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- [发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014195.8在审
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五来亮平;合田步美
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凸版光掩模有限公司
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2022-02-04
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2023-09-29
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G03F1/24
- 提供抑制投影效应的影响、并且具备高转印性能的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上并反射入射光的反射部(17)、以及形成在反射部(17)上并吸收入射光的低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14)和相移层(15)的至少2层以上的层叠结构体，在反射部(17)上依次层叠吸收层(14)和相移层(15)，构成吸收层(14)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足消光系数k＞0.04，构成相移层(15)的材料相对于波长13.5nm的光学常数满足折射率n＜0.94、并且满足消光系数k＜0.02。
- 反射型光掩模坯以及型光掩模
- [发明专利]反射型掩模以及反射型掩模的制造方法-CN202180069205.3在审
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市川显二郎;合田步美;中野秀亮;山形悠斗
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凸版光掩模有限公司
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2021-10-08
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2023-06-27
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C23C14/14
- 本发明的目的在于提供能够减少投影效应、且充分地具备氢自由基耐性的反射型掩模以及反射型掩模的制造方法。本实施方式涉及的反射型掩模(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上的具有多层膜结构且反射EUV光的反射膜(12)、形成在反射膜(12)上且保护反射膜(12)的保护膜(13)、形成在保护膜(13)上的吸收EUV光的吸收膜图案(14a)、以及形成在吸收膜图案(14a)上的氧化覆膜(15)，吸收膜图案(14a)含有Sn和除Sn以外的金属元素，并且相对于除Sn以外的金属元素的合计原子量，Sn的原子量比(Sn/除Sn以外的金属元素)在1以上且小于20的范围内，氧化覆膜(15)对于氢自由基具有耐性，形成在吸收膜图案(14a)的表面和侧面。
- 反射型掩模以及制造方法
- [发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180064457.7在审
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松井一晃;合田步美
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凸版光掩模有限公司
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2021-09-27
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2023-06-23
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G03F1/54
- 本发明提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第2材料群的材料的层，第1材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧减少，第2材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面(4a)侧增加。第1材料群为Te、Co、Ni、Pt、Ag、Sn、In、Cu、Zn、Bi、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物，第2材料群为Ta、Cr、Al、Si、Ru、Mo、Zr、Ti、Zn、In、V、Hf、Nb、以及它们的氧化物、氮化物及氧氮化物。
- 反射型光掩模坯以及型光掩模
- [发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法-CN201880021110.2有效
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坂本好史;小岛洋介;长友达也
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凸版光掩模有限公司
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2018-04-02
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2023-06-20
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G03F1/32
- 本发明的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的光掩模坯料和光掩模。光掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的光掩模所使用的光掩模坯料(200)，所述光掩模坯料(200)具备：透光性基板(103)；形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102)，相移膜(102)对曝光光的透光率为30％以上；和形成在该相移膜(102)上的遮光膜(101)。相移膜(102)是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜(102b)、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜(102a)而构成的，所述第1相移膜(102b)的折射率n1为2.5以上2.75以下，衰减系数k1为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜(102a)的折射率n2为1.55以上2.20以下，衰减系数k2大于0且为0.1以下。
- 光掩模坯料制造方法
- [发明专利]反射型掩模坯以及反射型掩模-CN202180032346.8在审
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市川显二郎;合田步美;中野秀亮
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凸版光掩模有限公司
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2021-05-12
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2022-12-16
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G03F1/24
- 提供即使在使用高吸收性材料作为EUV掩模的吸收膜的情况下也可以形成微细的吸收膜图案，从而能够减轻投影效应、且能够进行电子束校正蚀刻的反射型掩模以及用于制作该反射型掩模的反射型掩模坯。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、形成在基板(1)上的具有多层膜结构且反射EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上且保护多层反射膜(2)的封盖层(3)、以及形成在封盖层(3)上且吸收EUV光的吸收膜(4)，吸收膜(4)包含50原子％以上的构成氧化锡(SnO)和氧化铟(InO)中的至少一者的元素，并且包含容易被氟系气体或氯系气体蚀刻的材料。
- 反射型掩模坯以及型掩模
- [发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202180029440.8在审
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中野秀亮;合田步美;市川显二郎
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凸版光掩模有限公司
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2021-04-28
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2022-12-06
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G03F1/24
- 本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及在反射层(2)上形成的吸收层(4)，吸收层(4)由含有合计为50原子％以上的铟(In)和氧(O)的材料形成，吸收层(4)中的氧(O)相对于铟(In)的原子数比(O/In)超过1.5，吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。
- 反射型光掩模坯型光掩模
- [发明专利]反射型光掩模坯和反射型光掩模-CN202080082067.8在审
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中野秀亮;合田步美;市川显二郎
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凸版光掩模有限公司
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2020-11-25
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2022-08-19
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G03F1/24
- 本发明的目的在于提供能够抑制或减轻以极端紫外区域的波长的光为光源的图案化转印用的反射型光掩模的投影效应、且对氢自由基具有耐性的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)是用于制作以极端紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的反射型光掩模坯，具有：基板(1)、在基板(1)上形成的包含多层膜的反射层(2)、以及形成在反射层(2)上的吸收层(4)，吸收层(4)由含有合计为50原子％以上的锡(Sn)和氧(O)的材料形成，吸收层(4)中的氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过2.0，吸收层(4)的膜厚在17nm以上45nm以下的范围内。
- 反射型光掩模坯型光掩模
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