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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微机电系统麦克风、麦克风单体及电子设备-CN202110875314.6有效
发明人：邹泉波;丁凯文;周良;张贺存;李刚;赵海轮;周汪洋;冷群文 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：这里公开了一种微机电系统麦克风、麦克风单体及电子设备。该微机电系统麦克风包括：设置在磁体支撑件上的可移动部件，其中，在可移动部件上设置有磁体；以及第一磁阻支撑件，其中，第一磁阻被设置在第一磁阻支撑件上，在第一磁阻和磁体构成的工作平面上，以从磁体的S极到N极的方向为该工作平面的法线方向，沿第一磁阻的电流方向，磁体位于第一磁阻的左侧，沿所述工作平面，第一磁阻的宽度是CD1，所述磁体和第一磁阻之间的最小间距是CD2，以及CD1和CD2的关系如下：CD2≤3×CD1。
微机系统麦克风单体电子设备

[发明专利]传感器和电子设备-CN202110227060.7有效
发明人：安琪;冷群文;邹泉波;周汪洋;丁凯文;赵海轮;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种传感器和电子设备，其中，传感器包括：固定部；振动部，所述振动部连接所述固定部，并可相对所述固定部往复振动；永磁体，所述永磁体设于所述振动部，并跟随所述振动部振动；功能传感器，所述功能传感器设于所述固定部，所述功能传感器被配置为在所述振动部振动过程中感应所述永磁体的磁场变化，而输出变化的电信号；以及校准传感器，所述校准传感器设于所述振动部，并跟随所述振动部振动，所述校准传感器被配置为感应所述永磁体的磁场，而对所述功能传感器输出的电信号进行修正。本发明技术方案能够提高传感器的精度和准确度。
传感器电子设备

[发明专利]单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法-CN202110740212.3有效
发明人：陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法，衬底上设置有全桥电路，全桥电路包括均为长条形的两个磁阻单元Ⅰ和两个磁阻单元Ⅱ2，全桥电路分成上半部分的两个桥臂和下半部分的两个桥臂，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2平行相对，磁阻单元Ⅰ长轴方向与磁阻单元Ⅱ2的长轴方向一致；磁阻单元Ⅰ、磁阻单元Ⅱ2由磁性薄膜材料组成，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2的自旋产生层的电流流向相反。本发明后期封装更为方便，可靠性强，且封装成本低，设计具有灵活性，根据不同应用，易于设计传感器的灵敏度和测量范围。
磁阻磁场传感器制作方法

[发明专利]芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片-CN202011226912.2有效
发明人：丁凯文;冷群文;邹泉波;赵海轮;安琪;周汪洋;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片钝化层的制备方法、芯片钝化层及芯片，在硬掩模衬底沉积氮化硅或氧化硅，获得第一结构；在所述第一结构的表面生长非晶硅，获得第二结构；在所述第二结构的上表面进行氧化硅沉积，获得第三结构；对所述第三结构中的氧化硅层进行图形化，获得第四结构；对所述第四结构进行硅蚀刻，获得第五结构；释放所述第五结构中的氮化硅和/或氧化硅，获得芯片钝化层。由此通过沉积、生长、再沉积、图形化、蚀刻、释放操作，获得了工艺集成度高，且具有良好可靠性和兼容性高芯片钝化层。
芯片钝化制备方法

[发明专利]一种基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构-CN202110402104.5有效
发明人：陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N52/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构，所述磁性薄膜材料结构采用顶钉扎结构或底钉扎结构，所述磁性薄膜材料结构包括基底、种子层、自旋产生层、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性间层、软磁自由层和覆盖层，所述的自旋产生层的制作材料为重金属、非磁金属、晶体薄膜或外耳半金属中的一种。本发明的磁性薄膜材料结构，自旋产生层的制作材料为重金属、非磁金属、晶体薄膜或外耳半金属中的一种，由于自旋产生层的特定材料可以使邻近反铁磁的铁磁层发生偏置，通过改变电流的方向会使偏置的方向改变，并且通过改变电流密度的大小可以改变偏置的大小。
一种基于 sot 效应产生偏置磁性薄膜材料结构

[发明专利]传感器和电子设备-CN202110227552.6有效
发明人：安琪;冷群文;邹泉波;周汪洋;丁凯文;赵海轮;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明公开一种传感器和电子设备，其中，传感器包括：衬底；第一传感单元，第一传感单元对第一传感轴方向的磁场进行检测，第一传感单元包括设置于衬底上的两个第一磁阻模块和两个第二磁阻模块，第一磁阻模块和第二磁阻模块连接形成全桥电路；定义第一磁阻模块的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为α，定义第二磁阻模块的钉扎层的磁化方向与第一传感轴的正方向的夹角为β，α和β互为补角；以及多个磁通聚集器，多个磁通聚集器设于衬底上，相邻两磁通聚集器间形成磁间隙，每个第一磁阻模块和每个第二磁阻模块分别位于一所述磁间隙。本发明技术方案能提高传感器的检测灵敏度。
传感器电子设备

[发明专利]传感器和电子设备-CN202110227553.0有效
发明人：安琪;冷群文;邹泉波;周汪洋;丁凯文;赵海轮;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H04R9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种传感器和电子设备，其中，传感器固定部；振动部，所述振动部连接于所述固定部，并可相对所述固定部振动；以及至少两个传感单元，每个所述传感单元均包括至少一个永磁体和至少四个功能传感元件，所述永磁体设于所述振动部，所述功能传感元件设于所述固定部，每个所述传感单元内的四个所述功能传感元件连接形成一级全桥结构；四个所述一级全桥结构连接形成二级全桥结构。本发明技术方案能够提高传感器输出信号的精度。
传感器电子设备

[发明专利]MEMS传感器及电子设备-CN202110227554.5有效
发明人：周汪洋;邹泉波;冷群文;安琪;赵海轮;丁凯文;周良 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种MEMS传感器及电子设备，其中，MEMS传感器包括：振膜层，振膜层包括固定部以及可相对固定部振动的敏感部；检测件，检测件包括依次连接的第一磁阻单元和第二磁阻单元，第一磁阻单元的长轴方向和第二磁阻单元的长轴方向呈夹角设置，且夹角小于180°；导线，导线的延伸方向与第一磁阻单元和第二磁阻单元的排列方向平行；检测件和导线分别固定在固定部和敏感部上，第一磁阻单元的参考层的磁化方向垂直于第一磁阻单元的长轴方向且朝向导线，第二磁阻单元的参考层的磁化方向垂直于第二磁阻单元的长轴方向且背向导线。本发明技术方案能够降低生产成本和电路设计复杂性，易于实施制作，并可提高检测灵敏度。
mems 传感器电子设备

[发明专利]微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备-CN202010587755.1有效
发明人：邹泉波;冷群文;丁凯文;赵海伦;安琪;周汪洋 -专利权人：歌尔微电子有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01H11/04 文献下载
摘要：本说明书实施例提供微机电系统绝对压力传感器、传感器单体及电子设备。微机电系统绝对压力传感器包括：衬底；振膜；位于振膜和衬底之间的支撑体；磁阻元件；以及磁场形成元件，用于对磁阻元件施加磁场，其中，所述衬底、振膜和支撑体形成真空腔，其中，所述磁阻元件和磁场形成元件中的一个元件位于所述振膜上并能够随所述振膜振动，其中，所述磁阻元件和磁场形成元件中的另一个元件位于所述支撑体侧并且相对于所述振膜的振动保持相对静止，以及其中，微机电系统绝对压力传感器的输出是基于所述磁阻元件的变化产生的。
微机系统绝对压力传感器传感器单体电子设备

[发明专利]传感器、电子设备和检测装置-CN202111681383.X在审
发明人：赵海轮;冷群文;丁凯文;邹泉波;周汪洋 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种传感器、电子设备和检测装置，其中，所述传感器包括传感单元和调节单元，所述传感单元包括多个磁阻模块，其中至少两个所述磁阻模块连接形成半桥电路，各所述磁阻模块的磁化方向平行于各所述磁阻模块所在的平面，所述调节单元产生调节磁场，至少两个所述磁阻模块的其中之一处于所述调节磁场，本发明提供的技术方案中，通过将需要调节的磁阻模块处设置与该磁阻模块的钉扎层的磁化方向反向的调节磁场，以使得处于所述调节磁场的所述磁阻模块的工作点处于零点。
传感器电子设备检测装置

[发明专利]磁传感器的制备方法-CN202011222661.0有效
发明人：赵海轮;冷群文;邹泉波;安琪;周汪洋;丁凯文;周良 -专利权人：歌尔微电子有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种磁传感器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露，提高了所述有效磁阻复合层成型精度，进而提高了产品质量，具有较好的效果。
传感器制备方法

[发明专利]三轴磁场传感器及其制造方法-CN201911185551.9有效
发明人：曹志强;邹泉波;冷群文;王乐知;杨怀文;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学青岛研究院
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本说明书公开了三轴磁场传感器及其制造方法。该三轴磁场传感器包括：平行于XY平面的衬底；衬底沿Z轴方向设有凹槽；第一敏感单元和第二敏感单元，分别设置在相对的两个所述侧壁上；第一敏感单元的两个磁敏电阻和第二敏感单元的两个磁敏电阻的钉扎方向朝向所述凹槽的底部、平行于其所在的侧壁并且垂直于Y轴方向；第三敏感单元和第四敏感单元，分别设置在相对的另外两个所述侧壁上；第三敏感单元的两个磁敏电阻和第四敏感单元的两个磁敏电阻的钉扎方向朝向所述凹槽的底部、平行于其所在的侧壁并且垂直于X轴方向；以及设置衬底上的第一固定电阻和第二固定电阻。
磁场传感器及其制造方法

[发明专利]微机电系统力学传感器、传感器单体及电子设备-CN202010858551.7有效
发明人：邹泉波;冷群文;丁凯文;赵海轮;安琪;周汪洋;王喆;宋青林 -专利权人：歌尔微电子有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01L1/12 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种微机电系统力学传感器、传感器单体及电子设备。微机电系统力学传感器包括：第一支撑件；位于第一支撑件上的第一元件；可移动部件，该可移动部件能接受力学作用以相对于第一支撑件产生第一位移；以及位于可移动部件上的第二元件；其中，在未施加所述力学作用的工作情况下，第二元件位于第一元件的元件平面外侧；其中，第一元件和第二元件中的一个是磁阻，另一个是第一电流线；以及其中，由第一电流线对所述磁阻所施加的磁场随所述第一位移变化，以使得所述磁阻的阻值变化，从而产生传感器信号。
微机系统力学传感器单体电子设备

[发明专利]电流传感器、电子设备和检测装置-CN202111681559.1在审
发明人： 冷群文;闫韶华;赵海轮;丁凯文;周汪洋 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电流传感器、电子设备和检测装置，电流传感器包括检测线路和传感组件，传感组件包括形成于芯片上的多个磁阻存储单元，各磁阻存储单元的钉扎层的磁化方向沿其厚度方向设置，多个磁阻存储单元中的至少两个磁阻存储单元连接形成半桥电路，检测线路包括第一检测段和第二检测段，通过设置分别绕设于两个磁阻存储单元周侧的第一检测段和第二检测段，产生两个磁场方向相反、且平行于钉扎层磁化方向的第一感应磁场和第二感应磁场，使得两个磁阻存储单元的阻值发生变化，以解决在传感器的电阻单元是具有垂直磁各向异性的磁隧道结时，现有的电流传感器的检测电路不能通过该类电阻电源进行检测的问题。
电流传感器电子设备检测装置

[发明专利]电流传感器、电子设备及检测装置-CN202111680902.0在审
发明人：赵海轮;冷群文;丁凯文;邹泉波;周汪洋 -专利权人：歌尔微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电流传感器、电子设备及检测装置，所述电流传感器包括检测线路和传感组件，所述检测线路用于与芯片的待检测的电路导通，所述传感组件包括形成于所述芯片上的多个磁阻单元，各磁阻单元的钉扎层的磁化方向沿其厚度方向设置，多个所述磁阻单元中的至少两个磁阻单元连接形成半桥电路，其中，所述检测线路至少包括并联设置、且分别绕设于两个所述磁阻单元周侧的第一检测段和第二检测段，所述第一检测段产生第一感应磁场，所述第二检测段产生第二感应磁场，流经所述第一检测段和流经所述第二检测段的电流的螺旋方向呈反向设置，以使得所述第一感应磁场与所述第二感应磁场相反。
电流传感器电子设备检测装置

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