专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电流驱动的磁畴壁逻辑-CN202180027419.4在审
  • 罗昭初;阿莱斯·赫拉贝茨;劳拉·J·海德曼;彼得罗·甘巴尔代拉;仲·蓬·达奥 - 保罗·谢勒学院
  • 2021-01-26 - 2022-11-25 - G11C11/16
  • 基于自旋的逻辑架构提供非易失性数据保持、近零泄漏和可扩展性,将技术路线图扩展至互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑之外。基于磁畴壁的架构利用快速畴壁运动、高密度、非易失性和灵活的设计来处理和存储信息。然而,这种方案依赖于使用外部磁场的畴壁操控和时钟计时,这限制了它们在密集的大规模芯片中的实现。本发明公开了在畴壁跑道中执行全电逻辑操作和级联的概念。本发明利用由界面Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用引起的相邻磁畴之间的手性耦合来实现磁畴壁反转器,布尔逻辑的所有实现中的基本构建块。本发明还公开了可重新配置的NAND和NOR逻辑门,并通过电流引起的畴壁运动来执行操作。最后,级联若干个NAND门来构建XOR门和全加器门,从而示范逻辑电路中的磁数据和设备互连的电控制。本发明为可扩展的全电磁逻辑提供了可行平台,为逻辑存储器的应用铺平了道路。
  • 电流驱动磁畴壁逻辑

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