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[发明专利]用于对波前像差具有定制的响应的图案设计的方法和系统-CN201210232586.5有效
发明人： 冯函英;曹宇;叶军;张幼平 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了用于对波前像差具有定制的响应的图案设计的方法和系统。本发明涉及用于设计量测器图案的方法和系统，其对参数变化尤其灵敏，因此在对用于成像具有多个特征的目标设计的光刻过程的校准中对随机的和重复的测量误差是鲁棒性的。所述方法可以包括以优化的辅助特征位置识别最灵敏的线宽/节距组合，其导致了对光刻过程参数变化的最灵敏的CD(或其它的光刻响应参数)变化，诸如波前像差参数变化。所述方法还可以包括设计具有多于一个测试图案的量测器，使得量测器的组合的响应可以被定制以生成对波前相关的或其它的光刻过程参数的特定响应。对参数变化的灵敏度导致了对随机的测量误差和/或任何其它的测量误差的鲁棒性性能。
用于波前像差具有定制响应图案设计方法系统

[发明专利]用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法-CN201210031236.2有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种用以产生有效的基于模型的亚分辨辅助特征(MB-SRAF)的方法。产生SRAF引导图，其中每个设计目标边缘位置为给定场点表决有关布置在该场点上的单像素SRAF将改善还是弱化整个过程窗口的空间图像。在一个实施例中，SRAF引导图被用于确定SRAF布置规则和/或用于微调已经布置的SRAFs。SRAF引导图可以直接用于在掩模布局中布置SRAFs。可以产生包括SRAFs的掩模布局数据，其中根据SRAFs引导图布置SRAFs。SRAF引导图可以包括这样的图像：即，在所述图像中如果像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分，每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的边缘行为提供正面贡献。
用于实施基于模型光刻引导布局设计方法

[发明专利]包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节-CN201110353442.0有效
发明人： 冯函英;曹宇;叶军 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是匹配光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性的方法，其中所述匹配包括优化投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例，所述方法可以通过利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或线性拟合算法加快所述方法。
包括通过投影光学装置操纵依赖图案邻近匹配调节

[发明专利]源、掩模和投影光学装置的优化流程-CN201110353099.X有效
发明人：徐端孚;陈洛祁;冯函英;R·C·豪威尔;周新建;陈逸帆 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种源、掩模和投影光学装置的优化流程。本发明的实施例提供用于优化光刻投影设备的方法，所述方法包括优化其中的投影光学装置。当前的实施例包括几个流程，包括优化源、掩模和投影光学装置和各种连续的且迭代的优化步骤，其将投影光学装置、掩模和源任意组合。投影光学装置有时被广义地称作为“透镜”，因此优化过程可以用术语源掩模透镜优化来表示。源掩模透镜优化可能相对于已有的源掩模优化过程或其它优化过程是被期望的，该其它的优化过程不包括投影光学装置优化，部分原因在于将投影光学装置包括在优化中可能通过引入投影光学装置的多个可调节的特性导致更大的过程窗口。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形，使得能够对整个成像过程进行像差控制。
投影光学装置优化流程

[发明专利]包括通过投影光学装置的光操纵的独立于图案和混合型匹配/调节-CN201110363185.9有效
发明人： 冯函英;曹宇;叶军 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是用于使光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性匹配的方法，其中所述匹配包括优化照射源和投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例，可以通过利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或利用线性拟合算法加快所述方法。
包括通过投影光学装置操纵立于图案混合匹配调节

[发明专利]源、掩模和投影光学装置的优化-CN201110353096.6有效
发明人： 冯函英;曹宇;叶军 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及源、掩模和投影光学装置的优化。本发明的实施例提供了用于优化光刻投影设备的方法，所述方法包括优化其中的投影光学装置，且优选地包括优化源、掩模和投影光学装置。投影光学装置有时被广义地称为“透镜”，因此联合的优化过程可以用术语“源掩模透镜优化”表示。源掩模透镜优化相对于已有的源掩模优化过程是期望的，部分原因在于将投影光学装置包括在优化中可能通过引入投影光学装置的多个可调节的特性而导致更大的过程窗口。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形，使得能够对整个成像过程进行像差控制。根据此处的实施例，可以通过迭代地利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或线性拟合算法加快所述优化。
投影光学装置优化

[发明专利]用于光刻校准的参数敏感和正交测规设计的方法和系统-CN200980144728.9有效
发明人：叶军;曹宇;邵文晋;冯函英 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：根据本发明的方法提供计算有效的用于设计测规图案的方法，该测规图案用于校准在模拟过程中使用的模型，并且最小化模型参数之间的简并，因而最大化用于参数校准的图案覆盖。更具体地，本发明涉及设计测规图案的方法，该方法用最小数量的测规和在用于成像具有多个特征的目标设计的光刻工艺校准中相应的测量，实现参数变化的完全覆盖。根据一些方面，根据本发明的方法包括转化模型参数空间的空间(基于CD敏感性或ΔTCC)，然后迭代地识别与该新的空间中已有的测规的CD敏感性最正交的方向，以及确定最敏感的具有优化的辅助特征布置的线宽/节距组合，其导致沿模型参数空间内的该方向最敏感的CD变化。
用于光刻校准参数敏感正交设计方法系统

[发明专利]用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统-CN200910260605.3有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人：睿初科技公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统。进一步，本发明涉及一种有效的提高用于将具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的成像性能的OPC方法。该方法包括步骤：确定用于形成模拟图像的函数，该函数表征与光刻过程相关的过程变化；和基于该函数优化每次OPC迭代中每个评估点的目标灰度。在一实施例中，该函数被近似为焦距和曝光的多项式函数，R(ε，f)＝P0+f2·Pb，对轮廓具有阈值T+Vε，其中PO表示名义焦距处的图像强度，f表示相对于名义焦距的散焦值，ε表示曝光变化，V表示曝光变化的缩放，以及参数“Pb”表示二阶导数图像。在一实施例中，在假定焦距和曝光变化的概率分布是高斯分布的情况下，给出最佳焦距的解析最优灰度。
用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正方法系统

[发明专利]用于光刻校准的方法和系统-CN200910212014.9有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人：睿初科技公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光刻校准的方法和系统。一种有效的光学和抗蚀剂参数校准的方法，其基于模拟用来对具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的图像性能。所述方法包括步骤：确定用于生成模拟图案的函数，其中所述函数表征与所述光刻过程相关的过程变化；和使用所述函数生成所述模拟图案，其中所述模拟图案表示用于所述光刻过程的所述目标图案的所述图像结果。用于光刻过程的校准的系统和方法，通过该系统和方法计算用于光学系统的名义配置的多项式拟合，该系统和方法可以用来估计其它配置的临界尺寸。
用于光刻校准方法系统

[发明专利]用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法-CN200880018349.0有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人：睿初科技公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种用以产生有效的基于模型的亚分辨辅助特征(MB-SRAF)的方法。产生SRAF引导图，其中每个设计目标边缘位置为给定场点表决有关布置在该场点上的单像素SRAF将改善还是弱化整个过程窗口的空间图像。在一个实施例中，SRAF引导图被用于确定SRAF布置规则和/或用于微调已经布置的SRAFs。SRAF引导图可以直接用于在掩模布局中布置SRAFs。可以产生包括SRAFs的掩模布局数据，其中根据SRAFs引导图布置SRAFs。SRAF引导图可以包括这样的图像：即，在所述图像中如果像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分，每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的边缘行为提供正面贡献。
用于实施基于模型光刻引导布局设计方法

[发明专利]光刻工艺窗口模拟的方法和系统-CN200810179829.7有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人：睿初科技公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种有效地模拟用来成像具有多个特征的目标设计的光刻工艺的成像性能的方法，该方法包括如下步骤：确定产生被模拟的图像的函数，所述函数计算与所述光刻工艺相关的工艺变化；及采用所述函数产生所述被模拟的图像，所述被模拟的图像表示用于所述光刻工艺的所述目标设计的成像结果。在一个给定的实施例中，用于模拟在焦距和剂量(曝光)变化情况下的所述空间图像的函数定义为：I(x，f，1+ε)＝I₀(x)+[ε·I₀(x)+(1+ε)·a(x)·(f-f₀)+(1+ε)·b(x)·(f-f₀)²],其中I₀表示在额定焦距和曝光条件下的图像强度，f₀表示额定焦距，f和ε表示计算被模拟的图像时的实际焦距-曝光水平，及参数“a”和“b”表示关于焦距变化的一阶和二阶导数图像。
光刻工艺窗口模拟方法系统

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