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[发明专利]成像装置-CN202010552922.9有效
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本发明涉及成像装置。该成像装置通过第一线和第二线将第一恒定电位和第二恒定电位提供给光电二极管，以使光电二极管置于反向偏置状态。成像装置读取与光电二极管的另一端上的电位相对应的信号，该电位由于在反向偏置状态的光电二极管上的光入射而变化。成像装置在读取信号之后，通过控制线向电容元件提供随时间变化的电位，以使正向电流流过设置在电容元件与第一线之间的光电二极管。
成像装置

[发明专利]图像传感器以及驱动图像传感器的方法-CN201910029915.8有效
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器和驱动图像传感器的方法，所述图像传感器，包括：像素矩阵，其中像素被布置成矩阵，每个像素包括光电转换元件和连接到所述光电转换元件的开关元件；扫描单元，其被配置为在所述像素矩阵的每个像素行上串行地执行选择处理，所述选择处理包括选择像素行并将输出信号输出到所选像素行以使开关元件导电；和检测器单元，其被配置为执行对来自所选像素行中的光电转换元件的检测信号的检测处理，其中，所述扫描单元被配置为：接收多个控制信号的输入；和基于所述多个控制信号在每个像素行上执行所述选择处理。
图像传感器以及驱动方法

[发明专利]图像传感器及控制图像传感器的方法-CN202110613873.X在审
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器及控制图像传感器的方法。第一薄膜晶体管包括第一栅极和第二栅极。第一栅极被供应由光电转换元件产生的信号。第二栅极通过第二信号线被供应与第一信号线的电位相差预定电压的电位。第二栅极具有比第一栅极小的电容。第二薄膜晶体管将从复位电源线接收的复位电位供应给光电转换元件。第三薄膜晶体管是否处于导通状态由选择信号控制。第三薄膜晶体管设置在第一信号线与第一薄膜晶体管之间，并且来自恒定电流源的电流经由导通状态的第三薄膜晶体管流入第一薄膜晶体管中。
图像传感器控制方法

[发明专利]图像传感器及传感器装置-CN201810180180.4有效
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器及传感器装置。该图像传感器包括以矩阵设置的多个像素，每个像素包括：第一TFT，该第一TFT具有设置在衬底上的第一栅电极和第二栅电极；第二TFT；以及光电转换元件，该光电转换元件具有电连接到a‑Si薄膜的第一表面和第一TFT的第二栅电极的第一电极、以及连接到第二控制线的第二电极，并且光电转换元件以在层叠方向上叠置在第一TFT上的方式设置在第一TFT上方。设置气体阻隔膜，其位于第一TFT、第二TFT与光电转换元件之间，并防止氢气渗透到第一TFT和第二TFT，第一电极和第二栅电极由同一层构成，在各像素中气体阻隔膜上未设置开口。
图像传感器传感器装置

[发明专利]图像传感器及其控制方法-CN202110235685.8在审
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H04N5/353 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器及其控制方法。图像传感器包括像素和控制电路以检测由信号线传输的光信号。像素包括光电检测器、被配置为放大来自光电检测器的光信号的放大电路、以及被配置为控制是否将光信号从像素输出到信号线的第一开关。控制电路包括与信号线连接的第一电容器以及通过第一电容器与信号线连接的积分器。控制电路被配置为在第一开关不导通的状态下将彼此不同的第一电位和第二电位依次供应给信号线，并且在供应第一电位并且供应第二电位时基于积分器的输出来测量由第一电容器和积分器确定的放大率。
图像传感器及其控制方法

[发明专利]离子感测设备-CN202011284635.0在审
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：公开一种离子感测设备，包括含有底栅极和顶栅极的场效应晶体管、参考电极和被配置成测量浸入所述参考电极和所述顶栅极的样本溶液中的离子浓度的驱动电路。所述驱动电路包括：恒流源，其被配置成向所述场效应晶体管的漏极提供恒定电流；以及电压跟随器，其被配置成接收所述漏极的电位。所述驱动电路被配置成向所述参考电极提供恒定的参考电位，在所述电压跟随器的输出和所述底栅极上施加恒定电压，并且输出所述电压跟随器的输出电位。
离子设备

[发明专利]保护电路及电子设备-CN201610862824.9有效
发明人： 关根裕之;山本祐辅 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明涉及保护电路及电子设备。本发明提供能够以简单的结构适当地控制工作电压的保护电路。保护电路包括：控制电路，其控制第一配线和第二配线之间的电流；以及施加电路，其对控制电路施加电压。控制电路包括控制电流的第一薄膜晶体管。施加电路包括相互串联连接的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管均包括第一栅极和第二栅极。第二薄膜晶体管的第一栅极连接到第一配线。第三薄膜晶体管的第一栅极连接到第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管之间的连接点。第二薄膜晶体管的第二栅极和第三薄膜晶体管的第二栅极连接到第二配线。施加电路将连接点的电压施加于第一薄膜晶体管的栅极。
保护电路电子设备

[发明专利]图像传感器-CN201610248171.5有效
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H04N5/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器。作为用于使光电二极管重置的控制信号，使用用于选择相邻的像素行的控制信号。由此，所使用的控制信号的种类的数量减少，并防止光电二极管的面积的下降。另外，通过将选择像素行的控制信号的激活时段设定为比读出一个像素行的信号的时间长的时段，设置选择相邻的像素行的多个控制信号均激活的时段。因此实现CDS操作。
图像传感器

[发明专利]图像传感器装置-CN201910938047.5在审
发明人： 关根裕之;奈良修平;石野隆行;山本祐辅 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器装置，包括具有整流特性的元件和薄膜晶体管的装置，该装置包括具有允许电流从上电极流到下电极的整流特性的第一元件、n沟道薄膜晶体管和控制电极。n沟道薄膜晶体管包括半导体膜、栅电极、第一信号电极和第二信号电极。控制电极面对栅电极，半导体膜设置在控制电极与栅电极之间。第二信号电极与下电极连接。控制电极与下电极连接。当在平面上观察时，半导体膜的在第一信号电极侧的第一沟道端的至少一部分位于控制电极的区域内。当在平面上观察时，半导体膜的在第二信号电极侧的第二沟道端远离控制电极。
图像传感器装置

[发明专利]图像传感器及其驱动方法-CN201510438854.2有效
发明人： 关根裕之 -专利权人：天马微电子股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器及其驱动方法。在对各像素设置有放大电路的图像传感器中，存在如下问题：当使用非晶薄膜半导体作为构成放大电路的晶体管时，由于电压始终连续地施加到晶体管的源极和栅极之间，因此晶体管的阈值电压发生波动，由此信号电压发生波动。在像素积累信号的积分时段中，控制构成放大电路的TFT的栅极‑源极电位，使得栅极端子电压比源极端子电压小，并在像素输出信号的读出时段中，控制构成放大电路的TFT的栅极‑源极电位，使得栅极端子电压比源极端子电压大。
图像传感器及其驱动方法

[发明专利]图像传感器-CN201910542833.3在审
发明人：奈良修平;关根裕之;石野隆行;田村文识;畠泽良和 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器，其包括：开关元件，所述开关元件设置在基板上；光电转换元件，所述光电转换元件连接到所述开关元件；第一保护膜，所述第一保护膜直接覆盖所述光电转换元件；第一有机膜，所述第一有机膜形成在所述开关元件上方的层处，所述第一有机膜与所述第一保护膜接触，其中，所述第一有机膜覆盖所述光电转换元件的第一端部，所述第一端部为所述光电转换元件的端部的至少一部分，其中，所述第一有机膜具有在所述第一有机膜的一端的第一覆盖部，其中，所述第一覆盖部覆盖所述第一端部，其中，所述第一覆盖部向下朝向所述光电转换元件倾斜，并且所述第一有机膜仅覆盖所述光电转换元件的所述第一端部。
光电转换元件有机膜第一端部开关元件覆盖保护膜图像传感器直接覆盖基板

[发明专利]薄膜晶体管以及显示装置-CN201510202482.3有效
发明人：世古畅哉;畠泽良和;关根裕之 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：为了液晶显示装置的改善的高清晰度以及其在明亮场所的使用，背光的亮度正在被增加。因此，当采用遮光层来抑制光生漏电流时，引起晶体管特性的波动，这可能在显示中导致故障。在具有浮置遮光层的双栅薄膜晶体管中，布局被设计成，当设所述遮光层与有源层最外侧处的漏区之间的相对面积为Sd，并且所述遮光层与栅电极之间的相对面积为Sg时，使得绝缘层的膜厚为大于等于200nm且小于等于500nm，并且Sg/Sd为大于等于4.7。
薄膜晶体管以及显示装置

[发明专利]放大器电路和使用放大器电路的图像传感器-CN201410208955.6有效
发明人： 关根裕之 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种放大器电路和使用放大器电路的图像传感器。现有技术中存在如下问题：在每个像素中包括放大器的图像传感器中，当使用薄膜半导体作为构成放大器的晶体管时，电压持续被施加在晶体管的源极和栅极之间，从而晶体管的阈值电压值发生改变，导致信号电压的变化。为了解决该问题，使用用氧化物半导体形成的薄膜晶体管作为构成放大器的晶体管，并且在输出放大器的输出的时段以外的时段期间，控制晶体管的源极电势等于其漏极电势。
放大器电路使用图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201410599391.3有效
发明人： 关根裕之;石野隆行;浮田亨;田村文识;竹知和重 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括基板、以及在基板上依次层叠形成的多个光电转换元件和多个开关元件。各光电转换元件包括氢化非晶硅层。各开关元件包括非晶氧化物半导体层。图像传感器还包括阻挡层，所述阻挡层设置在光电转换元件的氢化非晶硅层与开关元件的非晶氧化物半导体层之间，其中，阻挡层抑制从氢化非晶硅层分离的氢的透过。
图像传感器光电转换元件氢化非晶硅层开关元件阻挡层非晶氧化物半导体层基板依次层叠制造

[发明专利]液晶显示设备和发光显示设备-CN201410258210.0有效
发明人： 关根裕之 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供液晶显示设备和发光显示设备。液晶显示设备包括：第一基板、第二基板、液晶层、子像素和柱面透镜的阵列。每个子像素包括一个或多个开口部分，所述开口部分在沿着所述第二方向的各个位置处沿着所述第一方向的总长度是恒定的。在每行子像素中，开口部分被布置成使得，开口部分的重心位置的移动平均值在预定范围内波动，其中，通过在沿着所述第二方向的多个位置处沿着所述第一方向获得所述开口部分的重心的位置，并通过对在所述第二方向中的每个位置而在柱面透镜的斑点宽度内对所获得的重心位置求平均值，来计算所述移动平均值。
液晶显示设备发光显示

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