专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果15个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]绝缘基体、半导体封装以及半导体装置-CN201880013156.X有效
  • 重田真实;作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2018-02-14 - 2023-06-16 - H01L23/12
  • 本发明提供了绝缘基体,该绝缘基体具备:绝缘基板、金属层、接合材料以及引线端子。绝缘基板为板状,具有从上表面至侧面的槽部。金属层具有:第一金属层,位于绝缘基板的上表面;以及第二金属层,与第一金属层连续,位于槽部的内表面。接合材料位于金属层的上表面。引线端子与槽部重叠,并且隔着接合材料位于第一金属层的上表面。接合材料具有:第一接合材料,将引线端子固定于第一金属层;以及第二接合材料,与第一接合材料连续,位于第二金属层的上表面,槽部具有内壁突出的突出部,并且第二接合材料位于突出部与引线端子之间。
  • 绝缘基体半导体封装以及装置
  • [发明专利]发光装置和照明装置-CN201880052232.8有效
  • 草野民男;作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2018-06-25 - 2023-05-09 - H01L33/50
  • 本发明的一实施方式的发光装置具备:波长变换构件,分散有第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体、第四荧光体以及第五荧光体分散;以及发光元件。第一荧光体在400nm~500nm、第二荧光体在450nm~550nm、第三荧光体在500nm~600nm、第四荧光体在600nm~700nm、第五荧光体在680nm~800nm的波长区域分别具有峰值。发光元件放射380nm~430nm的紫外区域的光。发光装置的发光光谱在380~430nm、430nm~480nm、480nm~550nm、550nm~650nm、650nm~750nm的波长区域具有峰值波长,380nm~950nm的波长区域的各个峰值波长的相对光强度差小于20%。
  • 发光装置照明
  • [发明专利]发光装置-CN201180026727.1有效
  • 作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2011-07-19 - 2013-02-06 - H01L33/50
  • 本发明的发光装置具备:基板;设于基板上的发光元件;设于基板上,并将发光元件以与发光元件空出间隔的方式被覆,且在下端的外周部具有段差,并且下端经由透光性构件而与基板接合的波长转换构件。再有,发光装置还具备:被设置在基板上、且被配置在发光元件和透光性构件之间的遮光构件。而且,波长转换构件其设置为,波长转换构件的下端从透光性构件上一直到透光性构件的侧部。
  • 发光装置
  • [发明专利]发光装置-CN201080033528.9无效
  • 伊藤宏树;作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2010-08-27 - 2012-05-23 - H01L33/50
  • 本发明提供一种发光装置(1),其具备:基板(2);在基板(2)上设置的发光元件(3);在基板(2)上设置的包围发光元件(3)的框体(4);以及被支承在框体(4)上并与发光元件(3)隔开对置的波长转换部(5)。进而,在该发光装置(1)中,波长转换部(5)的厚度从波长转换部(5)的端部侧向波长转换部(5)的中央部侧变薄。
  • 发光装置
  • [发明专利]发光装置-CN200880122598.4无效
  • 松浦真吾;作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2008-12-25 - 2010-12-08 - H01L33/00
  • 本发明提供一种发光装置。所述发光装置包括发光元件(1)、基体(2)及透光性层(3)。基体(2)具有包括第一部分(211)及第二部分(212)的上侧部分(21)。第一部分(211)包括发光元件(1)的安装区域并且具有第一气孔率。第二部分(212)包围第一部分(211),含有多个透光性粒子,并且,具有比第一气孔率大的第二气孔率。透光性层(3)将发光元件(1)封入其中,并且,以离开第二部分(212)的状态附着于第一部分(211)。
  • 发光装置
  • [发明专利]发光装置-CN200780031804.6无效
  • 作本大辅;松浦真吾;柳泽美津夫 - 京瓷株式会社
  • 2007-08-30 - 2009-08-12 - H01L33/00
  • 本发明提供一种发光装置,其具有:基体(11);在基体(11)上安装的发光元件(12);和在发光元件(12)的上方设置的发光部件(13)。还具有与发光元件(12)的侧面(12s)接触的由透光性材料形成的光学部件(14)。光学部件(14)具有:设置有发光元件(12)的开口(14p),和与发光部件(13)对置的平坦形状的上表面(14u)。由此减低发光装置中的发光分布的偏差。
  • 发光装置
  • [发明专利]发光装置以及发光组件-CN200780004134.9无效
  • 作本大辅;柳泽美津夫 - 京瓷株式会社
  • 2007-01-31 - 2009-08-05 - H01L33/00
  • 本发明提供一种发光装置和发光组件,即使在使用出射光的波长短的发光元件的情况下,也能够抑制由发光元件射出的光而导致的劣化,经长期使用也难以产生发光亮度等的劣化。发光装置的特征在于,包括:容器(20),其由透光性的无机材料构成,并具有凹状开口部;发光元件(1),其经由玻璃接合材料(4)收容在容器(20)的凹状开口部内,并在基板(10)上形成有第一导电型层(11)、发光层(12)以及第二导电型层(13);以及盖(21),其由透光性的无机材料构成,并闭塞容器的凹状开口部。所述容器(20)和盖(21)由石英玻璃、含有硼酸和硅酸的光学玻璃、水晶、蓝宝石或萤石等形成。
  • 发光装置以及组件
  • [发明专利]发光装置以及照明装置-CN200810179763.1有效
  • 田渊智也;三宅彻;作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2005-07-27 - 2009-06-03 - H01L33/00
  • 本发明公开一种发光装置以及照明装置,其中备有:基体,其从上表面向下表面或侧面延伸而形成配线导体;发光元件,其载置于所述基体的上表面,并与所述配线导体电连接;第1透光性部,其对所述发光元件进行包覆;第2透光性部,其以覆盖所述第1透光性部的方式设于该第1透光性部的上方,并通过在透光性材料中含有对所述发光元件所发光的光进行波长变换的荧光体而构成;第3透光性部,其设于所述第1透光性部和所述第2透光性部之间,将所述第1透光性部的折射率设为n1,将第2透光性部的折射率设为n2,将第3透光性部的折射率设为n3时,满足n3<n1和n3<n2的关系。通过这样的结构,能够实现高光取出效率、发射光强度、轴上光度和亮度。
  • 发光装置以及照明
  • [发明专利]发光装置-CN200780010800.X无效
  • 形部浩介;作本大辅;松浦真吾;森裕树;三宅彻 - 京瓷株式会社
  • 2007-03-29 - 2009-04-15 - H01L33/00
  • [课题]本发明目的在于提供一种可将由发光元件放射的光高效输出到发光装置外部的高亮度的发光装置。[解决方案]包括:基体(2);搭载在基体(2)上的发光元件(3),其具有形成有透光性电极(34)并且与基体(2)对置的第一面(3A)和第二面(3B);第一层(4),其由具有比透光性电极(34)的折射率小的第一折射率的第一透光性材料构成,覆盖发光元件(3)的透光性电极(34)并设置在基体(2)上;和第二层(5),其由具有比第一折射率大的第二折射率的第二透光性材料构成,并覆盖发光元件(3)和第一层。
  • 发光装置
  • [发明专利]发光装置以及照明装置-CN200580048431.4有效
  • 田渊智也;三宅彻;作本大辅 - 京瓷株式会社
  • 2005-07-27 - 2008-02-13 - H01L33/00
  • 本发明公开一种发光装置,其中备有:基体,其从上表面向下表面或侧面延伸而形成配线导体;发光元件,其载置于所述基体的上表面,并与所述配线导体电连接;第1透光性部,其对所述发光元件进行包覆;第2透光性部,其以覆盖所述第1透光性部的方式设于该第1透光性部的上方,并通过在透光性材料中含有对所述发光元件所发光的光进行波长变换的荧光体而构成;第3透光性部,其设于所述第1透光性部和所述第2透光性部之间,将所述第1透光性部的折射率设为n1,将第2透光性部的折射率设为n2,将第3透光性部的折射率设为n3时,满足n3<n1和n3<n2的关系。通过这样的结构,能够实现高光取出效率、发射光强度、轴上光度和亮度。
  • 发光装置以及照明

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top