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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种图像传输方法-CN201711043149.8在审
发明人：司红梅 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H04N1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传输方法，其用于安全的将图像信息进行传递，所述方法包括发送方将所述图像信息打乱后与密钥一起发送给接收方，然后由接收方使用所述密钥对打乱后的图像信息进行还原。本方法加密性好，其暴力破解需要的时间非常长，且处理过程比较简洁。相对于现有技术而言，其具备高速完成的极大优势。
图像信息图像传输接收方密钥发送方加密性破解还原传递安全

[发明专利]一种用于对电子设备充电的基站-CN201710815291.3在审
发明人：许仁庆 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于对电子设备充电的基站，其包括充电站以及音频接口；其还包括控制器，所述控制器被配置为检测基站附近的至少一个电子设备以及响应所述检测而通过无线通信信道建立一个与电子设备通信的通信链路并激活所述音频接口以接收音频输入，并根据所述音频输入激活充电站以为所述电子设备充电。
一种用于电子设备充电基站

[发明专利]一种便携式用于液体探测的光谱仪和方法-CN201710927643.4在审
发明人：司红梅 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2017-10-07 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G01N21/39 文献下载
摘要：一种便携式用于液体探测的光谱仪，包括可调谐半导体激光器1、耦合系统2、锥状光纤3、偏振控制器4、液体槽7、液体槽7中盛放待测液体、放置于液体槽7中光纤微球5和探测器6。可调谐半导体激光器1发出的光经耦合系统2耦合到锥状光纤3中，在锥状光纤3中集成偏振控制器4来控制光中锥状光纤3中光的偏振方向，锥状光纤3浸没在液体槽7内的待测液体中，在待测液体中锥状光纤3与垂直放置的光纤微球5相切接触以实现两个光纤中光的耦合，在锥状光纤2的另一端设置探测器5以探测输出的能量，通过扫描可调谐半导体激光器1的波长以测得光谱。
一种便携式用于液体探测光谱仪方法

[发明专利]一种电子装置自动充电系统-CN201710815292.8在审
发明人：许仁庆 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种电子装置自动充电系统，其包括用于对电子装置进行无线充电的基站和可进行无线充电的电子装置，所述基站包括充电站以及音频接口，其还包括控制器，并且所述控制器被配置为检测基站附近的至少一个电子装置以及响应所述检测而通过无线通信信道建立一个与电子装置通信的通信链路并激活所述音频接口以接收音频输入，并根据所述音频输入激活充电站以为所述电子装置充电。
一种电子装置自动充电系统

[实用新型]一种氧化物半导体薄膜晶体管-CN201420516491.0有效
发明人：司红康;金一琪 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏极金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏极区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏极金属电极层远离所述源漏极区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本实用新型在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下，能够有效降低氧化物半导体薄膜晶体管的串联电阻。
一种氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法-CN201410484955.9在审
发明人：司红康;金一琪 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，在绝缘衬底101上形成AL源漏电极层102，该源漏电极层102的上表面与绝缘衬底的上表面在同一平面上；将绝缘衬底置入镀膜机，在氢气氛中蒸镀一层极薄的富氢Al膜301；将绝缘衬底置入磁控溅射设备，500-600摄氏度温度下，在绝缘衬底101沉积氧化物半导体层，以获得源漏电极层与氧化物半导体层103的界面区域引入的氢浓度分布；在氧化物半导体层103上沉积氮化硅栅极绝缘层104，该栅极绝缘层104与源漏电极层102之间在水平面上具有一最小间隔d。
一种氧化物半导体薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法-CN201410474652.9在审
发明人：司红康;金一琪 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，通过沉积法在源漏电极层与源漏极区域之间沉积极薄含氢氧化物半导体层，并利用退火工艺最终形成薄膜晶体管，该晶体管在源漏电极层与源漏极区域接触的区域具有引入的氢浓度分布。在源漏极金属电极层和源漏区域与中间层接触的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏电极层远离所述源漏区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本发明在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下，能够有效降低氧化物半导体薄膜晶体管的串联电阻。
一种氧化物半导体薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管-CN201410456678.0在审
发明人：司红康;金一琪 -专利权人： 六安市华海电子器材科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管，在所述源漏金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。进一步的，在靠近所述沟道区域的所述源漏区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，且在所述源漏金属电极层远离所述源漏区域的一端以及沟道区域内没有引入的氢浓度分布，本发明在不导致氧化物薄膜晶体管性能下降的情况下，能够有效降低氧化物半导体薄膜晶体管的串联电阻。
一种氧化物半导体薄膜晶体管

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