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[发明专利]显示面板的制备方法、显示面板和显示装置-CN202011522042.3有效
发明人：王晴晴;任瑞焕 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制备方法、显示面板和显示装置。显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区，非显示区包括绑定区，显示面板的制备方法包括以下步骤：提供阵列基板，阵列基板的与显示区对应的部分包括像素驱动电路，阵列基板的与绑定区对应的部分包括至少一条走线；在阵列基板上制备平坦化层，平坦化层包括与显示区对应的第一部分和与绑定区对应的第二部分；对第一部分进行图案化处理，使第一部分形成多个第一过孔；在第一部分的远离阵列基板的一侧形成图案化的电极层，电极层通过第一过孔与像素驱动电路电连接；去除第二部分的远离电极层的边缘部分。根据本发明的实施例，能改善显示面板和显示装置的显示效果。
显示面板制备方法显示装置

[发明专利]低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器-CN201710056747.2有效
发明人： 任瑞焕 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器。所述低温多晶硅基板的制造方法包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成电介质层；在电介质层上形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀；在第二金属层上形成第三金属层；第一金属层作为电容器的下极板、第二金属层作为电容器的上极板，第一金属层同时作为栅极，在第一金属层上形成电介质层的步骤包括形成电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，刻蚀步骤为两步刻蚀，刻蚀阻挡层作为第二步刻蚀的阻挡层。本发明在电介质层原有结构的基础上增加一层氧化硅层作为第二金属层刻蚀时第二步刻蚀的阻挡层，在第二金属层过刻时能够更好地防止第一金属层被刻蚀，降低亮点和暗点的发生率。
低温多晶硅基板及其制造方法 amoled 显示器

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201910699928.6在审
发明人：王紫东;孙正上;宗记文;朱阳杰;任瑞焕;刘颖;赵海廷 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和非显示区，非显示区内设有扇出走线区，显示区内设有多个金属电极，多个金属电极通过数据线连接扇出走线区；其中，在显示面板第一制程中，多个金属电极通过多个第一金属导线和连接多个第一金属导线的第二金属导线实现短接；在显示面板的第二制程中，通过切断多个第一金属导线，从而使得多个金属电极之间彼此不再短接，实现数据信号的正常输入。本发明能够解决采用零切密排方法的显示面板在制做过程中产生的静电聚集到某一根金属电极上而造成连接该金属电极的数据线受损伤的缺陷，保证显示面板的正常显示。
显示面板金属电极第一金属导线显示装置短接线区制程第二金属导线数据线连接非显示区静电聚集数据信号正常显示数据线显示区密排损伤保证

[实用新型]柔性显示装置-CN201920029022.9有效
发明人： 任瑞焕;李俊峰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种柔性显示装置，包括：柔性显示屏；吸附结构，设置于柔性显示屏的一侧，包括设于柔性显示屏的表面的膜体，以及设于膜体远离柔性显示屏的表面的多个吸盘。上述技术方案至少具有以下技术效果：在柔性显示装置中，柔性显示屏的表面设有吸附结构，其中吸附结构包括设于柔性显示屏的表面的膜体，以及设于膜体远离柔性显示屏的表面的多个吸盘，在柔性显示装置与不规则外形的物体表面贴合时，多个吸盘贴合于不规则外形的物体表面，挤压吸盘将吸盘与物体表面之间的空气排出，形成真空腔，将柔性显示装置紧紧地吸附于不规则外形的物体表面，能够使柔性显示装置与不规则外形的物体表面很好地贴合，并起到了良好的固定作用。
柔性显示屏柔性显示装置吸盘物体表面不规则外形膜体吸附结构贴合本实用新型固定作用技术效果真空腔排出吸附挤压

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法-CN201510999939.8有效
发明人： 任瑞焕 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括：在玻璃基底上依次沉积第一铜镁铝合金薄膜和第一铜薄膜，形成栅极；在所述形成栅极的玻璃基底上依次沉积栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；在所述欧姆接触层上沉积第二铜镁铝合金薄膜和第二铜薄膜，形成源极和漏极。应用本发明实施例解决了薄膜晶体管中铜薄膜与基底之间粘附性差和二者之间容易扩散的问题。
一种薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法-CN201510996897.2在审
发明人： 任瑞焕 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该方法包括在玻璃基底上依次沉积第一铜钙合金薄膜和第一铜薄膜，形成栅极；在所述形成栅极的玻璃基底上依次沉积栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极层；在所述欧姆接触层上沉积第二铜钙合金薄膜和第二铜薄膜，形成源极和漏极。应用本发明实施例解决了薄膜晶体管中铜薄膜与基底之间粘附性差和二者之间容易扩散的问题。
一种薄膜晶体管及其制作方法