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[发明专利]发光二极管晶粒的制造方法-CN201711047753.8有效
发明人： 凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒的制造方法，其包括如下步骤：提供一第一基板；在所述第一基板一表面形成一缓冲层；在所述缓冲层远离所述第一基板的表面形成一紫外光屏蔽层；在所述紫外光屏蔽层远离所述缓冲层的表面磊晶生长形成至少一发光二极管晶粒；提供一第二基板，并在所述第二基板的一表面形成一胶粘层；将每一发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧通过所述胶粘层装设于所述第二基板；从所述第一基板远离所述发光二极管晶粒的一侧向所述第一基板照射紫外光，以将所述发光二极管晶粒与所述第一基板分离；蚀刻去除结合于所述发光二极管晶粒上的紫外光屏蔽层；以及去除所述第二基板及胶粘层，从而得到所述发光二极管晶。
发光二极管晶粒制造方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN201811475701.5在审
发明人：洪梓健;凃博闵;陈学龙;沈佳辉 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，包括：一基板；一外延结构，其包括依次形成在所述基板上的n型半导体层、活性层及p型半导体层，所述外延结构设有第一凹陷部与第二凹陷部，其中所述第一凹陷部延伸至所述n型半导体层；一吸光材料，其设于所述第二凹陷部中；一n型电极，其设于所述第一凹陷部并与所述n型半导体层形成欧姆接触；一p型电极，其与所述p型半导体层形成欧姆接触；所述p型电极、所述吸光材料及所述n型电极依次间隔设置。本发明的发光二极管出光均匀。本发明还提供一种发光二极管制作方法。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201611005065.0有效
发明人：林俊贤;谢朝桦;凃博闵;洪梓健;彭建忠;黄世晟 -专利权人：群创光电股份有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本揭露涉及一种显示装置及其制造方法。显示装置包括基板、发光二极管、第一凸块、第一绝缘层以及第二绝缘层。发光二极管具有相对的第一表面与第二表面，其中第一表面面向基板。发光二极管通过第一凸块与基板连接。第一绝缘层配置于第一凸块与发光二极管的周侧且与第一凸块及第一表面接触。第二绝缘层配置于基板上且至少围绕部分第一绝缘层。本技术方案能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力，对发光二极管提供遮光或保护等功效。
显示装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201410510986.7有效
发明人：邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括基板和成长在基板上的半导体结构，所述基板包括基体和形成在基体上的缓冲层，所述的基体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述基体的第一表面上形成有微结构，所述微结构为连续弯折的金属片体，所述微结构包括多个相连接的阻挡结构，每一阻挡结构之间形成凹槽，所述缓冲层形成在所述凹槽内并覆盖每一阻挡结构，所述阻挡结构的折射率小于缓冲层的折射率。本发明还提供一种该发光二极管的制造方法。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法-CN201711401679.5在审
发明人：邱镜学;凃博闵;林雅雯 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管外延片。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、依次覆盖在所述蓝宝石衬底的C面上的缓冲层、N型半导体层、发光活性层和P型半导体层。所述发光活性层包括至少一层量子阱结构。每层量子阱结构包括量子阱区、渐变区、高铝区以及阻挡区。所述阻挡区覆盖并连接所述高铝区，所述P型半导体层覆盖并连接所述阻挡区。所述渐变区的材质为铝掺杂或铟掺杂的氮化镓，且铝或铟的含量自靠近N型半导体层的一侧向远离N型半导体层的一侧呈线性变化。本发明还提供一种所述发光二极管外延片的制造方法。
发光二极管外延阻挡区发光活性层量子阱结构蓝宝石渐变区衬底高铝覆盖量子阱区线性变化氮化镓缓冲层铝掺杂铟掺杂制造

[发明专利]发光二极管微晶粒的制作方法-CN201711071742.3在审
发明人： 凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠;林雅雯;邱镜学 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管微晶粒的制作方法，包括：提供衬底基板，在衬底基板上形成缓冲层，且在缓冲层的表面形成激光阻隔层；在所述激光阻隔层上形成阵列排列的发光二极管微晶粒；提供辅助基板，在所述辅助基板上形成一层粘着胶层；将所述辅助基板具有粘着胶层的表面压向所述发光二极管微晶粒，所述粘着胶层填充所述发发光二极管微晶粒之间的间隙，并对所述粘着胶层进行固化；从所述衬底基板的底面照射所述衬底基板使所述缓冲层气化，所述衬底基板与所述激光阻隔层分离；蚀刻移除所述衬底基板；以及对所述粘着胶层进行解胶，便得到多个发光二极管微晶粒。
发光二极管微晶粒衬底基板着胶辅助基板缓冲层阻隔层激光蚀刻表面形成阵列排列表面压底面解胶气化移除固化填充制作照射

[发明专利]发光二极管晶粒的检测方法-CN201711039233.2在审
发明人： 凃博闵;洪梓健;沈佳辉;黄建翔;彭建忠;林雅雯;邱镜学 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒的检测方法，包括如下步骤：提供一装有溶剂的容器，将多个发光二极管晶粒放置于所述容器中，形成发光二极管晶粒与溶剂的混合溶液；提供一具有电路的基板，所述基板上形成有多个容置孔，所述容置孔底部包含有P电极和N电极，所述P电极和N电极连接所述电路；将含有发光二极管晶粒的混合溶液转移至所述基板的表面；将所述发光二极管晶粒进行定位以去除位于所述基板的第一表面上的发光二极管晶粒；对位于所述容置孔内的发光二极管晶粒进行检测筛选；提供一承载膜，依据检测结果将发光二极管晶粒进行分类或分级。
发光二极管晶粒基板容置孔混合溶液溶剂检测电路第一表面检测结果承载膜分级去除筛选分类

[发明专利]发光二极管芯片结构-CN201710915276.6在审
发明人：洪梓健;彭建忠;黄建翔;沈佳辉;凃博闵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片结构，包括一外延层以及设置于外延层的表面的第一电极和第二电极，所述外延层被划分为一基区以及一结构支撑区，所述基区包括一基底部以及一顶部，所述基底部的宽度大于所述顶部的宽度，所述顶部自所述基底部的表面的中心区域向一侧延伸，所述结构支撑区自所述基底部除所述顶部之外的表面向同一侧延伸，所述结构支撑区和所述顶部表面齐平，所述第一电极设置于所述顶部的表面，所述第二电极至少设置于所述结构支撑区的表面，位于所述结构支撑区表面的所述第二电极形成电极接触区，其与所述第一电极表面齐平。
结构支撑第二电极第一电极外延层发光二极管芯片结构基区电极接触区表面齐平顶部表面中心区域区表面延伸齐平

[发明专利]发光二极管封装结构-CN201510076646.2有效
发明人：邱镜学;黄嘉宏;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管封装结构，包括基板，所述基板包括一上表面、与上表面相对的下表面，以及与上表面边缘和下表面边缘连接的第一侧面和第二侧面，一第一电极、第二电极、及发光二极管设置在基板的上表面，一封装层位于基板上表面且覆盖所述第一电极、第二电极及发光二极管，其特征在于：所述基板内形成第一空气洞列及第二空气洞列，所述第一空气洞列及第二空气洞列分别由多个均匀间隔排布的空气洞组成且分别形成于基板内靠近所述第一侧面的一侧和靠近所述第二侧面的一侧，所述发光二极管朝向基板下表面的正向投影位于第一空气洞列和第二空气洞列之间。
发光二极管封装结构

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201410463095.0有效
发明人：邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括：第一半导体层；形成在第一半导体层上的第一发光层，所述第一发光层发出第一种颜色光；形成在第一发光层上的第二发光层，所述第二发光层发出与第一种颜色光不同的第二种颜色光；及形成在第二发光层上的第二半导体层。在本发明的发光二极管晶粒中，第一发光层及形成在第一发光层上的第二发光层形成在同一发光二极管晶粒中，第一发光层发出的第一种颜色光与第二发光层发出的第二种颜色光能够充分混合形成与第一、二种颜色光不同的另一种颜色光，发光二极管晶粒的演色性及混色性较佳，且成本较低。本发明还设计上述发光二极管晶粒的制造方法。
发光二极管晶粒及其制造方法

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201410480585.1有效
发明人：邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括一基板，依次设于基板一侧的一预生长层、一第一绝缘层和一发光结构，其中，所述基板包括一第一电极，一第二电极和一绝缘部，所述第一电极包覆第二电极且与第二电极间隔设置，所述绝缘部设于所述第一电极和第二电极之间；发光二极管晶粒还包括所述预生长层侧面外围还设有一第二绝缘层和一金属层。相比于现有技术，本发明的发光二极管晶粒的第一电极和第二电极设于第一半导体层和第二半导体层的下方以达到降低漏电情况的发生，同时可以增加发光二极管晶粒的光取出面积。本发明还提供一种上述发光二极管晶粒的制造方法。
发光二极管晶粒及其制造方法

[发明专利]发光芯片模组、发光二极管以及发光芯片模组的制造方法-CN201410480623.3有效
发明人：黄建翔;洪梓健;凃博闵 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光芯片模组，包括一发光芯片和一设置在发光芯片的导流层。所述导流层包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分和第二部分分别设置于发光芯片表面的相对两侧，所述第三部分连接于第一部分和第二部分之间，且将发光芯片的表面分隔为第一电连接区域和第二电连接区域，所述第一电连接区域和第二电连接区域分别形成相背的第一开口和第二开口。本发明还提供一种应用该发光芯片模组的发光二极管和一种用于制造该发光芯片模组的方法。
发光芯片模组发光二极管以及制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201410441937.2有效
发明人：邱镜学;黄嘉宏;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述第二电极环绕所述磊晶结构的周缘侧向，以将所述磊晶结构周缘侧向的光线反射集中自磊晶结构的顶部出射。本发明还涉及这种发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法，有效地解决了由于电极的反射而导致的发光二极管发光效率降低的问题。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201310333327.6有效
发明人：林雅雯;邱镜学;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括基板及形成于所述基板上的一半导体结构，所述半导体结构内形成有呈矩阵设置的多个第一通孔及第二通孔，所述第一通孔与第二通孔为接触重迭且交错的排列。本发明中所述第一通孔及第二通孔与半导体之间的折射率差异使到半导体结构内设置有第一通孔及第二通孔区域内的光线易发生反射，从而使所述半导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界处具有光反射功能，当半导体结构产生的光线发射方向为朝向基板时，这些光线遇到导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界后，因空气与半导体结构的材料之间的折射系数差异而使光线朝向背离基板折射并继而出射，从而提高发光二极管的光萃取效率。本发明还包括所述发光二极管的制造方法。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法-CN201410442016.8有效
发明人：黄嘉宏;邱镜学;杨顺贵;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层及透明导电层，第一电极以及第二电极分别形成在第一半导体层及透明导电层上，所述第一半导体层上开设有多个间隔的凹槽，所述凹槽的深度随着与第一电极之间的距离变大而变浅，所述透明导电层包括多个穿设在第二半导体层中、且分别与第一半导体层的凹槽对应的间隔设置的延伸部，所述延伸部的导电能力沿靠近第二电极的方向依次变小。本发明还涉及所述发光二极管晶粒的制造方法。
发光二极管晶粒及其制造方法

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