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- [发明专利]磁记录介质-CN201410806556.X有效
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关口昇;尾崎知恵;立花淳一
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索尼公司
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2014-12-19
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2019-03-19
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G11B5/66
- 提供一种包括具有长度方向和宽度方向的表面的磁记录介质。该表面上的算术平均糙度Ra、PSDMD,短/PSDTD,短比以及PSDMD,长/PSDTD,长比满足Ra≤3.0nm，PSDMD,短/PSDTD,短≤0.65，以及1.3≤PSDMD,长/PSDTD,长≤2.3，其中，PSDMD,短为该表面的长度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值，PSDTD,短为表面的宽度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值，PSDMD,长为该表面的长度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值，PSDTD,长为该表面的宽度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值。
- 磁记录介质算术平均糙度
- [发明专利]磁记录介质-CN201410234952.X有效
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立花淳一;关口昇;尾崎知惠
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索尼公司
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2014-05-29
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2019-01-15
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G11B5/66
- 一种磁记录介质包括基体、晶种层、底层以及具有粒状结构的垂直记录层。(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)、Ms以及α满足(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)≤0.1[μ·emu·(mm)‑1.5]、Ms≥450[emu/cc]以及α≥1.2。在上述公式中，Ms表示饱和磁化量，α表示抗磁力Hc周围的M‑H环的梯度，δ表示垂直记录层的厚度，并且Rs表示矩形比。
- 记录介质
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