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[实用新型]一种基于物联网的网关控制设备-CN202122782384.5有效
发明人：苏丽娜;李文佳;任舰 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及物联网技术领域，尤其为一种基于物联网的网关控制设备，包括第一防护架、第二防护架和控制设备本体，所述控制设备本体上下两端均滑动连接有第一固定架，所述控制设备本体左右两端均滑动连接有第二固定架，所述第一固定架与第二固定架远离控制设备本体一端前后两侧内开设有限位槽，所述限位槽内滑动连接有滑板，所述滑板上左右两端均转动连接有支撑杆，本实用新型，通过第一防护架与第二防护架，可以对控制设备本体进行保护，并且配合支撑杆与弹簧，可以对装置受到撞击或者移动时产生的能量，进行吸收，从而达到缓冲的效果，同时配合限位块与滑板，可以对不同方向的冲击能量进行吸收，提高装置使用寿命。
一种基于联网网关控制设备

[实用新型]掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件-CN201920375640.9有效
发明人：任舰 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种掺杂HfO2铁电栅的InAlNGaN HEMT器件，它涉及半导体功率器件制造技术领域。一种掺杂HfO2铁电栅介质的InAlNGaN HEMT器件它包含SiC衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层、栅介质层、SiN钝化层、栅极、源极、漏极，SiC衬底上方形成GaN成核层，GaN成核层上方为GaN缓冲层，AlN插入层上表面形成InAlN势垒层，栅介质层设在GaN帽层上表面，栅介质层上表面形成栅极，源极设置在漏极左侧。采用上述技术方案后，本实用新型的有益效果为：它的设计合理，避免了逆压电效应的前提下，进一步降低栅漏电流，同时提高阈值电压。
掺杂 hfo2 铁电栅 inalngan hemt 器件

[实用新型]一种低表面电流强鲁棒性的双向ESD防护结构-CN201820432995.2有效
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低表面电流强鲁棒性的双向ESD防护结构，包括具有提高维持电压作用的PNP结构和具有大电流泄放能力的寄生SCR结构；PNP结构由P型衬底、第一N‑epi区、第二N‑epi区、第一N阱、第二N阱、第一P+注入区及第三P+注入区构成，SCR结构由第一N‑epi区、P‑body区、第一N阱、第一P+注入区及第二P+注入区构成，防护结构还包括第一N+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、第二场氧隔离区。本实用新型可快速的泄放ESD电流，同时极大的增强的器件的抗ESD鲁棒性，此外该结构的阱间间距可调，还实现了可调节的触发电压，满足不同集成电路的静电防护要求。
注入区本实用新型场氧隔离区鲁棒性泄放寄生SCR结构双向ESD防护触发电压防护结构间距可调静电防护维持电压大电流低表面可调节衬底集成电路

[实用新型]一种插入绝缘埋层的InAlN-GaN HEMT器件-CN201920358484.5有效
发明人：任舰 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种插入绝缘埋层的InAlN‑GaN HEMT器件，它涉及半导体功率器件制造领域。一种插入绝缘埋层的InAlN‑GaN HEMT器件它包含SiC衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、绝缘埋层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层、SiN钝化层、栅极、源极、漏极，SiC衬底上方为GaN成核层，GaN缓冲层设置在GaN成核层上方，绝缘埋层生长在GaN缓冲层和AlN插入层内部，InAlN势垒层生长在AlN插入层上表面，GaN帽层上表面设置SiN钝化层，栅极位于源极和漏极之间。采用上述技术方案后，本实用新型的有益效果为：它的结构设计合理，避免了逆压电效应的前提下，进一步降低输入电容，提高阈值电压。
绝缘埋层钝化层上表面势垒层衬底漏极帽层源极半导体功率器件本实用新型逆压电效应输入电容阈值电压生长制造

[实用新型]一种电子元器件用清洗装置-CN201920359871.0有效
发明人：王琳;任舰;薛研研 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-03-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元器件生产技术领域，且公开了一种电子元器件用清洗装置，包括清洗箱主体，所述清洗箱主体的左侧固定安装有动力盒，所述动力盒的右侧壁内部活动安装有延伸至清洗箱主体内部的转动轴，所述转动轴的外部且位于动力盒的内部固定安装有转动轮。该电子元器件用清洗装置，通过设置对固定座开设了滑动槽，达到了对滑动块进行限位的效果，通过设置对滑动块安装了活动卡板，以及对固定块螺纹连接了延伸至定位盒内部的螺纹杆，达到了转动螺纹杆可带动活动卡板对电子元器件进行夹持的效果，通过设置将传动轮与转动轮通过传动带传动连接，达到了可对电子元器件进行旋转清洗和清洗效率高的目的。
电子元器件动力盒清洗箱活动卡板清洗装置滑动块螺纹杆转动轮转动轴本实用新型传动连接活动安装螺纹连接内部固定清洗效率生产技术旋转清洗主体内部传动带传动轮定位盒固定块固定座滑动槽右侧壁延伸夹持限位转动外部

[发明专利]一种AlGaN/GaN HEMT界面缺陷检测方法-CN201910587041.8在审
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT界面缺陷检测方法。该方法首先制备便于测试电容特性的圆形肖特基二极管结构，通过测量强积累区不同偏压下的电容‑频率特性曲线；然后根据肖特基二极管正向电流计算体电阻值，根据肖特基二极管反向电流计算漏电流等效电阻值，根据电容‑电压曲线获得势垒层电容值，采用阻抗等效模型拟合确定不同偏压下的界面缺陷等效电容值，最后计算求得界面缺陷密度随偏压的变化，实现对AlGaN/GaN HEMT界面缺陷的检测。本发明通过拟合电容特性的方法实现了对AlGaN/GaN HEMT界面缺陷密度的检测，有助于扩展CV分析法在GaN基HEMT器件中的应用。
界面缺陷电容肖特基二极管检测拟合肖特基二极管结构频率特性曲线测试电容等效电容等效电阻等效模型电容特性电压曲线反向电流正向电流漏电流势垒层体电阻阻抗制备测量积累应用分析

[实用新型]一种内嵌电感的射频器件测试探针-CN201821342819.6有效
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内嵌电感的射频器件测试探针，包括：衬底金属层、设置在衬底金属层上侧的绝缘层，所述的绝缘层的顶部间隔设置有第一金属层；所述的第一金属层包括第一金属、第二金属、第三金属和第四金属，所述的第一金属、第二金属和第三金属上分别连接有金属探针，所述的金属探针分别与被测射频器件的信号输入端、信号输出端和接地端连接；第一金属和第二金属的另一端通过缆线与网络分析仪的信号输出端相连；所述的第三金属的另一端连接有第二金属层形成双极型电感，所述的第二金属层的另一端与第四金属的一端连接，第四金属的另一端接地。本实用新型可以消除由缆线和网络分析仪引起的测试误差和波动性，提高测试的精准度，增加了测试的准确性。
金属电感绝缘层射频器件测试本实用新型衬底金属层第二金属层第一金属层信号输出端金属探针一端连接缆线内嵌探针网络分析仪信号输入端测试测试误差间隔设置射频器件网络分析接地波动性接地端精准度双极型

[发明专利]一种低表面电流强鲁棒性的双向ESD防护结构-CN201810268325.6在审
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低表面电流强鲁棒性的双向ESD防护结构，包括具有提高维持电压作用的PNP结构和具有大电流泄放能力的寄生SCR结构；PNP结构由P型衬底(101)、第一N‑epi区(102)、第一N‑epi区(102)、第二N‑epi区（104）、第一N阱（105）、第二N阱（106）、第一P+注入区（108）及第三P+注入区（110）构成，SCR结构由第一N‑epi区(102)、P‑body区（103）、第一N阱（105）、第一P+注入区（108）及第二P+注入区（109）构成，防护结构还包括第一N+注入区（107）、第二N+注入区（111）、第一场氧隔离区（112）、第二场氧隔离区（113）。本发明可快速的泄放ESD电流，同时极大的增强的器件的抗ESD鲁棒性，此外该结构的阱间间距可调，还实现了可调节的触发电压，满足不同集成电路的静电防护要求。
注入区鲁棒性双向ESD防护场氧隔离区低表面泄放寄生SCR结构触发电压防护结构间距可调静电防护维持电压大电流可调节衬底集成电路

[发明专利]一种单光子探测器-CN201910116935.9在审
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子探测器，属于半导体器件技术领域。所述Si衬底上设置有SiO2势垒层，且SiO2势垒层上集成有库伦岛和太赫兹平面天线，所述太赫兹平面天线上设置有Al2O3势垒层和超导光子吸收薄膜。该单光子探测器利用半导体微纳加工技术制备硅基单电子晶体管，实现高灵敏的电荷探测结构，并在单电子晶体管的库伦岛附近实现基于超导隧道节的太赫兹光子‑电荷转换结构的高度集成，将基于超导体的光子‑电荷转换结构与超电荷高灵敏度的单电子晶体管读出电路相结合，实现超高灵敏度的太赫兹单光子探测器，从而推动太赫兹单光子探测器往更低频率和更高灵敏度发展。
单电子晶体管单光子探测器势垒层太赫兹单光子电荷转换高灵敏度平面天线光子探测器超导体半导体器件技术微纳加工技术超高灵敏度电荷探测读出电路高度集成光子吸收制备硅基电荷低频率衬底薄膜半导体灵敏隧道

[发明专利]一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法-CN201610271015.0有效
发明人：任舰;顾晓峰;闫大为 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法。该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测。本发明采用一种简单的方法实现了对应力引起的势垒层缺陷密度的检测，有助于分析GaN基HEMT器件的退化机制和退化过程。
一种通过电流拟合检测 gan hemt 退化方法

[发明专利]一种内嵌电感的射频器件测试探针-CN201810950802.7在审
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌电感的射频器件测试探针，包括：衬底金属层、设置在衬底金属层上侧的绝缘层，所述的绝缘层的顶部间隔设置有第一金属层；所述的第一金属层包括第一金属、第二金属、第三金属和第四金属，所述的第一金属、第二金属和第三金属上分别连接有金属探针，所述的金属探针分别与被测射频器件的信号输入端、信号输出端和接地端连接；第一金属和第二金属的另一端通过缆线与网络分析仪的信号输出端相连；所述的第三金属的另一端连接有第二金属层形成双极型电感，所述的第二金属层的另一端与第四金属的一端连接，第四金属的另一端接地。本发明可以消除由缆线和网络分析仪引起的测试误差和波动性，提高测试的精准度，增加了测试的准确性。
金属电感绝缘层射频器件测试衬底金属层第二金属层第一金属层信号输出端金属探针一端连接缆线内嵌探针网络分析仪信号输入端测试测试误差间隔设置射频器件网络分析接地波动性接地端精准度双极型

[发明专利]一种公交车扣费系统-CN201810383175.3在审
发明人：苏丽娜;李文佳;任舰 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种公交车扣费系统，涉及物联网领域,公交车自动识别系统和数据管理系统，且公交车自动识别系统和数据管理系统相互连接，公交车自动识别系统包括前门刷卡机、后门刷卡机和公交卡，公交卡分别与前门刷卡机和后门刷卡机通过电磁波信号连接，所述的前门刷卡机和后门刷卡机为读卡器装置，所述的前门刷卡机和后门刷卡机均包含天线、射频模块、控制模块和外围接口，外围接口与控制模块之间、控制模块与射频模块之间，射频模块和天线之间相互连接，刷卡机与公交卡之间采用专用短程通信标准协议进行半双工通信，是一种低成本的通信方式。大大降低了公交车的运营成本，且公交车扣费系统能实现按里程计费的目的，整套系统操控较为简单快捷。
刷卡机公交车自动识别系统后门控制模块扣费系统射频模块前门公交卡数据管理系统外围接口天线专用短程通信半双工通信电磁波信号读卡器装置标准协议通信方式运营成本整套系统低成本物联网操控里程

[实用新型]一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构-CN201721524936.X有效
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构，用于IC片上ESD防护器件；由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区注入区、第一P+跨桥、第二P+注入区、第二P+跨桥、第三P+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极和若干场氧隔离区构成。在高压ESD脉冲的作用下，其一方面通过第一P+注入区、第一N阱、P阱、第二N阱、第二N+注入区形成寄生SCR电流协防路径，可以提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。另一方面利用由第一P+注入区、第一N阱、第一P+跨桥、P阱、第二P+注入区构成的寄生PNP结构，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。该ESD防护器件为对称结构，可以实现双向ESD防护功能，减小所占版图面积。
注入区双向ESD防护触发电压内嵌本实用新型场氧隔离区对称结构金属阳极金属阴极失效电流维持电压寄生PNP 鲁棒性衬底寄生减小闩锁

[发明专利]一种超市购物商品导航系统-CN201810375937.5在审
发明人：苏丽娜;任舰;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超市购物商品导航系统，涉及物联网无线通信领域，包括商品终端、云端平台及购物手机客户端，商品终端、云端平台及购物手机客户端相互连接，其中所述的商品终端中集成有商品电子标签、控制芯片、GPS模块及软件。本发明超市购物商品导航系统对商品的位置及时作出反馈，解决商品查找的问题，减少了商品寻找的时间，协助消费者进行购物，极大地提高消费者的购物体验。
超市购物导航系统购物手机客户端终端云端无线通信领域电子标签控制芯片物联网查找反馈

[发明专利]一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构-CN201711136014.6在审
发明人：任舰;苏丽娜;李文佳 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌低触发电压PNP结构的双向ESD防护结构，用于IC片上ESD防护器件；由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区注入区、第一P+跨桥、第二P+注入区、第二P+跨桥、第三P+注入区、第二N+注入区、金属阳极、金属阴极和若干场氧隔离区构成。在高压ESD脉冲的作用下，其一方面通过第一P+注入区、第一N阱、P阱、第二N阱、第二N+注入区形成寄生SCR电流协防路径，可以提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。另一方面利用由第一P+注入区、第一N阱、第一P+跨桥、P阱、第二P+注入区构成的寄生PNP结构，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。该ESD防护器件为对称结构，可以实现双向ESD防护功能，减小所占版图面积。
一种内嵌低触发电压 pnp 结构双向 esd 防护

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