浅沟槽绝缘结构。本发明能提高整个衬底表面的平坦化效果，也能够使浅沟槽绝缘结构顶部的碟状缺陷降低或消除，能提高CMP效率。
沟槽绝缘结构制造方法

[实用新型]一种用于滴灌的节水型滴头-CN202020967936.2有效
发明人：罗雅婕;黄荷卉;刘怡良;鲜志浩;葛慧 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： A01G25/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于滴灌的节水型滴头，其中，连接管为三段式结构，连接管上段内腔为漏斗形，连接管中段内腔为圆柱形，连接管中段内腔与连接管上段内腔相连通，连接管下段为开设有外螺纹的螺纹连接段。锥头开设有与螺纹连接段相匹配的内螺纹，并与螺纹连接段螺纹连接。连接管上段内腔开设有内螺纹，调节螺母旋接在连接管上段内腔中，微型电动调节阀与调节螺母焊接相连并保持流道连通，微型电动调节阀另一侧连接导水管。锥头内设置有用于防堵塞的第一滤膜。本实用新型的滴头流量可控，用水节约。
一种用于滴灌节水型滴头

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201811060371.3有效
发明人：李昱廷;却玉蓉;刘怡良;龚昌鸿;陈建勋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述半导体器件包括衬底，所述衬底上形成有多个多晶硅栅结构、在所述多个多晶硅栅结构的侧壁形成有侧墙保护结构，该制造方法更包括：通过HARP DEP工艺，形成第一层介电层，所述第一层介电层覆盖所述多晶硅栅结构及所述多晶硅栅结构之间的间隙；通过HDP DEP工艺，在所述第一层介电层上形成的第二层介电层，以使所述第一层介电层和所述第二层介电层共同构成介电层零；以及介电层零化学机械研磨工艺，以解决大线宽处介电层上存在金属残留的问题。
半导体器件制造方法

[发明专利]层间膜的制造方法-CN201810657920.9有效
发明人：李昱廷;刘怡良;却玉蓉;龚昌鸿;陈建勋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间膜的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有半导体器件的图形结构的半导体衬底；步骤二、在图形间隔区的底部表面和侧面及图形间隔区外的图形结构的表面形成第一绝缘层；步骤三、形成第二绝缘层将图形间隔区完全填充并延伸到所述图形间隔区外；步骤四、以图形结构为停止层对第二绝缘层和第一绝缘层进行化学机械研磨并形成由填充于图形间隔区中的第一和第二绝缘层叠加而成的层间膜。本发明能使图形间隔区顶部的层间膜表面的碟状缺陷降低或消除，提高整个层间膜的平坦性以及提高半导体器件的电学性能。
层间膜制造方法

[发明专利]一种面向5G蜂窝网物理层安全的D2D隐蔽通信系统及其通信方法-CN201810634774.8有效
发明人：王良民;蒋玉娥;赵蕙;刘怡良;陈晓华;宋香梅;邬海琴 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H04W4/70 文献下载
摘要：本发明公开一种面向5G蜂窝网物理层安全的D2D隐蔽通信系统及其通信方法，包含联合辅助隐蔽通信模型构建，隐蔽性计算和吞吐量计算，联合辅助隐蔽通信模型将普遍认为不利的干扰链路转化为友好的辅助者，在BS蜂窝信号和D2D非隐蔽信号的联合辅助下，动态分配各发送端的功率，在窃听者Willie的检测端引入动态变化的功率，有效提高隐蔽性和吞吐量；隐蔽性计算中，基于D2D通信对Pair m的发送端是否已知窃听者Willie的检测阈值，分别采用错误检测概率和最小错误检测概率衡量系统的隐蔽性；吞吐量计算中，通过调整隐蔽信号的发送功率，获得大于零的平均隐蔽率即吞吐量，且在D2D通信对Pair m接收端进行干扰消除有效提高系统的吞吐量。
一种面向蜂窝物理层安全 d2d 隐蔽通信系统及其方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201810330470.2有效
发明人： 刘怡良;李昱廷;龚昌鸿;陈建勋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有栅极结构，源漏区，CESL层和第一层间膜的半导体衬底；步骤二、形成硬质掩膜层；步骤三、形成第二层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、以硬质掩膜层为停止层进行第一次接触孔刻蚀；步骤六、以接触孔刻蚀阻挡层为停止层进行第二次接触孔刻蚀；步骤七、在二次刻蚀后的接触孔的开口中填充金属形成对应的接触孔。本发明能提高接触孔的开口的底部宽度，从而能改善接触孔的金属填充能力并防止金属空洞形成。
接触制造方法

[实用新型]一种升降式渠道清淤装置-CN201921377770.2有效
发明人：鲜志浩;罗雅婕;黄荷卉;刘怡良 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： E02F5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种升降式渠道清淤装置，主要包括螺旋桨、除草机构以及电动机仓。螺旋桨包括桨叶和固定头，其中桨叶与固定头固定连接。除草机构包括刀座、缓冲垫、垫圈以及限位座。刀座上表面设有缓冲凹槽和若干个可拆卸安装刀片的限位孔，缓冲垫过盈配合安装在缓冲凹槽内。电动机仓包括双向输出电动机和仓体，双向输出电动机设置于仓体的内部且双向输出电动机的前输出轴穿出仓体的前部，双向输出电动机的后输出轴穿出仓体的后部，螺旋桨通过固定头与桨座的配合可传动安装在前输出轴上。本实用新型结构简单，小巧便携易于拆卸、检修以及零件更换。适应不同水位及各个方位淤泥的处理，且设置除草机构防止水草等杂物对装置正常运行的不良影响。
一种升降渠道清淤装置

[发明专利]基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法-CN201910375830.5在审
发明人：蔡齐航;谢亚珍;康冀恺;刘怡良;余维松;许雅雯 -专利权人：宜特（上海）检测技术有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TEM衍射理论的平面样品的缺陷拍摄方法包括以下步骤：步骤1：在TEM衍射条件下，倾转试片使双束菊池线(1)对分别通过直射点(2)和衍射点(3)的中心，偏离因子s等于0，此时TEM影像图中样品的缺陷模糊；步骤2：继续倾转试片，使双束菊池线(1)对向衍射点(3)的方向移动，使双束菊池线(1)从直射点(2)和衍射点(3)的中心偏离，偏离因子s大于0，此时TEM影像图中样品的缺陷清晰；步骤3：在步骤2的衍射条件下，找到缺陷位置并拍摄缺陷的明场像图片。本发明利用偏离因子s稍大于零的条件下明场像具有最大影像强度的原理，对光电材料平面结构进行缺陷分析，可在TEM中直观且清晰的看到缺陷的详细形貌。
衍射平面样品衍射条件偏离直射明场像影像图倾转试片拍摄形貌方向移动光电材料平面结构缺陷分析缺陷位置中心偏离清晰对向影像直观模糊图片

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