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[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310217695.8在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人： 冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件具有：基板(33)；第1电极(34a)，其设置于基板(33)上；第2电极(34b)，其设置于基板(33)上；作为第1单晶压电膜(15)的单晶PZT膜，其设置于第1电极(34a)上；作为第2单晶压电膜(25)的单晶AlN膜，其设置于第2电极(34b)上，具有与第1单晶压电膜(15)的晶体构造不同的晶体构造；第3电极(16)，其设置于第1单晶压电膜(15)上；以及第4电极(26)，其设置于第2单晶压电膜(25)上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310206923.1在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人： 冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310206520.7在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310205783.6在审
发明人：古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上重叠设置2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；基板电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电体薄膜(27)，其粘贴于基板电极(34)上，具有第1压电膜(25)和形成于第1压电膜(25)上的第1上部电极膜(26)；以及第2压电体薄膜(17)，其粘贴于第1上部电极膜(26)上，具有与第1压电膜(25)不同的第2压电膜(15)和形成于第2压电膜(15)上的第2上部电极膜(16)。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]显影剂收纳体、图像形成单元和图像形成装置-CN202310070186.7在审
发明人：须藤郁 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：显影剂收纳体、图像形成单元和图像形成装置，能够充分地排出显影剂，能够减小施加给搅拌部件的负荷。具有：收纳部件；搅拌部件，其搅拌显影剂；第1摆动部件，其具有第1固定端、第1自由端和供所述搅拌部件在旋转的过程中抵接的第1面，该第1摆动部件通过搅拌部件与该第1面抵接而摆动；以及突出支承部，其从形成于收纳部件内的壁面突出地配设，与所述第2面抵接。由突出支承部支承的第1摆动部件摆动，与形成于收纳部件内的壁面抵接，因此，伴随着第1摆动部件和壁面的接触分离，附着于壁面的显影剂剥离，能够充分地排出显影剂。
显影剂收纳图像形成单元装置

[发明专利]电子结构体和电子结构体的制造方法-CN202310121302.3在审
发明人：松尾元一郎;小酒达;铃木贵人;古田裕典;十文字伸哉;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：电子结构体和电子结构体的制造方法，能够提高复合膜从基板的剥离性。电子结构体(1)构成为在形成基板(10)层叠支承层(11)，进而重叠复合膜(2)，使该支承层(11)的面积比该复合膜(2)的面积小，进而设置有多个微间隔件(12)。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜(2)和支承层(11)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离，并且，还能够防止复合膜背面(2B)粘贴于形成基板(10)。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离、向布线基板(90)的安装。
电子结构制造方法

[发明专利]电子结构体和复合膜的制造方法-CN202211372810.0在审
发明人：古田裕典;松尾元一郎;饭野皓宏;铃木贵人;谷川兼一;中井佑亮;十文字伸哉;篠原悠贵 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：电子结构体和复合膜的制造方法，能够提高复合膜的生产性。在电子结构体(1)中，利用无机材料构成形成基板(10)和支承层(11)，另一方面，利用有机材料构成复合膜(2)的基底膜(12)和覆盖层(17)，将支承层(11)的外形形成得比基底膜(12)的外形小。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜背面(2B)与支承层正面(11A)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离和向布线基板(90)的安装。
电子结构复合制造方法

[发明专利]显像剂容器、图像形成单元和图像形成装置-CN201910204275.X有效
发明人：藤井正志;丑久保顺一 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种显像剂容器，其包括：主体，在主体中布置存储显像剂的多个显像剂室，每个显像剂室具有开口；以及密封多个显像剂室的开口的多个盖，多个盖被分开设置以对应于多个显像剂室的开口。
显像容器图像形成单元装置

[发明专利]图像形成装置-CN201910126490.2有效
发明人：仪间启 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图像形成装置，其具备：第一搬送部，搬送介质；切断部，切断由第一搬送部搬送的介质；第二搬送部，向第一方向搬送由切断部切断的介质；检测图像形成部，分别在被切断的介质上和第二搬送部形成检测图像；检测部，在与第一方向倾斜或正交的第二方向上的2处，检测形成在被切断的介质上的检测图像或形成在第二搬送部的检测图像；以及控制部，根据由检测部在2处检测出的检测图像的比较，变更由第一搬送部搬送的介质的搬送速度和由切断部切断的介质的切断速度中的至少一方。
图像形成装置

[发明专利]图像形成装置-CN201811100122.2有效
发明人：井上弘之 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图像形成装置，其具备：图像处理部，根据分别对应于包括构成图像的1种或多种基本色显影剂和辅助色显影剂的多种显影剂的多个图像数据，补正第一像素中的对应于辅助色显影剂的像素值，以使重叠第一像素的1种或多种基本色显影剂和辅助色显影剂时的显影剂量在所定范围的范围内；以及图像形成部，根据由图像处理部处理的多个图像数据，在转印介质上形成图像。
图像形成装置

[发明专利]图像形成装置-CN201810947310.2有效
发明人：广井全和 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：公开了图像形成装置。提供的是一种能够改善图像的质量并且抑制与介质的卡塞的发生的图像形成装置。图像形成装置1包括由处理单元（图像形成部）10所形成的图像被一次转印到其上的中间转印带（中间转印体）21、将图像二次转印到介质8的二次转印部25、将介质8传送到二次转印部25的传送辊（传送部）30、检测介质8的IN传感器（第一检测部）31、以及在介质传送方向上布置在IN传感器31的下游的WR传感器（第二检测部）32。主控制部（控制部）100基于由IN传感器31检测到介质8的定时和在该时间点处中间转印带21上的图像的位置而将介质8的传送速度改变为第一传送速度（第一速度）Vs，并且基于由WR传感器32检测到介质8的定时和在该时间点处中间转印带21上的图像的位置而将介质8的传送速度改变为第二传送速度（第二速度）Vf。
图像形成装置

[发明专利]半导体装置-CN202210950578.8在审
发明人：中井佑亮;石川琢磨;谷川兼一;川田宽人 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K59/50 文献下载
摘要：半导体装置。在层叠有光学元件膜的半导体装置中，通过在其表面配置微透镜，能够实现更高性能化，但由于距透镜的距离因层叠的光学元件膜而不同，因此透镜的聚光率因光学元件膜而出现差异，因此，难以通过一个透镜高效地实现期望的颜色特性。半导体装置具有：G层(12G)，其包含绿色发光元件(14G)；R层(12R)，其包含转换效率比绿色发光元件(14G)低的红色发光元件(14R)；微透镜(115)。绿色发光元件(14G)和红色发光元件(14R)在微透镜(115)的光轴方向上位于微透镜(115)与其焦点(115a)之间，从光轴方向观察至少一部分重叠，配置成红色发光元件(14R)比绿色发光元件(14G)更靠近焦点。
半导体装置

[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法-CN202210942482.7在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
发光装置半导体结构薄膜制造方法

[发明专利]片材介质输送装置、图像形成装置和片材介质输送方法-CN202210909038.5在审
发明人：石仓裕贵 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B65H7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种输送片材介质的片材介质输送装置，在片材介质中，在输送片材介质的介质输送方向上以规则间隔设有位置检测标记。片材介质输送装置包括控制片材介质的输送的控制器。控制器选择第一待机位置和在介质输送方向上位于第一待机位置下游的第二待机位置中的一个，将片材介质输送到所选择的待机位置并将片材介质置于待机状态。
介质输送装置图像形成方法

[发明专利]半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法-CN202111486438.1在审
发明人：篠原悠贵;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;石川琢磨;高桥千优;川田宽人 -专利权人： 冲电气工业株式会社
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
半导体元件单元供给安装电路以及制造方法

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