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- [发明专利]通孔形成方法、喷墨头和硅衬底-CN200810149116.6有效
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佐佐木圭一;早川幸宏
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佳能株式会社
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2008-09-12
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2009-03-18
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B41J2/16
- 提供了一种通孔形成方法、喷墨头和硅衬底。该方法包括如下步骤：在将于硅衬底(101)的第一表面中形成通孔的区域周围形成第一杂质区域(102a)，第一杂质区域(102)的杂质浓度高于硅衬底(101)；沿硅衬底(101)的深度方向在邻近第一杂质区域(102a)的位置形成第二杂质区域(102b)，第二杂质区域(102b)的杂质浓度高于第一杂质区域(102a)；在第一表面上形成蚀刻停止层(103)；在与第一表面相对的硅衬底(101)的第二表面上形成具有开口的蚀刻掩模层(104)；和蚀刻硅衬底(101)直到通过开口露出至少蚀刻停止层(103)。
- 形成方法喷墨衬底
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