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- [发明专利]单晶提拉装置及单晶提拉方法-CN202280019090.1在审
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高野清隆;镰田洋之
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信越半导体株式会社
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2022-01-28
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2023-10-20
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C30B15/20
- 本发明是一种单晶提拉装置，具备具有中心轴的提拉炉以及具有线圈的磁场产生装置，对熔融半导体原料施加水平磁场，其中，线圈是鞍型，设有2组相向配置的鞍型线圈的对，2组线圈对中的2条线圈轴包含在同一水平面内，当在该水平面内，将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴，将垂直于X轴的方向设为Y轴时，2条线圈轴间夹着X轴的中心角度α为90度以下，相邻的线圈彼此间夹着Y轴的线圈间角度β为20度以下。由此，提供一种单晶提拉装置、及单晶提拉方法，能通过提高磁场产生效率而减小线圈高度，能使磁场中心提高至半导体原料的熔液面附近，能得到氧浓度比现有技术更低的单晶，并能更高速地提拉无缺陷晶体。
- 单晶提拉装置方法
- [发明专利]晶圆的双面研磨方法-CN202310358794.8在审
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田中佑宜;天海史郎
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信越半导体株式会社
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2023-04-06
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2023-10-20
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B24B37/08
- 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，其能够利用现有的修整方法以外的手段来进行研磨布的起毛整形，而获得能够维持边缘平坦度且高平坦度的晶圆。一种晶圆的双面研磨方法，将晶圆夹持于分别贴附有研磨布的上平台与下平台之间，并使所述研磨布滑动接触于该晶圆的双面而实施双面研磨加工，其中，准备具有算术平均粗糙度Ra为100nm以上且负荷面积率Smr1为10％以上的表面形貌的晶圆，对该准备的晶圆实施所述双面研磨加工，由此一边利用所述晶圆的表面形貌来修整所述研磨布，一边对所述准备的晶圆的双面进行研磨。
- 双面研磨方法
- [发明专利]双面研磨装置及双面研磨方法-CN202310291355.X在审
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久富涉生;大叶茂
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信越半导体株式会社
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2023-03-23
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2023-10-20
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B24B37/08
- 提供一种双面研磨装置，其能够准确地评价在研磨中的晶圆外周部的厚度(形状)，并能够进行可靠的厚度测量。本发明的晶圆的双面研磨装置还配置有厚度测量装置，其在保持于载具的晶圆在研磨中通过的位置测量晶圆的厚度，双面研磨装置还具有评价处理部，该评价处理部构成为：通过所述厚度测量装置测量晶圆的厚度，确定测量出厚度的晶圆，获得在该确定出的晶圆上连续得到的厚度测量位置的通过轨迹，以使通过轨迹收敛于晶圆模板的方式，使通过轨迹相对于晶圆模板相对地进行平行移动，之后，获得从晶圆模板中心起的通过轨迹的半径位置，从而评价所述确定出的晶圆的形状。
- 双面研磨装置方法
- [发明专利]硅晶圆的清洗方法-CN201880052419.8有效
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五十岚健作;阿部达夫
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信越半导体株式会社
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2018-07-31
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2023-10-20
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H01L21/304
- 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
- 硅晶圆清洗方法
- [发明专利]晶片评价方法和外延晶片的制造方法-CN201810663483.1有效
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大西理;荒井刚
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信越半导体株式会社
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2018-06-25
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2023-10-10
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H01L21/66
- 提供一种方法，其能够评价由相对晶片外表面的外延反应或蚀刻反应而产生的晶片内表面的凹凸部是因沉积反应和蚀刻反应中的哪者而产生的。准备SOI晶片（S1），测定SOI晶片的SOI层的厚度（S2）。按照SOI层朝向基座侧的方式，将SOI晶片上下翻转并放置于基座上，进行外延反应或蚀刻反应（S3，S4）。将反应后的SOI晶片上下翻转成SOI层朝向上方的状态，测定SOI层的厚度（S5，S6）。通过求出反应前后的SOI层的厚度的差，来获得晶片内表面的沉积反应与蚀刻反应的面内分布（S7）。另外，根据已获得的面内分布，求出用于使该面内分布均匀化的外延生产的工艺条件，根据该工艺条件，在制品衬底上进行外延生长。
- 晶片评价方法外延制造
- [发明专利]单晶硅基板的分选方法以及单晶硅基板-CN201880075449.0有效
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竹野博
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信越半导体株式会社
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2018-10-22
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2023-09-26
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H01L21/322
- 本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单晶硅基板中，注入过剩载流子，并测量过剩载流子浓度相对于注入了过剩载流子后的经过时间的衰减曲线；判定工序，在测量的过剩载流子衰减曲线中，求出该衰减曲线中的去除衰减速度快的前半部分的尾部中剩余过剩载流子浓度衰减到注入时的过剩载流子浓度的规定比例的衰减时间，在该衰减时间的值为预先确定的判定值以下的情况下，判定单晶硅基板合格；以及分选工序，将由与制作出通过判定而判定为合格的单晶硅基板的单晶硅锭相同的单晶硅锭制作的单晶硅基板分选为控制载流子的复合寿命的单晶硅基板。由此，提供一种单晶硅基板的分选方法，该方法为了抑制微弱的尾电流，而在通过控制载流子的复合寿命来抑制尾电流的功率器件中分选低浓度的过剩载流子的衰减变快的单晶硅基板。
- 单晶硅分选方法以及
- [发明专利]复合寿命的控制方法-CN201880053627.X有效
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竹野博
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信越半导体株式会社
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2018-08-08
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2023-09-22
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H01L21/66
- 本发明为一种复合寿命的控制方法，其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序；粒子束照射工序；及热处理工序，控制所述硅基板的载流子的复合寿命，所述控制方法的特征在于，在进行所述准备工序之前，预先取得测定的复合寿命与氮浓度的相互关系，基于该相互关系，以使所述硅基板的所述热处理工序后的复合寿命成为目标值的方式，在所述准备工序中调节氮浓度。由此提供一种在控制载流子的复合寿命的的制造工序中，能够减小复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命的复合寿命的控制方法。
- 复合寿命控制方法
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