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[发明专利]一种深紫外发光二极管结构及其制备方法-CN202111286135.5有效
发明人：李祈昕;刘宁炀;何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法，包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层，所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极，所述P型层上设置有P型金属电极，所述N型AlGaN层台面结构区域与N型金属电极之间设置有不连续成膜的微纳图形。深紫外发光二极管结构的制作方法中通过修复型ICP刻蚀对所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层台面结构区域进行刻蚀，消除了刻蚀形成的表面态并修复刻蚀损伤，改善金属与N型AlGaN层的欧姆接触特性。
一种深紫发光二极管结构及其制备方法

[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法-CN202110389654.8有效
发明人：程川;刘宁炀;何晨光;李成果;陈志涛;李述体;姜南 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。
增强 hemt 氮化物制备方法应用

[发明专利]纳米图形衬底的制备方法-CN202111651524.3有效
发明人： 刘宁炀;李祈昕;杨荣宜;曾昭烩;任远;何晨光;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。
纳米图形衬底制备方法

[发明专利]实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用-CN202310748247.0在审
发明人：何晨光;张康;刘宁炀;吴华龙;廖乾光;刘云洲;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释放应力，避免出现缓冲层开裂或表面粗糙的情况，然后将生长得到的预缓冲层进行高温退火，缓冲层的Al基材料重结晶，晶格重新排列，从而获得质量更好的缓冲层。此外，通过形成相互连通的网状凹陷区，使得在剥离衬底时，剥离剂能够在网状凹陷区内相互流通，并腐蚀凸起区与衬底接触的Si介质层，从而使得缓冲层与衬底迅速剥离，剥离方法简单，剥离成功率高。
实现衬底重复利用器件制备方法及其应用

[发明专利]便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用-CN202310578228.8在审
发明人：贺龙飞;赵维;李娟;何晨光;高轮添;刘宁炀;吴华龙;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，以使复合有源区在正向电流注入下能够同时发射可见光和深紫外光。本发明通过将可见光量子阱区设置在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，使得可将光量子阱区产生的可见光在经过深紫外量子阱区时也不会被吸收，不会影响深紫外量子阱辐射深紫外光。
便于探测紫外发光芯片制备方法应用

[发明专利]一种玻璃基板芯片的制备方法、玻璃基板芯片及应用-CN202111612618.X有效
发明人：曾昭烩;李叶林;黄昌;陈博谦;杨荣宜;劳建毅;刘宁炀;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃基板芯片的制备方法、玻璃基板芯片及应用，涉及玻璃基板芯片技术领域。玻璃基板芯片的制备方法是通过先在基材衬底上形成含铬的硬掩膜层和光刻胶层，通过曝光在光刻胶层上形成目标流道图形，通过对硬掩膜层进行腐蚀以使目标流道图形转移至硬掩膜层上，然后采用第一浓度酸腐蚀液对基材衬底进行多次流道腐蚀并控制腐蚀速率，可以使微反应器深度与进出流道深度差更小，之后采用第二浓度酸腐蚀液进行腐蚀可以对流道粗糙度进行修饰，以获得圆滑平整的流道。通过玻璃基板芯片片制备工艺的改进，可以制备出微反应器深度与进出流道深度差更小、流道圆滑平整、粗糙度低的玻璃基板芯片，而且适合大批量生产，利于市场推广应用。
一种玻璃芯片制备方法应用

[发明专利]一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法-CN202310373026.X在审
发明人：赵捷;刘宁炀;谭起龙;李祈昕;曾昭烩;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法包括：提供复合衬底，并在复合衬底上形成发光外延片；刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，在纳米孔洞内沉积第一钝化层，并沉积Al金属颗粒；采用钝化材料填充纳米孔洞；沉积P电极与Al金属反射镜，通过金属键合层与导电衬底连接，并剥离复合衬底；研磨或刻蚀直至n‑AlGaN层，之后在n‑AlGaN层上进行选区刻蚀形成微纳米孔洞；在未刻蚀n‑AlGaN的区域上沉积N电极。本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法，能够进一步提高器件的光提取效率以及发光效率，还能实现大功率发射。
一种垂直结构深紫 led 器件及其制备方法

[发明专利]一种增强空穴注入的异质结构LED器件-CN201710587594.4有效
发明人： 刘宁炀;陈志涛;王巧;王君君;林丹;赵维;龚政 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种增强空穴注入的异质结构LED器件，包括衬底及衬底上的外延结构，所述外延结构包括沿外延生长方向依次设置的缓冲层、非故意掺杂层、n型电子漂移层、多量子阱发光有源区、p型电子阻挡层、p型空穴漂移层和p型接触层，所述n型电子漂移层上设置有n型欧姆接触电极，所述p型接触层上设置有p型欧姆接触电极，所述p型电子阻挡层由沿外延生长方向依次设置的p‑AlxGa1‑xN层、p‑Iny1Ga1‑y1N/p‑Iny2Ga1‑y2N/p‑Iny3Ga1‑y3N复合层及p‑AlzGa1‑zN层构成。本发明能够在保证对电子较好的阻挡作用、不增加器件工作电压的基础上，有效地提高空穴浓度和空穴漂移速率，缓解Mg受主激活能大、空穴迁移率低造成的不利影响，大大增强了空穴注入，从而提高了器件发光效率。
一种增强空穴注入结构 led 器件

[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法-CN202011645381.0有效
发明人：任远;程川;陈志涛;刘宁炀;赵维;姜南 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的p型氮化物层直至露出第二保护层，并形成p型氮化物栅；步骤S3：通过第二刻蚀去除栅极区域以外的第二保护层，选用的第二刻蚀使得在相同刻蚀条件下，第二刻蚀对第二保护层的刻蚀速率高于其对第一保护层的刻蚀速率。通过第一刻蚀去除p型氮化物层时，受损的第二保护层可以通过对第一保护层损伤较小的第二刻蚀去除，从而能够精确地控制刻蚀的深度和均匀性。
增强 hemt 氮化物制备方法及其

[发明专利]一种生物传感器及其制作方法-CN201910996342.6有效
发明人：卢瀚仑;陈志涛;刘宁炀;任远;梁锡辉 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本申请提供了一种生物传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层，然后沿所述栅电极层外延生长过渡层，并对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起，最后沿所述过渡层的表面偶联生物活性分子，以形成所述生物传感器，其中，所述生物活性分子分布于每个凸起的表面和/或每两个凸起之间。本申请提供的生物传感器及其制作方法具有承载的生物活性分子的量更加灵活的效果。
一种生物传感器及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及其制作方法-CN202211481323.8在审
发明人：何晨光;张康;吴华龙;刘宁炀;陈志涛;赵维;贺龙飞;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于衬底的一侧制作主体层，其中，主体层包括逐层生长的第一电注入层、发光层以及第二电注入层，通过刻蚀工艺沿第二电注入层的位错进行刻蚀，以在主体层上形成刻蚀坑，其中，部分或全部刻蚀坑的深度达到发光层；沿主体层的表面沉积钝化层，其中，钝化层位于刻蚀坑内与第二电注入层的台面；对钝化层进行部分去除，并露出第二电注入层的台面，沿第二电注入层的台面与第一电注入层制作电极。本申请提供的发光二极管及其制作方法具有提升了发光二极管的内量子效率、出光效率以及使用寿命的优点。
一种发光二极管及其制作方法

[发明专利]AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法-CN202011554637.7有效
发明人：王巧;刘宁炀;梁锡辉;林丹;胡金花;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。AlGaN基半导体紫外器件包括衬基底以及在衬基底上依次生长的缓冲层、n型电子注入层、AlGaN发光有源层、非均布量子阱结构层、p型AlGaN电子阻挡层、p型空穴注入层和接触层；AlGaN发光有源层包括沿生长方向依次层叠设置的量子阱发光层和量子势垒层，量子阱发光层包括AlxGa1‑xN，量子势垒层包括AlyGa1‑yN，其中，0.001≤xy≤1；非均布量子阱结构层包括AlGaN、且Al组分在生长方向上呈非均匀分布。这样能够有效地利用载流子分布不均匀的特性来提高器件的载流子注入效率，提升内量子效率和发光效率的提升。
algan 半导体紫外器件及其制备方法

[发明专利]基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用-CN202211203872.9在审
发明人： 刘宁炀;谭起龙;曾昭烩;李祈昕;何晨光;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明公开一种基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用，其中，基于超构表面提高LED光提取效率的方法包括步骤S10：在LED芯片的出光面上制备至少一个超构单元，所有的超构单元在出光面上形成超构表面，以形成LED器件，超构单元的厚度处处相等，且超构单元设置成能够对出光面进行‑φ(x，y)的相位补偿，其中，λ0为LED芯片的中心波长，f为LED芯片中的多量子阱至出光面的光程。即使每个超构单元的厚度处处相等，也能够实现0～2π范围内局域场相位的任意调制，以实现对出光面的出射光进行相位调制，使出射光的波前能够近似为平面光，以在简化超构单元的形状的同时提高制备得到的LED器件的光提取效率。
基于表面提高 led 提取效率方法相应器件应用

[发明专利]一种内嵌功率器件的印刷电路板-CN202011331099.5有效
发明人：陈博谦;许毅钦;陈锦标;任远;刘宁炀 -专利权人：鹤山市世拓电子科技有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种内嵌功率器件的印刷电路板，包括若干绝缘层和若干导电层，还包括绝缘散热基材电路模块；所述绝缘散热基材电路模块设置于所述印刷电路板内部，包括绝缘散热基材和设置于所述绝缘散热基材内部的功率器件和金属体，所述功率器件通过所述金属体连接至所述导电层；不包含所述绝缘散热基材电路模块的绝缘层内贯穿地设置金属体，用于将所述绝缘散热基材的热量传导至所述印刷电路板的表面。本发明实施例提供的技术方案，有利于印刷电路板的小型化、集成化，同时提高了印刷电路板的散热能力。
一种功率器件印刷电路板

[发明专利]磁性确定的钙钛矿氧化物薄膜及其磁性可调的制备方法-CN202110686940.0有效
发明人：王长安;刘宁炀;董斌;李全同;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性确定的钙钛矿氧化物薄膜及其磁性可调的制备方法，其中，磁性可调的钙钛矿氧化物薄膜的制备方法包括通过离子注入的方式在钙钛矿氧化物薄膜中注入原子半径不大于Ar离子的惰性气体离子。由于原子半径不大于Ar离子的惰性气体离子注入不会在钙钛矿氧化物薄膜中引入额外的电子或空穴，也不会占据钙钛矿的晶格格点位置，而是占据了钙钛矿氧化物薄膜的晶格中的间隙位置，形成间隙缺陷，导致钙钛矿氧化物原子间距变化，引发钙钛矿氧化物晶格的其中一个晶轴方向上的参数发生变化。由于原子半径不大于Ar离子的惰性气体离子的注入导致钙钛矿氧化物原子间距增大，导致磁性原子相互作用变弱，从而导致体系磁性变弱，磁化强度减小。
磁性确定钙钛矿氧化物薄膜及其可调制备方法

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