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[发明专利]缩短发光中心的闪烁响应的方法以及具有缩短的闪烁响应的闪烁体的材料-CN201680059080.5有效
发明人：金得里希·胡兹维卡;卡雷尔·布拉泽克;彼得·胡罗迪斯基;马丁·尼克尔;帕沃·波哈斯克 -专利权人： 克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：要解决的问题：目前，缩短闪烁材料的闪烁响应的已知方法是抑制闪烁响应的次波幅较慢成分（2），但是在这种方法中，显著缩短闪烁响应的主波幅成分的可能性受到限制。解决方案：本发明涉及缩短闪烁体发光中心的闪烁响应的方法，该方法用Ce或Pr共掺杂，同时用来自镧系元素、3d跃迁金属、4d跃迁金属或5s2或6s2离子族的离子共掺杂。已经具有由被吸收的电磁辐射导致发光中心电子激发，用这种方法生成的闪烁体可通过非辐射能量转移从被激发的发光中心带离部分能量，从而导致闪烁响应的主波幅成分（1）的持续时间被显著缩短。
缩短发光中心闪烁响应方法以及具有材料

[发明专利]用于探测电离辐射的闪烁探测器-CN201680009348.4有效
发明人：爱丽丝·霍斯波德科娃;卡雷尔·布拉泽克;爱德华·胡利休斯;扬·托斯;马丁·尼克尔 -专利权人： 克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：用于探测电离辐射的闪烁探测器，该电离辐射尤其是电子、X射线或粒子辐射，该闪烁探测器包括单晶基底（1）、至少一个缓冲层（2）、至少一个氮化物半导体层（3、4、5、6），该至少一个氮化物半导体层被施加至具有外延的基底（1）上，该氮化物半导体层用通式Al_yIn_xGa_1‑x‑yN描述，其中0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1有效，其中至少两个氮化物半导体层（3、4）被设置在层状异质结构中，该层状异质结构的结构包含至少一个势阱，该至少一个势阱用于电子和空穴的辐射重组。在该结构中，设有大体上相同极化的氮化物半导体层（3、4）的至少一个活性双层，该至少一个活性双层由Al_ybIn_xbGa_1‑xb‑ybN型的阻挡层（4）和表示势阱的Al_ywIn_xwGa_1‑xw‑ywN型的层（5）组成，其中xb≤xw和yb≤yw有效；或者存在厚度（t₃）小于2nm、Al_ydIn_xdGa_1‑xd‑ydN型的至少一个载体吸引层（7），其中yd≤yw和xd≥xw+0.3，该至少一个载体吸引层（7）嵌入氮化物半导体层（4、5）的至少一个活性双层中，以减小发光衰减时间。
用于探测电离辐射闪烁探测器

[发明专利]光源-CN201580036249.0有效
发明人：汤姆·菲德勒;扬·库柏特;史蒂芬·诺沃提尼;金得里希·胡兹维卡 -专利权人： 克莱托斯波尔公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：光源(1)基于激发相干辐射(3)的高效率固态激光源(2)和被加工成用于发射光参数化的光学元件形式的单晶磷光体(4)。单晶磷光体(4)由基于(A_x,Lu_1‑x)_aAl_bO₁₂:Ce_c通式的石榴石的单晶材料或者由基于B_1‑qAlO₃:D_q通式的钙钛矿结构的单晶材料产生。高效光源(1)将在例如汽车工业中使用。
光源

[发明专利]制备具有高达500mm直径的掺杂石榴石结构的单晶-CN201280008966.9有效
发明人：金得里希·胡兹维卡;卡雷尔·巴托斯 -专利权人： 克莱托斯波尔公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：制备掺杂有稀土氧化物和过渡元素的铝酸镥和铝酸钇单晶在于制备氧化物混合物烧结物，所述烧结物被充分熔化并均匀化至少一小时的时间段。单晶种具有8×8mm的最小尺寸和100mm的长度。晶体生长率和晶锥的加宽以与晶轴至少60的角度被保持均匀，直至直径为至少100mm坩埚的至少80%直径。之后，其直径继续通过晶体/熔体界面处的温度调节和晶体牵拉和旋转速度得以保持。通过使晶体与熔体分离，同时晶体继续定位在坩埚内部的其中晶体生长的且其中还发生晶体的最终回火的区域内完成该过程。
制备具有高达 500 mm 直径掺杂石榴石结构

[发明专利]具有单晶磷光体的白光发光二极管和生产的方法-CN201480023021.3在审
发明人：扬·库柏特;金得里希·胡兹维卡;扬·波莱克 -专利权人： 克莱托斯波尔公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：根据本发明，具有被放置在选自InGaN、GaN或AlGaN组的芯片上的单晶磷光体的二极管包括以下事实，即单晶磷光体(21)从被被选自Ce³⁺、Ti³⁺、Cr³⁺、Eu²⁺、Sm²⁺、B³⁺、C、Gd₃⁺或Ga³⁺组的原子掺杂的LuYAG和/或YAP和/或GGAG主体创造的单晶铸锭(51)创造，单晶铸锭(51)从熔融物使用选自Czochralski、HEM、Badgasarov、Kyropoulos或EFG组的方法被生长，当Lu³⁺、Y³⁺和AL³⁺原子可以在主体中被B³⁺、Gd₃⁺或Ga³⁺原子代替高至99.9％的量时。磷光体(21)的组成和生产的方法、其的表面的处理和形状以及整个的二极管的构建确保在从二极管的InGaN芯片(13)自身朝向正在被照亮的物体的方向的已转换的光的抽取并且限制在单晶磷光体(21)和包胶剂(31)或单晶磷光体(21)和周围环境(44)的界面上的全反射效应。
具有磷光体白光发光二极管生产方法

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