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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单层转移集成电路的热提取-CN201980048105.5有效
发明人： 保罗·阿比吉特;理查德·詹姆斯·道林;山田浩史;阿拉因·迪瓦莱;罗纳德·尤金·里迪 -专利权人：派赛公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种使用背侧接近工艺制造的FET IC结构，该FET IC结构减轻或消除了导热性问题。在一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径，并且因此传导至在完整IC的“顶部”处可从外部接近的热垫。在利用导热处理晶片的一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET。充分地形成热通孔以与处理晶片以及与器件上部结构的常规金属化层热接触，所述常规金属化层中的至少一个与横向热路径热接触。在一些实施方式中，横向热路径可以使用伪栅极，所述伪栅极被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径。
单层转移集成电路提取

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