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[发明专利]彩色共焦测量装置-CN202180042151.1在审
发明人： 克里斯托夫·迪茨;菲力普·罗尔曼;史蒂芬·魏斯 -专利权人：普瑞斯特光电公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学测量装置，其包括具有成像光学单元和评估单元的测量头，其中所述测量头借助于两根光导纤连接到所述评估单元，其中所述评估单元包括光源，所述光源的光通过第一光导纤引导到所述测量头中，且其中借助于分束器将由测量对象反射的光往回引导通过所述测量头并进入第二光导纤，使得传出光和返回光分开，其中光纤末端位于相互共轭位置中，其中所述分束器和所述光纤末端一起布置在可分开地连接到所述测量头的插塞中。
彩色测量装置

[发明专利]用于通过共焦距离测量控制工件加工的方法和装置-CN202080091016.1在审
发明人： 克里斯托夫·迪茨;菲力普·罗尔曼 -专利权人：普瑞斯特光电公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23K26/03 文献下载
摘要：本发明描述一种用于工件的受控加工的方法和装置。根据所描述的方法，激光光束聚焦在待加工工件的目标点处以产生激光焦点。此外，根据所述方法借助于光学测距装置获取距离测量数据，以便确定所述待加工工件的所述目标点与激光目标光学单元之间的距离。所述方法包括基于所获取的距离测量数据而相对于所述激光焦点定位所述待加工工件。所述测距装置被设计为光学共焦测距装置，所述光学共焦测距装置具有用于产生测量光的测量光源并且具有可变焦距测量光光学单元。所述方法包括随时间改变所述可变焦距测量光光学单元的所述焦距，以便在所述可变焦距测量光光学单元的不同焦距值处获取距离测量数据，由所述工件反射的激光和/或在所述工件的加工期间产生的过程光是可检测的。
用于通过焦距测量控制工件加工方法装置

[发明专利]用于无接触测量距一表面的距离或两个表面之间的距离的方法和设备-CN201880062730.0有效
发明人： 克里斯托夫·迪茨 -专利权人：普莱斯泰克光电子有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：一种用于无接触地测量距一表面(19)的距离或两个表面之间的距离的测量设备包括产生多色测量光(12)的测量光源(11)和将由测量光源(11)产生的测量光(12)定向到测量物体(18)上且接收由其反射的测量光(12')的光学测量头(16)。具有色散光学元件(22)和检测器(24)的摄谱仪(20)对反射的测量光(12')进行光谱分析。校准光源(30)产生具有已知且与温度无关的光谱成分的校准光(32)。评估装置(28)根据光谱的变化推导出校正值，借助所述校正值修改一方面光敏单元(26)和另一方面波长或根据波长推导出的变量之间的预设的关联，其中所述光谱由检测器(24)的光敏单元(26)上的校准光(32)产生。
用于接触测量表面距离两个之间方法设备

[发明专利]光学测量装置-CN202010758298.8在审
发明人： 克里斯托夫·迪茨 -专利权人：普莱斯泰克光电子有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于对测量对象的距离和/或厚度进行测量的光学测量装置。第一光源发射穿过第一光波导体的多色测量光，该第一光波导体的端部形成第一共焦孔。成像光学器件将第一共焦孔成像到测量范围中，不同波长聚焦在不同高度。由测量对象反射的测量光被再次成像回到第一共焦孔。接收和评估单元测量由测量对象反射的并穿过第一共焦孔返回的测量光的与波长相关的强度，并从中确定距离和/或厚度。测量装置包括平行于第一光波导体被引导的第二光波导体，并且其端部代表第二共焦孔，第二光波导体的直径大于第一光波导体的直径。接收和评估单元还测量由测量对象反射的并穿过第二共焦孔返回的测量光的与波长相关的强度，并从中确定距离和/或厚度。
光学测量装置

[发明专利]用于监测硅片的厚度的装置和方法以及用于硅片减薄的装置-CN201110066589.1有效
发明人：马丁·舍恩莱伯;克里斯托夫·迪茨 -专利权人：普雷茨特光电子有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于监测至少在其背面具有高掺杂层的硅片的厚度的装置。该装置具有配置来发射多个波长的相干光的源。而且，该装置还包括测量头，其配置来邻近硅片不接触地定位并且配置来以相干光照射至少一部分的硅片以及接收由硅片反射的至少一部分的辐射。另外，该装置还包括分光计、分束器和评估设备。评估设备被配置来利用光学相干断层成像技术分析由硅片反射的辐射，进而确定硅片的厚度。在中心波长wc附近的带宽b中发射多个波长的相干光。硅片的高掺杂层的光吸收系数为最小值时的波长位于该带宽b中。
用于监测硅片厚度装置方法以及