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[发明专利]从金属间纳米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷-CN201410025475.6无效
发明人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆;马修·R·鲁滨逊 -专利权人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及从金属间纳米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷，特别是以下方法和装置：其在适当条件下在适当载体中转变非平面或平面前体材料，从而产生即使在选择性强制沉降之后元素化学计量比也与进料或前体材料中相等的平面颗粒的分散体。特别地，平面颗粒更易于分散，形成致密得多的涂层（或形成具有更大颗粒间接触面积的涂层），并且在与它们的球形纳米颗粒所制成的涂层相比较低的温度和/或较少时间下退火成熔融致密膜。这些平面颗粒可以是纵横比高的纳米薄片。所获得的由纳米薄片形成的致密膜在形成光伏器件中特别有用。在一种实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片颗粒（微米薄片或纳米薄片）。
金属纳米薄片颗粒半导体前体层生产量印刷

[发明专利]从金属间微米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷-CN201110273206.8无效
发明人：耶罗恩·K·J·范杜伦;马修·R·鲁滨逊;克雷格·R·莱德赫尔姆 -专利权人：纳米太阳能公司
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供用于由微米薄片颗粒高生产量印刷半导体前体层的方法和装置。在一种实施方案中，所述方法包含在适当条件下在适当载体中转变非平面或平面前体材料，以产生即使在沉降之后元素化学计量比也与进料或前体材料中相等的平面颗粒的分散体。特别地，平面颗粒更易于分散，形成致密得多的涂层(或形成具有更大颗粒间接触面积的涂层)并且在与它们的球形纳米颗粒所制成的涂层相比较低的温度和/或较少时间下退火成熔融致密膜。这些平面颗粒可以是纵横比高的微米薄片。所获得的由微米薄片形成的致密膜在形成光伏器件中特别有用。在一种实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片颗粒(微米薄片或纳米薄片)。
金属微米薄片颗粒半导体前体层生产量印刷

[发明专利]从金属间纳米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷-CN200780014617.7无效
发明人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆;马修·R·鲁滨逊 -专利权人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：提供用于以下的方法和装置：其在适当条件下在适当载体中转变非平面或平面前体材料，从而产生即使在选择性强制沉降之后元素化学计量比也与进料或前体材料中相等的平面颗粒的分散体。特别地，平面颗粒更易于分散，形成致密得多的涂层(或形成具有更大颗粒间接触面积的涂层)，并且在与它们的球形纳米颗粒所制成的涂层相比较低的温度和/或较少时间下退火成熔融致密膜。这些平面颗粒可以是纵横比高的纳米薄片。所获得的由纳米薄片形成的致密膜在形成光伏器件中特别有用。在一种实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片颗粒(微米薄片或纳米薄片)。
金属纳米薄片颗粒半导体前体层生产量印刷

[发明专利]硫属元素层的高生产量印刷和金属间材料的使用-CN200780014627.0无效
发明人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆;马修·R·鲁滨逊 -专利权人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了用于形成IB族-IIIA族-硫属元素化物化合物膜的前体材料的高生产量印刷的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包括在衬底上形成前体层，其中，前体层包括一个或多个不连续层。这些层可以包括含一种或多种IB族元素和两种或更多种不同IDA族元素的至少第一层和含单质硫属元素颗粒的至少第二层。可以将前体层加热至足以熔化硫族元素颗粒并使硫属元素颗粒与前体层中的一种或多种IB族元素和IDA族元素反应的温度以形成IB-IIIA族硫属元素化物化合物。前体层中的至少一组颗粒是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间颗粒。该方法还可以包括制造IB-IIIA族硫属元素化物化合物的膜，其包括将纳米颗粒和/或纳米小球和/或纳米液滴混合以形成油墨，将该油墨沉积在衬底上，加热以便融化额外的硫属元素并使硫属元素与IB族和IIIA族元素和/或硫属元素化物反应以形成致密膜。
元素生产量印刷金属材料使用

[发明专利]利用硫属元素和金属间材料的半导体层高生产量形成-CN200780014658.6无效
发明人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆;马修·R·鲁滨逊 -专利权人：耶罗恩·K·J·范杜伦;克雷格·R·莱德赫尔姆
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： B05D3/00 文献下载
摘要：公开一种利用含硫属元素的蒸气形成半导体前体层的高生产量方法。在一种实施方案中，所述方法包括形成包含任何形状的IB族和/或IDA族颗粒的前体材料。该方法可以包括在衬底表面上形成前体材料的前体层。该方法可以进一步包括在基本上无氧的硫属元素气氛中加热颗粒前体材料至足以使颗粒反应并且从硫属元素化物颗粒中释放硫属元素的处理温度，其中该硫属元素呈液体形式而且充当助熔剂以改善元素混合从而形成期望化学计量比的IB-IIIA族硫属元素化物膜。硫属元素气氛可以提供大于或等于处理温度下前体层中的液体硫属元素的蒸气压的分压。
利用元素金属材料半导体层高生产量形成

[发明专利]从金属间微米薄片颗粒的半导体前体层的高生产量印刷-CN200780014585.0无效
发明人：耶罗恩·K·J·范杜伦;马修·R·鲁滨逊;克雷格·R·莱德赫尔姆 -专利权人：耶罗恩·K·J·范杜伦;马修·R·鲁滨逊;克雷格·R·莱德赫尔姆
申请日： 2007-02-23 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：提供用于由微米薄片颗粒高生产量印刷半导体前体层的方法和装置。在一种实施方案中，所述方法包含在适当条件下在适当载体中转变非平面或平面前体材料，以产生即使在沉降之后元素化学计量比也与进料或前体材料中相等的平面颗粒的分散体。特别地，平面颗粒更易于分散，形成致密得多的涂层(或形成具有更大颗粒间接触面积的涂层)并且在与它们的球形纳米颗粒所制成的涂层相比较低的温度和/或较少时间下退火成熔融致密膜。这些平面颗粒可以是纵横比高的微米薄片。所获得的由微米薄片形成的致密膜在形成光伏器件中特别有用。在一种实施方案中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间薄片颗粒(微米薄片或纳米薄片)。
金属微米薄片颗粒半导体前体层生产量印刷

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