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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法-CN202080025487.2在审
发明人： 井谷贤哉;栗田英树;林英昭 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种主面与定向平面相接的棱线的直线性的精度良好的磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在主面与定向平面相接的在棱线上，除了从棱线的两端起向内侧3mm的长度部分以外，在棱线上以2mm的间隔设定从起点至终点的多个测定点，将连结起点和终点的直线设为基准线，将各测定点距基准线的距离设为各测定点的偏差时，偏差的最大值为棱线的长度的1000分之1以下。
磷化铟基板以及制造方法

[发明专利]磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法-CN202080025556.X在审
发明人： 井谷贤哉;栗田英树;林英昭 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种定向平面的平坦度的精度良好的磷化铟基板以及使用了该磷化铟基板的磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在定向平面端面的长尺寸方向上，在除了从定向平面端面的两端起向内侧3mm的宽度部分以外的面中，以基板厚度的5分之1的间隔设定四根剖面曲线，在分别测定四根剖面曲线中的JIS B 0601：2013中规定的最大高度Pz时，四根剖面曲线的最大高度Pz的最大值与最小值之差为定向平面端面的长尺寸方向的长度的10000分之1.50以下。
磷化铟基板以及制造方法

[发明专利]化合物半导体及它的制造方法-CN201880004429.4在审
发明人：山田浩平;村上幸司;井谷贤哉 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明提供一种碲化锌镉(CdZnTe)单晶、及它的有效制造方法，该碲化锌镉(CdZnTe)单晶具有面积为100mm²以上、且移动率寿命乘积(μτ乘积)成为1.0×10^‑3cm²/V以上的区域为整体的50％以上即在宽范围成为高μτ乘积的主面。
碲化锌镉单晶化合物半导体有效制造方法主面移动制造

[发明专利]半导体激光用单晶晶片-CN200510137806.6无效
发明人： 井谷贤哉 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供通过光学式的定位方式提高以劈开面作为基准的调合掩模图形时的精度及可以实现提高工序合格率的半导体激光单晶晶片。提供一种半导体激光用单晶晶片，将由劈开形成取向平面的晶片的表面用高硬度的研磨布且在适当地按压晶片压力及研磨速率下，使晶片表面的中心部与外周部的研磨速率相同地研磨，从而使其成为具有劈开面上的棱线部的弧度变小的、小于等于40μm的取向平面部。
半导体激光用单晶晶片

[发明专利]添加硅的砷化镓单结晶基板-CN200410086456.0无效
发明人：和地三千则;井谷贤哉 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用垂直布里奇曼法、垂直温度梯度凝固法制造的添加硅的砷化镓基板，基板的载体浓度在0.1×10¹⁸～5.0×10¹⁸/cm³范围内，基板面内载体浓度的最大值和最小值在小于等于基板面内平均载体浓度的10％范围内波动。此时，表示相同载体浓度的类圆形年轮状的生长纹的中心，与基板中心的距离优选小于等于基板直径的1/20的范围。此外，基板面内重排密度的平均值优选小于等于5,000个/cm²。采用本发明，可以在大幅度提高元件合格率的同时，使装置制造时的生产条件的满足变得容易。
添加砷化镓单结晶

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