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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]闪存低速读模式控制电路-CN201410206549.6有效
发明人：杨光军;冯楚华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存低速读模式控制电路，包括：电荷泵，由串联两个电阻和一个第一开关组成的第一分压电路，由两个电容串联形成的第二分压电路。第一开关用于对低速读模式的数据读取模式和电荷泵漏电模式进行切换，在数据读取模式中，两个电阻形成的第一分压通过比较器、与非门和缓冲器反馈到电荷泵的输入端，使得电荷泵的输出电压的稳定值和第一分压成比例。在电荷泵漏电模式，第二分压电路监测电荷泵的输出电压，当输出电压低于低阈值电压时，形成反馈信号到电荷泵的输入端并使电荷泵开启，当输出电压高于低阈值电压时，形成反馈信号到电荷泵的输入端并使电荷泵停止工作。本发明能大大降低整个低速读模式的平均电流，降低读取过程的功耗。
闪存速读模式控制电路

[发明专利]一种新的x译码器电路-CN201410464652.0有效
发明人： 冯楚华;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的x译码器电路，在电平位移器的PMOS管(PM3)漏极和NMOS管(NM5)漏极间串联一隔离电路，并增加一下拉电路与该NMOS管(NM5)并联，该隔离电路用于将该PMOS管(PM3)的漏极输出和该NMOS管(NM5)漏极输出隔离以保证在该下拉电路导通时该PMOS管(PM3)的输出不对该译码器的反相输出节点产生不良影响，该下拉电路用于在该x译码器的同相输出节点上升时及时将该反相输出节点下拉以减少两输出节点同为高的时间，通过本发明，消除了同相输出节点与反相输出节点之间的延迟，减少了字线的充电时间，提高了闪存读的速度，同时，通过消除延时避免了额外的负载，减少了闪存的功耗。
一种译码器电路

[发明专利]读出放大器-CN201410465842.4有效
发明人： 冯楚华;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种读出放大器，包括第一级比较器、第二级比较器与电源弱相关偏置电压产生电路，该电源弱相关偏置电压产生电路分别连接该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路，以产生一与阈值电压相关而与电源电压弱相关的偏置电压给该第一级比较器与该第二级比较器的电流偏置电路。本发明通过将读出放大器的比较器的电流偏置电路的管子栅极固定在一个跟阈值电压相关、跟电源电压弱相关的电位上，减少了读出放大器在电源电压和工艺变化下的功耗。
读出放大器

[发明专利]振荡器-CN201310321029.5有效
发明人： 冯楚华;杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明公开一种振荡器，至少包括：充放电模块，连接一电源电压，通过充放电产生一锯齿波输出至整形模块；整形模块，具有两输入端，分别接一参考电压和该充放电模块的锯齿波输出，通过对该参考电压与锯齿波输出进行比较后产生一窄脉冲送至占空比调节模块；占空比调节模块，将得到的窄脉冲进行分频，以得到占空比为50%的时钟信号，本发明只需采用较简单的充放电电路及比较器、D触发器就可实现占空比为50％的时钟信号，不仅面积节约了50％，优化了功耗，而且占空比更准确。
振荡器

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共 4 条

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