“侯玥玥”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN201710418702.5有效
发明人： 侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩;黄纪德 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法，其中，所述太阳能电池的制备方法利用等离子体处理氨气的方式对硅衬底进行氢钝化，氨气在等离子体处理过程中产生的氢离子与所述太阳能电池的硅衬底中的缺陷或杂质反映，起到钝化的效果，从而提升了太阳能电池的光电转换效率；并且氨气非易燃易爆气体，避免了氢钝化过程总易燃易爆气体参与而造成危险的可能。
一种太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种多主栅太阳能电池片及光伏组件-CN201721810302.0有效
发明人： 侯玥玥;黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多主栅太阳能电池片，包括电池片本体和若干第一电极，若干所述第一电极设置在所述电池片本体接受光照的一面上，并且按列排布，所述第一电极为点状。本实用新型太阳能电池片采用细栅线设计，第一电极为点状，在与细焊带焊接时能够减少银浆消耗。本实用新型还公开一种包括上述多主栅太阳能电池片的光伏组件。
太阳能电池片本实用新型主栅电池片本体第一电极光伏组件点状细栅线焊带排布银浆焊接光照消耗

[发明专利]一种硅片的清洗方法-CN201711349496.3在审
发明人： 侯玥玥;黄纪德;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅片的清洗方法，包括：将待清洗的硅片放置在臭氧水中进行第一次水洗，在硅片表面形成氧化膜；将硅片放置在预热后的氢氟酸溶液中进行第一次酸洗，以对氧化膜进行去除，氢氟酸溶液中水与氢氟酸的比例取值范围为20:1‑10:1，包括端点值；预热后的氢氟酸溶液的温度为40℃‑80℃，包括端点值；将硅片放入去离子水中，进行第二次水洗，以对位于硅片表面的氢氟酸溶液进行清洗；将硅片放入氢氟酸和盐酸的混合溶液中，进行第二次酸洗，以对硅片表面的金属离子进行去除；将硅片放入去离子水中，进行第三次水洗。该方法可在去除硅片表面沾污的杂质的基础上达到节省氢氟酸的目的。
一种硅片清洗方法

[实用新型]管式扩散炉-CN201720936796.0有效
发明人：黄纪德;侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管式扩散炉，包括：扩散炉管和加热模块，其中，加热模块加热扩散炉管以使扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高。本实用新型实施例公开的管式扩散炉中，扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高，则在扩散过程中，能够实现扩散炉管内的温度沿扩散炉管的充气方向增高，使得扩散炉管内工艺气体浓度较大的位置温度较低、工艺气体浓度较小的位置温度较高，由于工艺气体的浓度越大扩散电阻越小、扩散炉管的温度越高扩散电阻越小，则提高了扩散方阻的一致性，提高了扩散均匀性。
扩散

[实用新型]一种真空吸笔-CN201720319928.5有效
发明人： 侯玥玥;金井升;金浩;张昕宇;黄纪德 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空吸笔，包括具有管腔的握持部和具有吸孔的吸盘，管腔用于外接负压源；握持部与吸盘之间通过可伸缩的笔杆部连接，吸孔经笔杆部与握持部的管腔连通，笔杆部分别与握持部和吸盘密封连接。应用本实用新型提供的真空吸笔取放硅片时，操作员可通过将管腔与负压源连通使管腔内产生负压，从而吸盘的吸孔产生负压，吸住太阳能电池片，转移至想要的位置后，释放负压即可放下硅片。对于不同位置的硅片，可以通过调整笔杆部的长度，如对于位置较远的硅片可以将笔杆部伸长，对于位置较近的硅片则可以将笔杆部缩回，进而对于不同位置的硅片均能够方便的取片及插片，极大的方便了生产员的操作，有利于提高生产效率。
一种真空

[发明专利]一种成品太阳能电池退火的方法-CN201710891399.0在审
发明人： 侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩;黄纪德 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种成品太阳能电池退火的方法，包括设置链式退火炉内各个区间的温度以及炉带移动速度；将所述链式退火炉内的空气排出；向所述链式退火炉内通入氢气和氮气；将成品太阳能电池放置在所述链式退火炉的上料处的传送炉带上；在所述链式退火炉内经过预设时间的氢化退火后，从所述链式退火炉的下料处取出所述成品太阳能电池。上述成品太阳能电池退火的方法，能够减少氢化退火工艺的时间，在提高效率的基础上，减少太阳能电池中的缺陷，提升电池的开路电压，提高转换效率。
一种成品太阳能电池退火方法

[发明专利]太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池-CN201710630198.5在审
发明人：黄纪德;侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池，太阳能电池硅片的扩散方法包括步骤将硅片送至扩散炉管内；加热扩散炉管，以使扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高；对扩散炉管内的硅片进行扩散。上述太阳能电池硅片的扩散方法，通过加热扩散炉管使得扩散炉管内的温度沿工艺气体充入扩散炉管的方向增高，则扩散炉管内工艺气体浓度较大的位置温度较低、工艺气体浓度较小的位置温度较高，由于工艺气体的浓度越大扩散电阻越小、扩散炉管的温度越高扩散电阻越小，则提高了扩散方阻的一致性，提高了扩散均匀性。
太阳能电池硅片扩散方法

[实用新型]一种抗PID效应的太阳能电池片-CN201621261795.2有效
发明人： 侯玥玥;金井升;金浩;张昕宇;黄纪德;李娜 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种抗PID效应的太阳能电池片，该抗PID效应的太阳能电池片包括衬底，所述衬底的表面具有扩散发射结，所述扩散发射结的表面设置有第一金属离子阻挡层，所述第一金属离子阻挡层的表面设置有减反射层，所述减反射层的表面设置有第二金属离子阻挡层。上述抗PID效应的太阳能电池片，由于具有前后两层金属离子阻挡层来抗PID效应，可通过在‑1000V的偏压下进行长达192小时甚至更久的抗PID测试，且无需利用原子层沉积法制备氧化铝层，因此能够简化制造工序，且减少PID测试的失效风险。
一种 pid 效应太阳能电池

[发明专利]一种无损伤清洗硅片的方法-CN201610809110.1在审
发明人： 侯玥玥;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种无损伤清洗硅片的方法，包括制备带有添加剂的超临界二氧化碳；利用所述带有添加剂的超临界二氧化碳对硅片的表面进行吹洗，所述超临界二氧化碳使污染物脱离所述硅片的表面；将所述污染物从所述超临界二氧化碳中进行分离。本申请提供的上述无损伤清洗硅片的方法，能够降低清洗成本，避免环境污染，不会对硅片造成损伤。
一种损伤清洗硅片方法

[发明专利]一种太阳能电池硅片的清洗方法-CN201610380358.0在审
发明人： 侯玥玥;金井升;黄纪德;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法，包括步骤：采用臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，使硅片表面产生氧化层；采用氢氟酸溶液对硅片进行表面腐蚀处理；对硅片进行漂洗。本发明清洗方法先以臭氧水溶液对硅片进行浸泡清洗，能够有效地氧化硅片表面沾污的有机物污质，并氧化硅片表面形成氧化膜；然后通过氢氟酸溶液对硅片进行腐蚀清洗，去除表面的金属污质，并腐蚀掉表面的氧化膜，在腐蚀掉表面氧化膜的同时去除了表面污质，从而实现对硅片表面的清洗。本发明清洗方法中采用臭氧水溶液，臭氧水溶液与表面有机物污质反应产生CO₂和H₂O，对人体无危害性，且臭氧水溶液产生的废液对环境污染小，不需要进行特殊处理。
一种太阳能电池硅片清洗方法

[发明专利]一种半成品电池片抗PID性能的测试方法-CN201510794622.0在审
发明人： 侯玥玥;蒋方丹;金井升;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种半成品电池片抗PID性能的测试方法，包括：将半成品电池片水平放置；在所述半成品电池片的表面上的多个位置点滴上去离子水；观察所述去离子水自然扩散之后的形态；根据所述形态判断所述半成品电池片的抗PID性能。本申请提供的上述半成品电池片抗PID性能的测试方法，能够有效的测量半成品电池片的抗PID性能，且操作方便。
一种半成品电池 pid 性能测试方法

1
共 11 条