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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]DC-DC转换器以及电源控制用半导体集成电路和电源装置-CN202180035909.9在审
发明人：三岛健人;佐藤朗;大原智光 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：具备：控制电路(11)，其根据与输出电压成比例的反馈电压与预定的参照电压的电位差，对连接在电压输入端子与电压输出端子之间的开关元件或晶体管进行控制；电流源电路(15)，其流过预定的电流；电压修正电路(41)，其对参照电压或反馈电压进行修正；以及开关单元(SW1)，其根据从外部供给的用于对电路动作的执行/停止进行控制的信号向有效电平的变化，来向电压输出端子输出电流源电路的电流，电压修正电路基于在输出了电流源电路的电流时从外部输入的与负载侧的电阻相关的信息来决定电压修正量。
dc 转换器以及电源控制半导体集成电路装置

[发明专利]金属圆筒、基底及电子照相感光体的制造方法、金属块-CN201610803421.7有效
发明人：春山大辅;佐藤朗;为政博史 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G03G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属圆筒的制造方法、电子照相感光体用基底的制造方法、电子照相感光体的制造方法以及冲压用金属块。金属圆筒的制造方法包括：制备具有如下表面的金属块，该表面被调整为使得距所述表面深度为10μm处的晶粒直径小于距所述表面深度为100μm处的晶粒直径，且距所述表面深度为10μm处的晶粒直径为30μm以上且120μm以下；以及通过对以所述表面作为底面的所述金属块进行冲压加工来形成圆筒。
金属圆筒基底电子照相感光制造方法

[发明专利]气体输送式微粉体定量供给方法及系统-CN201980077776.4在审
发明人：木村壮;佐藤朗 -专利权人：株式会社金星
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01J4/02 文献下载
摘要：本发明提供将微粉体定量地且稳定地供给的方法及用来实施该方法的系统。本发明特征在于，在将被填充在气体输送式微粉体定量供给装置内的微粉体通过输送气体向微粉体使用装置定量地输送供给的气体输送式微粉体定量供给方法中，调整上述输送气体中的水分含量，抑制在将上述微粉体和上述输送气体的混合流体从上述气体输送式微粉体定量供给装置向上述微粉体使用装置输送时在上述混合流体中发生的静电量。
气体输送式微定量供给方法系统

[发明专利]金属筒状体制造方法、电子照相感光体用基材制造方法、电子照相感光体制造方法和冲压加工用金属块-CN201610811660.7在审
发明人： 佐藤朗;春山大辅 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： G03G5/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属筒状体的制造方法、电子照相感光体用基材的制造方法、电子照相感光体的制造方法和冲压加工用金属块，其目的在于提供可抑制在外周面的凹部的产生的金属筒状体的制造方法。本发明的金属筒状体的制造方法具有下述工序准备工序，准备具有凹凸的平均间距Sm为100μm以上220μm以下的至少1个面的金属块(30)；润滑剂赋予工序，对上述金属块的上述面赋予润滑剂；以及冲压加工工序，将涂布有上述润滑剂的上述面作为底面，对上述金属块实施冲压加工，从而成型为筒状体(4A)。
金属体制方法电子照相感光体用基材制造冲压工用

[发明专利]金属圆筒体、感光体及其基材的制造方法和冲压用金属块-CN201610126259.X在审
发明人： 佐藤朗;多田一幸;安藤雅宏;为政博史 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G03G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了金属圆筒体、感光体及其基材的制造方法和冲压用金属块，所述金属圆筒体的制造方法包括以下工序：制备具有研磨表面的金属块；以及以所述研磨表面为底面，通过冲压将所述金属块成型为圆筒体。
金属圆筒感光及其基材制造方法冲压

[发明专利]DC-DC转换器以及开关控制电路-CN201010104741.6有效
发明人： 佐藤朗;川越治 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明提供可以在开关稳压器方式的DC-DC转换器中使尖峰噪声减小的技术。在具有使电流流过电感器的驱动用开关元件(M1)、整流元件(M2)、与输出端子连接的滤波电容器的开关稳压器方式的DC-DC转换器中，至少生成对驱动用开关元件(M1)进行导通、截止驱动的驱动信号的驱动电路(DRV1)，如下这样地生成驱动信号：亦即，与使驱动用开关元件从导通状态向截止状态转移时的驱动信号的迁移时间(tr1)相比，使驱动用开关元件从截止状态向导通状态转移时的驱动信号的迁移时间(tf1)更长。
dc 转换器以及开关控制电路

[发明专利]逻辑门以及使用该逻辑门的半导体集成电路装置-CN200810174933.7无效
发明人：川越治;佐藤朗 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供一种逻辑门以及使用该逻辑门的半导体集成电路装置。本发明的目的在于提供一种能够以容易调整的结构得到希望的滞后特性的逻辑门。本发明的逻辑门包含CMOS电路(10～14)，该CMOS电路(10～14)具有P沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管，本发明的逻辑门的特征在于，包括：与所述P沟道MOS晶体管和/或所述N沟道MOS晶体管的源极或漏极串联连接的具有电阻成份的元件(R1～R8)；与该具有电阻成份的元件(R1～R8)并联连接的开关元件；以及根据所述CMOS电路的输出信号，对所述开关元件进行开关控制的开关控制电路(20、21、22)。
逻辑以及使用半导体集成电路装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410028411.8无效
发明人：宇佐美光雄;辻和隆;斋藤武志;佐藤朗;鲛岛贤二;宝木和夫;安信千津子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1999-12-10 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：一种用于有效地进行纸或薄膜状媒体的防止伪造的方法，作为其解决方案，本发明提供的一种半导体装置，其特征在于：包括具有平面尺寸的边长小于、等于0.5mm、存储有识别编号的存储器的半导体芯片；和连接在所述半导体芯片的两表面上、发送所述识别数的一对天线，其中，所述半导体芯片安装在薄膜状的媒体上。本发明提供了半导体器件的制造方法包括下列步骤：在半导体晶片上形成半导体器件；把所述半导体晶片粘接到支持体上；把所述半导体芯片从所述半导体晶片上分离下来；把所述天线固定到指示部件上，以及进行相同的把多个所述半导体芯片和所述天线连接的步骤。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN01823871.8无效
发明人：田势隆;佐藤朗 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2001-12-25 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法，在通过划片将LSI芯片从晶片分离时，不发生破片(切断面断的欠缺)，即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件，其特征在于，至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角，该倒角倾斜角度为θ时，在端部具有90°＜θ＜180°的倾斜面。另外，优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°，尤其优选半导体芯片的四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。按照本发明，通过划片将LSI芯片从晶片分离时，由于能够抑制在LSI芯片外周端部发生的破片，所以如果在IC卡和IC标签的安装中使用此芯片，则因构造简单而能够削减材料费和制作时间，特别能够制作可靠性高的薄型IC卡和可靠性高的薄型IC标签。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200410028409.0无效
发明人：宇佐美光雄;辻和隆;斋藤武志;佐藤朗;鲛岛贤二;宝木和夫;安信千津子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1999-12-10 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：一种用于有效地防止伪造纸或薄膜状媒体的方法，其解决方法是提供一种半导体装置，其特征是：在半导体芯片内存在着可以写入的存储器区域，在该半导体芯片内存在着产生第1随机数的区域，通过在读出该第1随机数使之密码化并写入到上述存储器区域内之后，把与该随机数不同的第2随机数赋予半导体芯片，使第1随机数密码化后读出、再读出该存储器区域的内容后返回到第2随机数，以确认该半导体芯片不是伪造的芯片。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200410028410.3无效
发明人：宇佐美光雄;辻和隆;斋藤武志;佐藤朗;鲛岛贤二;宝木和夫;安信千津子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1999-12-10 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，其特征在于包括：具有平面尺寸的长边小于、等于0.5mm、存储有多位信息的存储器的半导体芯片，和与所述半导体芯片相连接、用于发送所述信息的天线，其中，所述半导体芯片装在薄膜状的媒体中，以及所述多位信息记录在所述媒体上。从而提供了有效地进行纸或薄膜状媒体的防止伪造的方法。
半导体装置

[发明专利]抑制癌向肝转移的医药组合物及治疗肝癌用医药组合物-CN93116240.8无效
发明人： 佐藤朗;浴本久雄;冈本一也;小林富美子;草野秀一;佐佐木寻绘 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 1993-08-09 - 公布日： 1994-05-11 - 主分类号： A61K31/70 文献下载
摘要：用上式表示的阿糖胞嘧啶十八烷基磷酸酯钠具有抑制癌细胞向肝脏转移的效果、并期待作为癌的治疗药使用。
抑制转移医药组合治疗肝癌

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