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[发明专利]用于与LED结合使用的重发光半导体载流子器件及其制造方法-CN201080030361.0无效
发明人：特里·L·史密斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;孙晓光;杨朝晖;托德·A·巴伦;埃米·S·巴尔内斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-05-03 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了与LED结合使用的重发射半导体构造(RSC)以及有关器件、系统和方法。制造方法包括提供半导体基底、在所述基底的第一侧面上形成半导体层叠件、将载体窗口附接到所述层叠件、以及在所述附接步骤之后移除所述基底。层叠件包括有源区，所述有源区适于将第一波长λ1的光转换成第二波长λ2的可见光，所述有源区包括至少第一势阱。实施所述附接步骤，使得所述层叠件设置在所述基底和所述载体窗口之间，所述载体窗口透射所述第二波长λ2。所述载体窗口也可具有大于所述层叠件的横向尺寸。实施所述移除步骤，以便得到RSC载体器件，所述RSC载体器件包括所述载体窗口和所述层叠件。
用于 led 结合使用发光半导体载流子器件及其制造方法

[发明专利]像素化LED-CN201080042179.7无效
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;杨朝晖 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明描述了一种像素化发光二极管(LED)以及将LED像素化的方法。所述像素化LED包括两个或更多个单片集成的电致发光元件，其彼此相邻地设置在基底上，其中每一电致发光元件紧邻所述基底的至少一部分包括倒置截棱锥形状。将LED像素化的所述方法包括从LED的主表面选择性地移除材料至低于发射区的深度，从而形成倒置截棱锥形状的阵列。可通过采用截棱锥形来提高像素化LED的效率。另外，可通过采用截棱锥形状来减少相邻LED像素之间的串扰。
像素 led

[发明专利]具有增大的提取效率的再发光半导体构造-CN201080030323.5无效
发明人：杨朝晖;易亚沙;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;特里·L·史密斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明整体涉及固态半导体光源以及相关的器件、系统、和方法。半导体层叠堆(310)形成再发光半导体构造(RSC)。叠堆(310)包括将第一波长的光转换成第二波长的光的有源区(316)，有源区(316)包括至少一个势阱。叠堆(310)还包括从叠堆的外表面延伸到有源区的无源区(318)。凹陷(326)形成于叠堆(310)中，且凹陷(326)从外表面延伸到无源区(318)内。平均凹陷深度为无源区的厚度的至少50％。作为另外一种选择，平均凹陷深度为最近势阱距离的至少50％。本发明还公开了凹陷(326)的其他可供选择的特征。凹陷(326)可在平面图中具有至少40％的堆积密度。凹陷(326)的投影表面积的相当大一部分还可与倾斜表面相关。
具有增大提取效率再发半导体构造

[发明专利]制备双面波长转换器和使用所述双面波长转换器的光产生装置的方法-CN200980156982.0无效
发明人：托米·W·凯利;安德鲁·J·乌德科克;凯瑟琳·A·莱瑟达勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及形成光转换元件的方法，该方法包括提供具有与第二光致发光元件一起外延生长的第一光致发光元件的半导体结构。从所述半导体结构的第一侧蚀刻所述第一光致发光元件内的第一区域，并且从所述半导体结构的第二侧蚀刻所述第二光致发光元件内的第二区域。在一些实施例中，所述波长转换器附着于电致发光元件，例如发光二极管(LED)。
制备双面波长转换器使用产生装置方法

[发明专利]具有双面波长转换器的光产生装置-CN200980156984.X无效
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;安德鲁·J·乌德科克;托米·W·凯利 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光装置(200)，其包括附着于发光二极管(LED202)的波长转换器(204)。所述波长转换器可在第一面和第二面上具有蚀刻图案。在一些实施例中，所述转换器的第一面和第二面均包括其顶部宽度不同于其底部宽度的相应结构。所述波长转换器可包括基本上覆盖LED的第一区域(218)而没有覆盖LED的第二区域(224)的第一光致发光元件(208)，而第二光致发光元件(210)基本上覆盖第二区域而没有覆盖第一区域。在一些实施例中，在所述第一面的蚀刻图案上方设置钝化层。可以在第一光致发光元件和第二光致发光元件之间设置窗层，使非外延材料设置在窗层的一个区域的第一面和第二面上。
具有双面波长转换器产生装置

[发明专利]具有光阻挡元件的光源-CN200980142939.9无效
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托德·A·巴伦;托马斯·J·米勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了发光系统。所述发光系统包括电致发光装置，所述电致发光装置从其顶部表面发射第一波长的光。所述发光系统还包括邻近电致发光装置的侧面的构造，所述构造用于阻挡否则会离开侧面的第一波长的光。所述发光系统还包括含有II-VI势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收离开所述电致发光装置的所述第一波长的光并且将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发射强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发射强度的至少4倍。
有光阻挡元件光源

[发明专利]电像素化发光装置-CN200980143270.5有效
发明人：詹姆斯·E·安德森;尼科尔·J·瓦格纳;托米·W·凯利;安德鲁·J·乌德科克;克雷格·R·沙尔特;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;菲利普·E·沃森 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H03K19/177 文献下载
摘要：本发明公开了以下内容：电像素化发光装置；用于形成电像素化发光装置的方法；包括电像素化发光装置的系统；用于电像素化发光装置的方法。
像素发光装置

[发明专利]具有高纵横比的单色光源-CN200980142460.5无效
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托德·A·巴伦 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了发光系统。所述发光系统包括发射第一波长的光的LED。所述发射的第一波长的光的主要部分从所述LED的最小横向尺寸为Wmin的顶部表面离开所述LED。所述发射的第一波长的光的其余部分从所述LED的最大边缘厚度为Tmax的一个或多个侧面(122、124)离开所述LED。所述Wmin/Tmax之比为至少30。所述发光系统还包括具有半导体势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收从所述顶部表面离开所述LED的所述第一波长的光，并且将所述接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。
具有纵横单色光源

[发明专利]单色光源-CN200980142956.2无效
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01S5/327 文献下载
摘要：本发明公开了发光系统。该发光系统包括发射第一波长的光的电致发光装置。该发光系统还包括增强从发光系统的顶面的光发射并抑制从发光系统的一个或多个侧面的光发射的共振腔。该光腔包括可接收所发射的第一波长的光并将接收光的至少一部分转换为第二波长的光的半导体多层叠堆。该半导体多层叠堆包括II-VI势阱。离开发光系统的第二波长所有光的积分发光强度为离开发光系统的第一波长所有光的积分发光强度的至少10倍。
单色光源

[发明专利]具有改善的单色性的光源-CN200980142462.4无效
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;托德·A·巴伦;托马斯·J·米勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了发光系统。所述发光系统包括LED，所述LED发射第一波长的光，并且包括下述图案，所述图案增强从所述LED的顶部表面发射光，并且抑制从所述LED的一个或多个侧面发射光。所述发光系统还包括含有II-VI势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收离开所述LED的所述第一波长的光，并且将所述接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。
具有改善单色性光源

[发明专利]稳定光源-CN200980135300.8有效
发明人：迈克尔·A·哈斯;詹姆斯·A·蒂伦;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;比利·L·韦弗;特里·L·史密斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了发光系统。所述发光系统发射具有第一颜色的输出光。所述发光系统包括响应于第一信号发射第一波长的光的第一电致发光装置。第一波长基本上独立于第一信号。所发射的第一波长光的强度基本上与第一信号成比例。所述发光系统还包括第一发光元件，该第一发光元件包括第二电致发光装置和第一光转换层。第二电致发光装置响应于第二信号发射第二波长的光。第一光转换层包括半导体势阱并将第二波长的光的至少一部分转换为比第二波长长的第三波长的光。所述发光系统将第一波长的光与第三波长的光组合，以形成第一颜色的输出光。当第一和第二信号中的一个从该信号的最大额定值的约50％变化至所述最大额定值的约100％，但是第一信号与第二信号之比基本上保持不变时，输出光的第一颜色基本上保持不变。
稳定光源

[发明专利]接合有半导体波长转换器的发光二极管-CN200980121095.X无效
发明人：迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;安德鲁·J·乌德科克;托米·W·凯利;凯瑟琳·A·莱瑟达勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以泵浦波长发光的电致发光器件。第一光致发光元件覆盖所述电致发光器件的第一区域和第二区域，并且将至少一些来自所述电致发光器件的所述第一区域的所述泵浦光转换为第一波长的光。第二光致发光元件覆盖所述电致发光器件的所述第二区域而未覆盖其所述第一区域，并且将至少一些所述泵浦波长的光转换为与所述第一波长不同的第二波长的光。在一些实施例中，所述第一光致发光元件和所述第二光致发光元件分别转换基本上所有的分别从所述电致发光器件的所述第一区域和所述第二区域入射的所述泵浦光。蚀刻阻挡层可分隔所述第一光致发光元件和所述第二光致发光元件。
接合半导体波长转换器发光二极管

[发明专利]发射均匀波长的下变换光源-CN200880122919.0无效
发明人：孙晓光;迈克尔·A·哈斯;托马斯·J·米勒;特里·L·史密斯;托米·W·凯利;凯瑟琳·A·莱瑟达勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：光源装置附连到半导体波长变换器。每个光源以各自的峰值波长发射光，并且光源装置具有第一峰值波长范围。半导体波长变换器具有当受到所述光源装置的泵激时的第二峰值波长范围。第二峰值波长范围窄于第一峰值波长范围。半导体波长变换器具有所具有的波长长于光源的最长峰值波长的吸收限。波长变换器还可用于减小扩展光源的输出的波长变动。
发射均匀波长变换光源

[发明专利]简化光提取下转换发光二极管-CN200880120047.4有效
发明人：特里·L·史密斯;托米·W·凯利;迈克尔·A·哈斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种波长转换发光二极管(LED)装置，其具有带输出表面的LED。一种多层半导体波长转换器光学粘结至所述LED。所述LED和所述波长转换器中的至少一个具备光提取特征。
简化提取转换发光二极管

[发明专利]具有粘接的半导体波长转换器的发光二极管-CN200880110752.6无效
发明人：托米·W·凯利;迈克尔·A·哈斯;凯瑟琳·A·莱瑟达勒;特里·L·史密斯 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种发光二极管(LED)，其具有设置在衬底上的不同LED层。多层半导体波长转换器，其能够将所述LED中产生的光的波长转换为波长更长的光，并通过粘合层贴附到所述LED的上表面。所述LED中的一个或多个纹理化表面用于提高光从所述LED传递到所述波长转换器的效率。在一些实施例中，所述波长转换器的一个或多个表面设有纹理化表面以提高所述转换器中产生的所述长波长光的提取效率。
具有半导体波长转换器发光二极管

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