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[发明专利]硅蚀刻与清洁-CN201510965135.6有效
发明人：汤姆·A·坎普;亚历山大·M·帕特森;尼马·拉斯特加尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅蚀刻与清洁。提供了一种用于将特征蚀刻到含硅蚀刻层中的方法。将蚀刻层放置到等离子体处理室中。使蚀刻气体流入所述等离子体处理室。使蚀刻气体形成蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体将特征蚀刻到所述含硅层中，留下含硅残留物。使蚀刻气体停止流入所述等离子体处理室。使干燥的清洁气体流入所述等离子体处理室，其中所述干燥的清洁气体包括NH₃和NF₃。使所述干燥的清洁气体形成等离子体，其中使所述含硅残留物暴露于所述干燥的清洁气体的等离子体，并且其中所述含硅残留物中的至少一些或全部形成含铵化合物。使所述干燥的清洁气体的流动停止。使铵化合物从膜升华。
蚀刻清洁

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

[发明专利]具有经共轴馈送的共轴射频馈给与多区交流加热器电源输送的等离子体反应器静电卡盘-CN200980116023.6无效
发明人：迈克尔·D·威尔沃思;戴维·帕拉加什维里;布赖恩·K·哈彻;亚历山大·M·帕特森;道格拉斯·A·小布赫伯格 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种工件支撑座包括：具有工件支撑表面的绝缘盘；位于所述所述绝缘盘下方的导电板，绝缘盘包含多个电机构以及多个热传媒通道；以及位于所述导电板下方的轴向移位共轴射频路径组件。此共轴射频路径组件包括：中心导体、接地的外侧导体以及隔离所述中心导体与所述外侧导体的管状绝缘体，由此所述绝缘盘、所述板以及所述共轴射频路径组件组成可动组件，而所述可动组件的轴向移动是由举升伺服机构控制。多个导管轴向地延伸经过所述中心导体，且耦接至所述热传媒机构。多个电导体轴向地延伸经过所述管状绝缘体，且连接至所述电机构。
具有经共轴馈送射频给与交流加热器电源输送等离子体反应器静电卡盘

[发明专利]等离子体反应器室中的具有晶片边缘气体注射的阴极衬套-CN200810210599.6有效
发明人：丹·卡兹;大卫·帕拉加斯维勒;迈克尔·D·威尔沃斯;瓦伦顿·N·图杜罗;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于等离子体反应器室的晶片支架，其中所述晶片支架具有与晶片边缘相邻且包围晶片边缘的晶片边缘气体注射器。
等离子体反应器中的具有晶片边缘气体注射阴极衬套

[发明专利]具有背部光传感器和蚀刻分布多频控制的等离子体反应器-CN200710129979.2有效
发明人：理查德·莱温顿;亚历山大·M·帕特森;迈克尔·N·格林博金;阿杰伊·库玛 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有蚀刻参数的多频控制的等离子体反应器。该反应器包括反应室和该室内的工件支架，该室具有面向该工件支架的顶板以及感应耦合源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器。一排光纤延伸穿过该工件支架的支撑表面以穿过其底面观察工件。光学传感器连接到光纤的输出端上。该反应器还包括响应光学传感器以调整通过感应耦合等离子体源功率施加器和电容耦合等离子体源功率施加器同时耦合到室中的等离子体的功率的相对量的控制器。
具有背部传感器蚀刻分布控制等离子体反应器

[发明专利]用于等离子反应器加热静电卡盘的高交流电流、高射频功率的AC－RF退耦滤波器-CN200710103066.3有效
发明人：瓦伦丁·N·托多罗夫;迈克尔·D·威尔沃思;亚历山大·M·帕特森;布赖恩·K·哈彻;詹姆斯·E·萨蒙斯三世;约翰·P·荷文 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H03H7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种与电阻加热元件电抗性耦合的射频阻塞滤波器，其用于使得两相交流电源过滤分离至少2千伏特峰－峰的高频频率的功率，同时将来自所述两相交流电源的几千瓦的60Hz的交流功率提供给所述电阻加热元件而不会过热，两相交流电源具有一对接头并且所述电阻加热元件具有一对接头。滤波器包括一对圆柱形的绝缘的封套，各个封套具有在约1到2英寸之间的内径，以及各自多个熔融的铁粉超环状体，其同轴堆叠在所述一对圆柱形封套的各个封套中，并且具有大约10的磁渗透率，其中超环状体的外径与各个所述封套的所述内径大致相同。一对直径在3毫米到3.5毫米之间的导线导体，其螺旋地缠绕在所述一对封套的相应一个上，从而对于各个所述封套形成各自在约16匝到24匝范围内的感应器线圈，各个感应器具有输入端和输出端。
用于等离子反应器加热静电卡盘交流电流射频功率 ac rf 滤波器

[发明专利]具有独立的电容及环形等离子体源的等离子体反应器设备-CN200710098396.8无效
发明人： 亚历山大·M·帕特森;瓦伦丁·N·托多罗夫;西奥多洛斯·帕纳戈波洛斯;布赖恩·K·哈彻;丹·卡茨;爱德华·P·哈蒙德四世;约翰·P·荷文;亚历山大·马特尤什金 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于处理工件的等离子体反应器，包括：构成反应器腔室的罩和所述腔室内的工件支架，所述罩包括面向所述工件支架的顶；环形等离子体源，包括中空凹角管道和靠近凹角外部管道的一部分的RF功率施加器，所述中空凹角管道在腔室外部并具有与腔室内部连接的一对端部同时形成经过管道延伸并贯穿工件支架直径的闭合环形路径；以及耦合至环形等离子体源的RF功率施加器的RF功率发生器。所述反应器进一步包括：具有源功率电极和VHF功率发生器的电容耦合等离子体源功率施加器和包括偏压功率电极和至少第一RF偏压功率发生器的等离子体偏压功率施加器。
具有独立电容环形等离子体反应器设备

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