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[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202010799660.6有效
发明人：叶治东;侯俊良;廖文荣;张峻铭;徐仪珊;李瑞池 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制作方法，其包括一基底、一台型结构设置在该基底上、一钝化层设置在该台型结构上，以及至少一接触结构设置在该钝化层及该台型结构中。该台型结构包括一通道层以及一势垒层设置在该通道层之上。该接触结构包括一主体部以及多个凸出部，该主体部穿过该钝化层，该些凸出部与该主体部的一底面连接并且穿过该势垒层以及部分该通道层。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[外观设计]水枪（蝠鲼）-CN202330160399.X有效
发明人： 侯俊良;陈星璇 -专利权人：四川传媒学院
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：水枪（蝠鲼）。2.本外观设计产品的用途：用于喷水的水枪。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组合参考图。
水枪蝠鲼

[实用新型]一种SiC陶瓷扩散钎焊的简易夹具-CN202222358468.0有效
发明人：周博芳;张红霞;李桃花;侯俊良;满武士;谢昊东 -专利权人：湖北汽车工业学院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC陶瓷扩散钎焊的简易夹具，在所述的基座内安装有下模，其中在所述的下模内设有限位孔并安装有更换块，更换块内再设有第一沉槽，下模向上对应第一沉槽设有通孔，通孔在限位孔上方穿出，下SiC陶瓷块穿过通孔放置在更换块的第一沉槽内；对应下模还设有上模，其中上模向下设有第二沉槽，上SiC陶瓷块放置在第二沉槽内和下SiC陶瓷块形成对接关系；所述更换块的轴心与上SiC陶瓷块和下SiC陶瓷块在一条直线上，此时上SiC陶瓷块和下SiC陶瓷块之间填充有液态钎料，对上模施加压力后即可对上SiC陶瓷块和下SiC陶瓷块进行扩散焊接。本实用新型使上SiC陶瓷块和下SiC陶瓷块形成三维的定位，保证了整体焊接质量；同时钎料在熔化时也不会流出。
一种 sic 陶瓷扩散钎焊简易夹具

[发明专利]具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法-CN202110509466.4在审
发明人：叶治东;侯俊良;廖文荣;李瑞池 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法，其中该具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，包含：一基底；一通道层，设于所述基板上；一阻障层，设于所述通道层上；一二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；一凹槽，设于一接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及一欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的一垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的一倾斜侧面直接接触。
具有接触电阻半导体晶体管结构及其制作方法

[发明专利]具有平台结构的半导体元件及其制作方法-CN201911211806.4在审
发明人：张峻铭;廖文荣;侯俊良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有平台结构的半导体元件及其制作方法，其中该平台结构包含一基底，一平台凸出于基底，平台包含一个坡面和一上表面，前述坡面环绕上表面，其中一晶格破坏区设置于坡面的内侧，平台可选择性包含一绝缘层覆盖于晶格破坏区，其中绝缘层为氧化层或氮化层。
具有平台结构半导体元件及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201911241221.7在审
发明人：陈柏荣;黄哲弘;张峻铭;徐仪珊;叶治东;黄信川;廖文荣;侯俊良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该P型半导体层上，图案化该硬掩模以及该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201911086103.3在审
发明人：黄信川;叶治东;张峻铭;陈柏荣;廖文荣;侯俊良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底；一缓冲层，位于所述基底上；一氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；一栅极凹陷，位于所述氮化铝镓层中；一源极区域和一漏极区域，位于所述栅极凹陷的相对两侧；一氮化镓源极层和一氮化镓漏极层分别成长于所述源极区域和所述漏极区域内的所述氮化铝镓层上；以及一P型氮化镓栅极层，位于所述栅极凹陷内和所述栅极凹陷上。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201910953637.5在审
发明人：张峻铭;黄哲弘;廖文荣;侯俊良 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一第一阻障层于该缓冲层上，形成一第一硬掩模于该第一阻障层上，去除该第一硬掩模以及该第一阻障层以形成一凹槽，形成一第二阻障层于该凹槽内，再形成一P型半导体层于该第二阻障层上。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]具有减少的缺陷的半导体外延结构-CN201910862592.0在审
发明人：张峻铭;侯俊良;廖文荣;卢明昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有减少的缺陷的半导体外延结构，包含一基底，该基底上具有一凹槽、一岛状绝缘体，设置在该凹槽的底面上、间隔壁，设置在该凹槽的侧壁上、一缓冲层，设置在该凹槽中并盖住该岛状绝缘体、一通道层，设置在该凹槽中以及该缓冲层上、以及一阻障层，设置在该凹槽中以及该通道层上，其中该通道层中形成二维电子气或是二维空穴气。
具有减少缺陷半导体外延结构

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201910710859.4在审
发明人：张峻铭;侯俊良;廖文荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一基底；一缓冲层，设于所述基底上；一氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；一第一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；一氮化铝蚀刻停止层，位于所述第一氮化铝镓层上；以及一P型氮化镓层，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。
电子迁移率晶体管

[实用新型]一种农产品籽苗培育箱-CN201821497537.3有效
发明人： 侯俊良;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人： 侯俊良
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： A01G9/16 文献下载
摘要：一种农产品籽苗培育箱，包括保温箱体和弧形棚，所述保温箱体上侧设有弧形棚，且弧形棚的左右两端通过固定支架与保温箱体固定连接，所述弧形棚的左右两端设有滑槽，且滑槽内设有滚轮，所述固定支架与滚轮固定连接，所述弧形棚的内侧设有弧形支撑杆，且弧形支撑杆上侧设有保温膜套，所述弧形支撑杆下侧设有主支撑杆与副支撑杆。该农产品籽苗培育箱设有伸缩固定支架，自动化程度较高，且本装置设有太阳能板和电能转换器，能够有效的将太阳能转换成220v的家用电供培育箱使用，且透气时操作也十分方便，节约大量的人力物力，而且该培育箱还设有保温墙，对培育箱内的保温效果好，能够有效的对籽苗进行保持良好的温度。
培育箱籽苗弧形支撑杆保温箱体固定支架滚轮滑槽农产品电能转换器太阳能转换保温效果副支撑杆人力物力太阳能板主支撑杆保温膜保温墙家用电伸缩透气自动化节约培育

[发明专利]测试键结构与测试键群组-CN201410394926.3有效
发明人：王建国;侯俊良;廖文荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测试键结构与测试键群组，该测试键结构包含有多个晶体管，设置在一晶圆的一切割道内，且排列成一2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。
测试结构键群组

[实用新型]一种卧式排渣放水器及排渣放水系统-CN201820355101.4有效
发明人：代海锋;徐明;于志刚;王佳伟;王广森;侯俊良;宋亚群;刘威 -专利权人：永煤集团股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： E21F7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种卧式排渣放水器及排渣放水系统，卧式排渣放水器包括壳体，所述壳体上设有供瓦斯流入的进气口、瓦斯流出的出气口以及供水和杂质排出的排渣放水口，所述壳体上还设有供冲洗液进入以冲洗壳体内杂质的冲洗口。与现有技术相比，在壳体上增加了冲洗口，当排渣放水器内出现堵塞时可以用冲洗液冲洗杂质，以解决堵塞问题，也可以定期通过冲洗口对排渣放水器进行冲洗，以防止堵塞，增加排渣放水器的使用寿命；此外，排渣放水口设置在排渣放水器上远离冲洗口的一端且位于排渣放水器的下部，避免了杂质的大量积存，提高了排渣放水器的使用效果。
排渣放水器冲洗口壳体冲洗排渣放水冲洗液放水口排渣瓦斯进气口本实用新型堵塞防止堵塞使用寿命体内杂质出气口积存排出流出供水

[发明专利]卧式排渣放水器及排渣放水系统-CN201810215418.2在审
发明人：代海锋;徐明;于志刚;王佳伟;王广森;侯俊良;宋亚群;刘威 -专利权人：永煤集团股份有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： E21F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及卧式排渣放水器及排渣放水系统，卧式排渣放水器包括壳体，所述壳体上设有供瓦斯流入的进气口、瓦斯流出的出气口以及供水和杂质排出的排渣放水口，所述壳体上还设有供冲洗液进入以冲洗壳体内杂质的冲洗口。与现有技术相比，在壳体上增加了冲洗口，当排渣放水器内出现堵塞时可以用冲洗液冲洗杂质，以解决堵塞问题，也可以定期通过冲洗口对排渣放水器进行冲洗，以防止堵塞，增加排渣放水器的使用寿命；此外，排渣放水口设置在排渣放水器上远离冲洗口的一端且位于排渣放水器的下部，避免了杂质的大量积存，提高了排渣放水器的使用效果。
排渣放水器冲洗口壳体冲洗排渣放水冲洗液放水口排渣瓦斯进气口堵塞防止堵塞使用寿命体内杂质出气口积存排出流出供水

[实用新型]一种便携式的水果采摘器-CN201721577417.X有效
发明人： 侯俊良;王辉;张欧文;李一帆;王胜宇;林丽君;李坚刚;张佳雨 -专利权人：成都大学
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： A01D46/247 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式的水果采摘器，包括框体，框体上表面铰接刀片，框体侧面连接安装板，安装板远离框体的一端设置向上的凸缘，刀片的刀背朝向所述凸缘，刀片的刀背与凸缘之间连接第一弹性件；安装板上设置第二弹性件，第二弹性件的顶端固定连接限位件，限位件上固定连接放刀绳，放刀绳穿过安装板悬吊在安装板下方；当第一弹性件处于自然状态时，限位件位于刀片的刀背侧；当第二弹性件处于自然状态时，限位件阻挡在安装板的运动方向上；还包括与刀片固定连接的收刀绳，收刀绳连接在刀片远离转轴的一端。本实用新型用以解决现有技术中人工采摘水果容易跌落导致安全事故的问题，实现提高安全性能、同时简单高效的对水果进行采摘的目的。
刀片安装板弹性件限位件刀绳凸缘本实用新型水果采摘器自然状态刀背框体采摘框体上表面连接安装板安全事故安全性能框体侧面一端设置刀背侧水果铰接悬吊转轴跌落穿过阻挡

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