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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202311099723.7在审
  • 丁琦;彭路露;李仁雄;黄俊;何坤芹 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2023-08-29 - 2023-10-20 - H01L23/522
  • 本公开提供了一种半导体装置，其包括：电容器，设置在后段工艺(BEOL)层中；以及电感器，设置在后段工艺层上方的远后段工艺(Far‑BEOL)层中，其中，电感器堆叠在电容器上方并且电连接到电容器。根据本公开的半导体装置实现了电容器和电感器的单芯片堆叠集成，其中电容器和电感器可以占用相同的芯片面积，从而能够获得设计紧凑、高集成度、制造工艺简单等技术效果。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202211636914.8在审
  • 黄俊;彭路露;李仁雄;丁琦;何坤芹 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-12-16 - 2023-06-13 - H01L29/78
  • 本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底；设置在P型衬底上的N型埋层，以及设置在N型埋层上的LDMOS器件，其中LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区，二者设置在P型阱中；N型漏接触区，设置在高压N型阱中，高压N型阱邻接P型阱；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到高压N型阱的上表面；以及多个第一LOCOS结构，设置在高压N型阱的上表面上，多个第一LOCOS结构具有条形形状并且沿其宽度方向彼此平行地依次排列在栅介质和N型漏接触区之间。根据本公开的半导体装置具有高击穿电压、低比导通电阻和高开关速度的优点。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202211622976.3在审
  • 黄俊;彭路露;李仁雄;丁琦;何坤芹 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-12-16 - 2023-03-21 - H01L29/06
  • 本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型埋层以及设置在N型埋层上的LDMOS器件。LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区；源电极，设置在N型源接触区和P型体接触区上；N型漏接触区；漏电极，设置在N型漏接触区上；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到N型漏接触区的上表面并且邻接漏电极；半导体层，设置在栅介质上，半导体层的边缘与栅介质的边缘对准，半导体层包括在靠近源电极的一侧形成的栅接触区；以及栅电极，设置在栅接触区上，半导体层具有使栅介质暴露的开口区域。根据本公开的半导体装置具有高击穿电压、低比导通电阻和高开关速度的优点。
  • 半导体装置
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  • 共 3 条
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