专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法-CN202111483678.6有效
  • 齐胜利;温荣吉;周飚;刘亚柱 - 宁波安芯美半导体有限公司
  • 2021-12-07 - 2023-08-01 - H01L33/02
  • 本发明属于半导体电子器件技术领域,具体涉及一种基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片的制备方法。该方法主要在buffer阶段进行工艺优化,在生长buffer阶段温度梯度循环变化生长,三甲基铝源长通,NH3周期变化通入。优化的buffer层长完后,再岛状(3D)及二维(2D)生长,制得氮化铝过渡层;在所述氮化铝过渡层上依次生长非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和P型接触层,制得基于蓝宝石衬底的氮化铝外延片。通过该工艺生长的AlN薄膜材料,可以改变位错的倾斜行为,减少位错密度,减少AlN外延片裂纹,提高晶体质量,获得较好的AlN薄膜材料,从而达到直接改善产品的器件光电性能。
  • 一种基于蓝宝石衬底氮化外延制备方法
  • [实用新型]一种空调杀菌装置-CN202220736798.6有效
  • 吕振兴;齐胜利;刘亚柱;余康宁 - 宁波安芯美半导体有限公司
  • 2022-03-30 - 2022-11-22 - F24F1/0076
  • 本实用新型公开了一种空调杀菌装置,包括:壳体;进气口,设置在所述壳体的第一侧面上;出气口,设置在所述壳体的第二侧面上,且所述第二侧面的一侧与所述第一侧面的一侧连接;绕流板,一侧固定在所述第一侧面与所述第二侧面连接处,另一侧向第三侧面悬伸,且所述绕流板的另一侧与所述第三侧面之间存在间隙,其中,所述第三侧面与所述第一侧面相对设置;以及杀菌模组,设置所述壳体的内壁上,且所述杀菌模组处于所述间隙处。本实用新型通过公开了一种空调杀菌装置,可提高空调的杀菌效果。
  • 一种空调杀菌装置
  • [实用新型]一种抑菌照明两用LED的封装结构-CN202123314322.8有效
  • 刘松;陆现彤;杨伟伟;刘亚柱;齐胜利 - 宁波安芯美半导体有限公司
  • 2021-12-27 - 2022-07-05 - H01L33/48
  • 一种抑菌照明两用LED的封装结构,包括:基板、抑菌LED、照明LED、围坝层和抑菌透光部;照明LED和抑菌LED均设置在基板上,围坝层设置在基板上,围坝层形成围绕抑菌LED的第一围坝和围绕照明LED的第二围坝;抑菌透光部设置在第一围坝上用于密封抑菌LED,所述第二围坝内填充有覆盖照明LED的荧光胶,所述荧光胶形成照明透光部。本实用新型中,抑菌LED和照明LED分穴设置,有利于两者独立封装,从而在抑菌LED和照明LED一体化设置的同时,保证抑菌LED和照明LED均可采用最适宜的封装方式,保证该封装结构下对抑菌光线和照明光线的品质兼顾,保证了该封装结构同时实现了优良的杀菌功能和照明功能。
  • 一种照明两用led封装结构
  • [实用新型]一种末端杀菌装置-CN202121762602.2有效
  • 亓培剑;吴化胜;齐胜利;钱凌龙;苗延镇;梁晖;刘亚柱;吕振兴 - 宁波安芯美半导体有限公司
  • 2021-07-30 - 2022-07-05 - C02F1/32
  • 一种末端杀菌装置,包括:进水端、连接部、出水端和杀菌部;进水端和出水端均与杀菌部连接,进水端内设有进水流道,出水端内设有出水流道,杀菌部内设有消杀腔;进水流道、消杀腔和出水流道依次连通,消杀腔内设有杀菌模块;进水端位于出水端上方,且进水端朝上开口,出水端朝下开口;连接部设置在进水端上,连接部用于连接外部出水装置。通过连接部可将进水端与任意外部出水装置连接,即实现在现有的出水装置例如水龙头上加装该末端杀菌装置,从而对出水装置输出的水流进行消杀,保证用水安全。
  • 一种末端杀菌装置
  • [发明专利]一种半导体结构及制备方法与应用-CN202210097167.9在审
  • 吕振兴;齐胜利;刘亚柱;赵耀;张丽 - 宁波安芯美半导体有限公司
  • 2022-01-27 - 2022-05-13 - H01L33/24
  • 本发明提出了一种半导体结构及制备方法与应用,所述制备方法,至少包括以下步骤:提供一衬底;在所述衬底上形成半导体外延层,且所述半导体外延层包括依次设置的第一类型半导体层、量子阱层和第二类型半导体层;通入第一类型气体,刻蚀所述半导体外延层一侧的第二类型半导体层、量子阱层以及预设厚度的第一类型半导体层;通入第二类型气体,刻蚀修复刻蚀后的所述第一类型半导体层,形成修复层;在所述修复层上形成第一电极;以及在所述第二类型半导体层上形成第二电极。本发明提供的一种半导体结构及制备方法与应用,能有效改善半导体结构电极的欧姆接触困难的问题。
  • 一种半导体结构制备方法应用
  • [发明专利]图形化氮化铝复合衬底、深紫外LED外延结构及制备方法-CN202110002544.1有效
  • 齐胜利;郭丽彬;刘亚柱 - 宁波安芯美半导体有限公司
  • 2021-01-04 - 2022-03-08 - H01L33/12
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种图形化氮化铝复合衬底、由该复合衬底制备的深紫外LED外延结构及该深紫外LED外延结构的制备方法。所述图形化氮化铝复合衬底由蓝宝石衬底、图形化氮化铝层组成,且图形化氮化铝层为表面压印有孔型图案的氮化铝层;所述深紫外LED外延结构结构从下到上依次由图形化氮化铝复合衬底、外延氮化铝层、n型AlGaN接触层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、p型AlGaN层和p型GaN外延层。本发明通过匹配溅射氮化铝退火温度和纳米压印图形周期尺寸可以控制复合衬底上外延氮化铝的应力状态,制备几乎无应力的氮化铝薄膜,在此基础上的深紫外LED裂纹面积小、晶体质量高,因此良率高、光电性能优越。
  • 图形氮化复合衬底深紫led外延结构制备方法

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