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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高吞吐量真空沉积源及系统-CN201880013970.1在审
发明人：郭信生 -专利权人： 亚升技术公司;郭信生
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了高吞吐量真空沉积源及系统。一种高吞吐量沉积装置，包括一处理室，在该处理室中形成第一闭环的多个靶，其中，所述第一闭环包括由至少第一对靶定义的一长维度以及由至少第二对靶定义的一短维度，第一衬底基板载体组件，其可承载一或多个衬底基板，并配置为接受来自所述第一闭环的多个靶的沉积材料，和一传送机构，所述传送机构可移动所述第一衬底基板载体组件沿轴向方向通过所述第一处理室中的所述第一闭环。
闭环衬底基板高吞吐量真空沉积源传送机构载体组件对靶第一处理室沉积材料沉积装置轴向方向可移动长维维度承载配置

[发明专利]用于大基片上沉积的磁控管源-CN200780004008.3有效
发明人：郭信生 -专利权人： 亚升技术公司
申请日： 2007-01-03 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种用来在沉积系统中靠近靶表面产生磁场的磁控管源，其包括第一磁体，沿着第一方向与第一磁体通过间隙隔开的第二磁体，以及靶托，该靶托被配置来保持处于第一磁体和第二磁体之间的间隙中的靶。所述靶包括溅射表面，由此靶材料可以被溅射和沉积到基片上。将靶托如此配置以使得溅射表面基本上平行于所述第一方向并且第一磁体和第二磁体能够靠近靶表面产生磁场。
用于大基片上沉积磁控管源

[发明专利]淀积系统和处理系统-CN200710186824.2有效
发明人：郭信生;王开安 -专利权人： 亚升技术公司
申请日： 2007-11-22 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：公开了一种淀积系统，该淀积系统包括：腔体、位于腔体内中心区域的多个靶材和位于腔体内的多个基片。当在第一方向上观察时，靶材被顺序地布置。靶材至少包括一个面朝外的溅射表面。当在第一方向上观察时，基片被顺序地布置。基片至少包括一个淀积表面，该淀积表面被构造成用来接收从溅射表面上溅射下来的材料。还涉及一种包括腔体的处理系统。当在第一方向上观察时，多个位于腔体内中心区域的处理站顺序地放置。多个处理站被构造成用来提供至少一个处理步骤。当在第一方向上观察时，多个位于腔体内的基片顺序地放置。多个基片至少一个包括接收表面，该接收表面被构造成用于接收来自多个处理站的至少一个处理步骤。
系统处理

[发明专利]具有增加的使用寿命的磁控管源-CN200610136661.2无效
发明人：郭信生 -专利权人： 亚升技术公司
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种用于在真空淀积系统中的溅射靶附近产生磁场的磁控管源，包括顺序设置的第一磁极性的第一组单个磁体和顺序设置的与第一磁极性相反的第二磁极性的第二组单个磁体。第一组磁体和第二组磁体如此地配置，使得可以在第一组磁体和第二组磁体之间的区域中、在溅射靶的溅射表面附近俘获电子。
具有增加使用寿命磁控管源

[发明专利]单处理室淀积系统-CN200610056851.3无效
发明人：郭信生 -专利权人： 亚升技术公司
申请日： 2006-03-09 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种淀积系统包括处理室、在处理室中用于保持工件的工件支架、包含第一材料的第一靶、包含第二材料的第二靶、单个磁体组件以及传送机构，该单个磁体组件设置成可以扫过第一靶和第二靶，以在工件上淀积第一材料和第二材料，该传送机构可以在磁体组件与第一靶或第二靶之间引起相对移动。
处理室淀积系统

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